模电总结复习资料

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1、学习好资料欢迎下载第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。2. 特性 光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5. 杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）*N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻通常把杂

2、质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN 结* PN 结的接触电位差 硅材料约为0.60.8V，错材料约为 0.20.3V。* PN 结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同PN结。* 正向导通压降 硅管0.60.7V，错管0.20.3V*死区电压 硅管0.5V，错管0.1V。3. 分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）。1）图解分析法该式与伏安特性曲线

3、的交点叫静态工作点Q。（a）二极管电路2） 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）; 若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）*三种模型gti微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性正常工作时处在 PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连 接。k打mA0丿， 1F Ara /VIJiirMX總压常的伏宜特杵第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1. 类型-分为NPN和PNP两种。2. 特点基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较

4、高，与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配C= 4?N + CBO /e=/bN+CN = /b + /c fn= Zbn-*共发射极电流放大系数 （表明三极管是电流控制器件+ (1+/ )Zc BO =fflb+/c KO 式子（1丿小z称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管C0STSmee/V5）输入特性曲线0UC1/Vg输出特性曲线*输出特性曲线（饱和管压降，用 UCes表示放大区 发射结正偏，集电结反偏。截止区 发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高I CB6 |

5、CEO、 I C以及3均增加三. 低频小信号等效模型（简化）hie-输岀端交流短路时的输入电阻，常用r be表示；hfe -输岀端交流短路时的正向电流传输比, 常用3表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、 V、 R,、 R、C、C2 的作用。2. 组成原则-能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析* 概念直流电流通的回路。* 画法电容视为开路。*作用确定静态工作点* 直流负载线 由VCc=|cR+U；e确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响改变州输闇特性閹解法3)输人持性圏解法(1) 截止失真*产生原因Q点设置过低*失真现象-NPN管削顶，PNP管

6、削底。*消除方法减小Rb,提高Q。(2) 饱和失真*产生原因Q点设置过高*失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法 增大R、减小FC、增大Vcc。4. 放大器的动态范围(1) UOpp-是指放大器最大不失真输岀电压的峰峰值。(2) 范围* 当(UcEQ UbES)( Vcc 一 UcEQ )时，受截止失真限制，UOpF=2UMA=2I CqR.I*-0CM-I-1.静态分析(1)静态工作点的近似估算欲使 Q点不进入饱和区，应满足(a)基本典射放大电路(b直流通路* 当(U=EQ U=ES)V( Vcc UcEQ )时，受饱和失真限制，LOpF=2LOmA=2( U=EQ U：ES)*当

7、(UcEQ UcES) = ( Vcc UcEQ ),放大器将有最大的不失真输岀电压。六. 放大电路的等效电路法f/CEQ = f CC CQc(2) Q点在放大区的条件RB B Rc。2. 放大电路的动态分析its*放大倍数*输入电阻鬲+VKVTRl农L(小交流通路(b)微变等效也路1 A 哄 5m= 7?b/rbe*输出电阻七. 分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法1 静态分析Cl|yVT1)27 R I hl十如2VT稳定匸作点放大器(a)直流通路U CEQ 宙,ZCC CQ (心 + 住)2 动态分析*电压放大倍数九= = M微变等效电路在Re两端并一电解电容 Ce后4= _1L

8、 =2 us尺十尺11输入电阻尺=RgRZg 毛 +(1 + )尺在Re两端并一电解电容 Ce后R =bl/?b2/rbe*输出电阻% N兔八. 共集电极基本放大电路1 静态分析T _ 丁 ere - F bkq* - J?b +(12 动态分析*电压放大倍数礼d+m*输入电阻共渠电极萃本放大电路(b) H霉数等效电路尽=7?b/r|)e+(l+/?)(/?e/?L)l*输出电阻p G1+”3. 电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。* 输入电阻高，输岀电阻低。第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（JFET ）1. 结构示意图和电路符号2. 输出特性曲

9、线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）;加左;穿_|_ - :-4 -5VJ/ Eq -0艺止;区 舁昭=时養输出特性二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET分为增强型（EMOS和耗尽型（DMOS两种 结构示意图和电路符号三. 场效应管的主要参数1. 漏极饱和电流IDSS2. 夹断电压U3. 开启电压UT4. 直流输入电阻FGs5. 低频跨导gm （表明场效应管是电压控制器件第四章级间耦合方式多级放大电路1. 阻容耦合-各级静态工作点彼此独立；能有效地传 流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。2. 变压器耦合-各级静态工作点彼此独立，可以实现输交场效应管微变等效电路阻抗变换。体积大，

