微电子专业词汇5780330168gqyn

《微电子专业词汇5780330168gqyn》由会员分享，可在线阅读，更多相关《微电子专业词汇5780330168gqyn（30页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、Abruuptjunnctiion突突变结Acceelerrateedttesttingg加速实实验 Acccepttor受主主Acceeptooraatomm受受主原子子 AAccuumullatiion积积累、堆堆积Acccumuulattinggcoontaact积积累接触触 AAccuumullatiionreggionn积累累区Acccumuulattionnlaayerr积累层层 AActiivereggionn有源区区Actiivecommponnentt有源元元 AActiivedevvicee有源器器件Acttivaatioon激激活 Acttivaatiooneenerrg

2、y激激活能Actiivereggionn有有源（放放大）区区 AAdmiittaancee导纳Allooweddbaand允带带 AAllooy-jjuncctioonddeviice合合金结器器件Alumminuum(AAlumminiium)铝 Aluuminnum?ooxidde铝铝氧化物物Aluuminnumpasssivvatiion铝铝钝化 Ammbippolaar双极的的Ambiienttteempeeratturee环境温温度 Amoorphhouss无定形形的，非非晶体的的Amppliffierr功放扩音器器放大大器 Anaaloggue(Anaalogg)ccomppara

3、atorr模拟拟比较器器Angsstroom埃埃 AAnneeal退火Aniisottroppic各向向异性的的 AAnodde阳阳极Arseenicc(AAS)砷 Auugerr俄歇歇Auggerproocesss俄歇歇过程 Avvalaanchhe雪崩Avallancchebreeakddownn雪崩崩击穿 Avvalaanchheeexciitattionn雪崩激激发 Backkgroounddcaarriier本底载载流子Backkgrooundddoopinng本本底掺杂杂 BBackkwarrd反反向BBackkwarrdbbiass反向向偏置 Baallaastiingressi

4、sttor整流电电阻Balllboond球形键键合 Bannd能能带Banddgaap能能带间隙隙 BBarrrierr势垒垒Barrrieerllayeer势势垒层 Baarriierwiddth势垒宽宽度Basee基极极 BBaseecoontaact基区接接触Baseesttrettchiing基区扩扩展效应应 BBaseetrranssittimme基基区渡越越时间Baseetrranssporrteeffiicieencyy基区输输运系数数 BBasee-wiidthhmoodullatiion基基区宽度度调制Basiisvvecttor基矢 Biias偏置Bilaaterralsw

5、iitchh双向向开关 Biinarryccodee二进进制代码码Binaarycommpouundsemmicoonduuctoor二二元化合合物半导导体 Bippolaar双双极性的的BipoolarrJuuncttionnTrranssisttor(BJJT)双双极晶体体管 Blooch布洛赫赫Blocckinngbbandd阻挡挡能带 Bllockkinggcoontaact阻挡接接触Bodyy-cennterred体心立立方 Boddy-ccenttreddcuubiccsttruccturre体体立心结结构Bolttzmaann波尔兹兹曼 Bonnd键键、键合合Bonddingge

6、llecttronn价电电子 Bonndinngppad键合点点Boottstrrapcirrcuiit自自举电路路 BBoottstrrapppedemiitteerffollloweer自自举射极极跟随器器Boroon硼硼 BBoroosillicaateglaass硼硅玻玻璃Bounndarryccondditiion边界条条件 Bouundeleectrron束缚电电子Breaadbooardd模拟拟板、实实验板 Brreakkdoown击穿Breaakooverr转折折 BBrilllouuin布里渊渊Brilllouuinzonne布布里渊区区 BBuillt-iin内内建的Bui

7、lld-iineelecctriicffielld内内建电场场 BBulkk体/体内Bulkkabbsorrptiion体吸收收 BBulkkgeenerratiion体产生生Bulkkreecommbinnatiion体复合合 BBurnn-in老化Burnnouut烧烧毁 Burrieddchhannnel埋沟Buriieddifffussionnreegioon隐隐埋扩散散区Can外壳Capaacittancce电电容 Cappturreccrosssssecttionn俘获获截面Capttureecaarriier俘获载载流子 Caarriier载流子子、载波波Carrrybbit进位

8、位位 CCarrry-iinbbit进位输输入Carrry-ooutbitt进位位输出 Caascaade级联Casee管壳壳 CCathhodee阴极极Centter中心 Ceerammic陶瓷（的的）Channnell沟道道 CChannnellbrreakkdowwn沟沟道击穿穿Channnellcuurreent沟道电电流 Chaanneelddopiing沟道掺掺杂Channnellshhortteniing沟道缩缩短 Chaanneelwwidtth沟沟道宽度度Charractteriistiiciimpeedannce特征阻阻抗 Chaargee电荷荷、充电电Charrge-co

