AIXTRON和VEECO的MOCVD型号及产能总结
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1、AIXTRON和VEECO的MOCVD型号及产能总结GaN基材料德国艾思强(AIXTRON)公司(1999年英国Thomas Swan公司已被其收购)型号一览型号一览容量容量典型温度典型温度典型应用典型应用月产能月产能(24hr/day)单价单价行星式反应器G3G324x21200-1300C氮化镓(GaN)基材料G4 HTG4 HT(AIX2800G4 HT2007年推出)42x21200-1300C氮化镓(GaN)基材料G5 HTG5 HT56x21200-1300C氮化镓(GaN)基材料3500-4000片近耦合喷淋头CRIUSCRIUS31x21200-1300氮化镓(GaN)基材料C
2、RIUS IICRIUS II55x21200-1300氮化镓(GaN)基材料4200-4700片CRIUS II-LCRIUS II-L69x21200-1300氮化镓(GaN)基材料美国维易科精密仪器(VeecoInstruments)公司型号一览型号一览容量容量典型应用典型应用月产能月产能(24hr/day)特点特点K465i HPGaN MOCVD 系统HB-LED单反应腔MOCVD设备的高性能版与K465i相比片內波长均匀性提高20%而使用成本更低。K465i(2007年推出,目前的主打机型,)2片 45片一炉GaN MOCVD 系统最高的生产效率,并在同类产品中具有最高的良品率K4
3、652片 45片一炉GaN MOCVD 系统GaN 基蓝光、绿光 LED 和蓝光激光器生产领域,具 有 业 界 最 高 的 MOCVD 产能 E475As/P MOCVD 系统HB-LED、聚光太阳能电池、激光二极管K475As/P MOCVD 系统ROY LED(红色、橙色、黄色发光二极管)激光二极管CPV(聚光光伏)太阳能电池MaxBright MHP多反应腔系统MaxBright M多反应腔系统CRIUS II-XL 外观图TurboDisc K465iVEECO K465i MOCVD系统模组设计图AIX2800G4 HT Reactor 42 x 2“AIX 2800G4-R 60 2“
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