10、成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3. 直接耦合-低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂 移”现象。uo偏离初始* 零点漂移-当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使 值“零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应1 中频段(fLW f fH)usmrbW +怙&用十耳川频段混盒参数等效电路波特图-幅频曲线是20lg Ausm数，相频曲线是$ =-180o2 低频段(f j B2j C1、 j C2 J。R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。2静态分析1）计算差放电路I C设 UB 0,贝U U

11、= 0.7V，2）计算差放电路UCe? 双端输出时? 单端输岀时（设VT1集电极接R）对于VT1:幕=字+ /C1 , CrcEl = f7Cl - r/E =+O7对于VT2:= VCC -CZc，UCE2 = UC2 - UE = VCC -C2 肌 + “3. 动态分析1）差模电压放大倍数?双端输出? 单端输出时Adi =从VT1单端输岀T 2RS +rbe +(1 + /?M V2J从VT2单端输岀2並+怯十（1 + 0）（坷丿幼2）差模输入电阻3）差模输出电阻用円【鸟+计（1+历牛1? 双端输岀：乩胡火?单端输岀:皿也三.集成运放的电压传输特性当UI在+Um与-Um之间，运放工作在线

12、性区域Ro三”od財三4od（財+-）傘虑运族的电爪枝输特性四.理想集成运放的参数及分析方法1.理想集成运放的参数特征 *差模输入电阻 Rd *; *差模输入电阻 Rd *; *输岀电阻 Rbf 0; *共模抑制比KCMFg;第七章 放大电路中的反馈一.反馈概念的建立A l + AF*开环放大倍数A*闭环放大倍数Af *反馈深度1+AF *环路增益AF :输入4出L反锻放大器纽成方框图1 当AF0时，A f下降，这种反馈称为负反馈2当AF =0时，表明反馈效果为零。3当AFV0时，A f升高，这种反馈称为正反馈4当AF= 1时 ，As 。放大器处于自激振荡”状态。反馈的形式和判断1. 反馈的范

13、围-本级或级间。2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。3. 反馈的取样-电压反馈：反馈量取样于输岀电压；具有稳定输岀电压的作用 （输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输岀电流。具有稳定输岀电流的作用。（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电串联反馈：流形式相叠加。FS越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端）反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。RS越小反馈效果越好。反馈信号反馈到非输入端）5. 反馈极性-瞬时极性法：（1）假定某输

14、入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。（2）根据该极性，逐级推断岀放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用一表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4） 根据X与X f的极性，确定净输入信号的大小。Xd减小为负反馈；Xid增大为正反馈。三. 反馈形式的描述方法某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四.负反馈对放大电路性能的影响1.提高放大倍数的稳定性cL4f _12.1 + AF A3.扩展频带4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声5.改变放大电路的输入、输岀电阻*串联负反馈使输入电阻增加1+AF 倍*并联负反馈使输入电阻减小1+

15、AF 倍*电压负反馈使输出电阻减小1+AF 倍*电流负反馈使输岀电阻增加1+AF 倍五. 自激振荡产生的原因和条件1. 产生自激振荡的原因附加相移将负反馈转化为正反馈。2. 产生自激振荡的条件AF=-1若表示为幅值和相位的条件则为:|卜1隊F网a+f = （2斤+1皿債为整数）分析依据第八章“虚断”和“虚短”信号的运算与处理基本运算电路1.反相比例运算电路R2 = Ri Rf3基本形式2.同相比例运算电路R2=R RfO+3.反相求和运算电路R4=Ri R2/ R3/ Rf4.同相求和运算电路Ri/ R R 皆Rf R5同相求和运算电路5. 加减运算电路Ri/ R2/ R=R R/ R5I单运

16、故加械运灯电路二.积分和微分运算电路1.积分运算2.微分运算R堆本积分运算电路基本微分电路第九章信号发生电路一.正弦波振荡电路的基本概念1. 产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件AF = l即幅值平衡条件：WL相位平衡条件：氷2. 起振条件幅值条件:l： L相位条件3. 正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成与放大电路共同满足振荡条件。(1) 放大电路建立和维持振荡。(2)正反馈网络-(3) 选频网络 以选择某一频率进行振荡。(4) 稳幅环节 使波形幅值稳定，且波形的形状良好。*正弦波振荡器的分类 (1) RC振荡器一-振荡频率较低,1M以下;(2) LC振荡器-振荡频率较高,1M以上;(3) 石英晶体振荡器振荡频率高且稳定二.RC正弦波振荡电路1. RC串并联正弦波振荡电路文氏电桥振蒔番2. RC移相式正弦波振荡电路用饬相式振繭器三.LC正弦波振荡电路1.变压器耦合式 LC振荡电路判断相位的方法：断回路、引输入、看相位(a)樂电极调谐(b)霞射機调谐(c)基扱调谐2. 三点式LC振荡器*相位条件的判断射同基反”或“三步曲法”