9、mmpennsattionnefffeccts电荷补补偿效应应 CCharrgeconnserrvattionn电荷荷守恒Charrgeneuutraalittyccondditiion电中性性条件 Chharggeddrivve/eexchhangge/ssharringg/trranssferr/sttoraage电荷驱驱动/交交换/共共享/转转移/存存储 Cheemmiicallettchiing化学腐腐蚀法Chemmicaallyy-Poolissh化化学抛光光 CChemmmiccallly-MMechhaniicalllyPollishh(CCMP)化学学机械抛抛光CChipp芯片

10、片 CChippyiieldd芯片片成品率率Clammpedd箝位位 CClammpinngddiodde箝箝位二极极管Cleaavaggepplanne解解理面 Cllockkraate时钟频频率Clocckggeneerattor时钟发发生器 Cllockkfllip-floop时时钟触发发器Closse-ppackkedstrructturee密堆堆积结构构 CClosse-llooppgaain闭环增增益Colllecttor集电极极 CColllisiion碰撞ComppenssateedOOP-AAMP补偿运运放 Commmonn-baase/colllecctorr/emmitt

11、terconnnecctioon共共基极/集电极极/发射射极连接接 CCommmon-gatte/ddraiin/ssourrceconnnecctioon共共栅/漏漏/源连连接 Commmonn-moodegaiin共共模增益益Commmon-moddeiinpuut共共模输入入 CCommmon-modderrejeectiionrattio(CMMRR)共模模抑制比比 CComppatiibillityy兼容容性Comppenssatiion补偿 Coompeensaateddimmpurritiies补偿杂杂质Comppenssateedssemiiconnducctorr补偿偿半导体

12、体 CCompplemmenttaryyDaarliingttoncirrcuiit互互补达林林顿电路路 CCompplemmenttaryyMeetall-Oxxidee-SeemiccondducttorFieeld-Efffectt-Trranssisttor(CMOOS) 互补补金属氧氧化物半半导体场场效应晶晶体管 Coompllemeentaaryerrrorfunnctiion余误差差函数 Coompuuterr-aiidedddeesiggn(CADD)/ttestt(CAAT)/mannufaactuure(CAMM)计计算机辅辅助设计计/测测试/制 造 CommpouundS

13、emmicoonduuctoor化化合物半半导体Condducttancce电电导 Connducctioonbbandd(eedgee)导导带(底底)Condducttionnleevell/sttatee导带带态 Connducctorr导体体Condducttiviity电导率率 CConffiguurattionn组态态Conllombb库仑仑 CConppleddCoonfiigurratiionDevvicees结结构组态态Consstannts物理常常数 Connstaanteneergyysuurfaace等能面面Consstannt-ssourrcedifffussionn恒

14、定源源扩散 Coontaact接触Conttamiinattionn治污污 CConttinuuityyeqquattionn连续续性方程程Conttactthoole接触孔孔 CConttacttpootenntiaal接接触电势势Conttinuuityycoondiitioon连连续性条条件 Conntraadoopinng反反掺杂Conttrollledd受控控的 Connverrterr转换换器Convveyeer传传输器 Cooppeeriinteercoonneectiionsysstemm铜互互连系统统Couppingg耦合合 CCovaalennt共共阶的Crosssovve

15、r跨交 Crritiicall临界界的Crosssunnderr穿交交 CCrucciblle坩埚埚Crysstalldeefecct/ffacee/orrienntattionn/laattiice晶体缺缺陷/晶晶面/晶晶向/晶晶格 Currrenntddenssityy电流流密度Curvvatuure曲率 Cuutooff截止Currrenntddrifft/ddirvve/ssharringg电流流漂移/驱动/共享 CuurreentSennse电流取取样Curvvatuure弯曲 Cuustoomiinteegraateddciircuuit定制集集成电路路Cyliindrricaal

16、柱柱面的 Czzochhrallshiicryystaal直直立单晶晶 CCzocchraalskkittechhniqque切克劳劳斯基技技术（CCz法直直拉晶体体J）Dangglinngbbondds悬悬挂键Darkkcuurreent暗电流流 DDeaddtiime空载时时间Debyyellenggth德拜长长度 De.broogliie德德布洛意意Decdderaate减速 Deecibbel(dBB)分分贝Decoode译码 Deeepacccepttorlevvel深受主主能级Deeppdoonorrleevell深施施主能级级 DDeeppimmpurrityyleevell深度

17、度杂质能能级Deepptrrap深陷阱阱 DDefeeat缺陷 Deegenneraatesemmicoonduuctoor简简并半导导体Degeenerracyy简并并度 Deggraddatiion退化DegrreeCellsiuus(ccenttigrradee)/Kellvinn摄氏氏/开氏氏温度 Deelayy延迟迟Denssityy密度度 DDenssityyoffsttatees态态密度Deplletiion耗尽 Deepleetioonaapprroxiimattionn耗尽尽近似Deplletiionconntacct耗耗尽接触触 DDeplletiiondeppth耗尽深深

18、度Deplletiionefffectt耗尽尽效应 Deepleetioonllayeer耗耗尽层DeplletiionMOSS耗尽尽MOSS DDeplletiionreggionn耗尽尽区Depoosittedfillm淀淀积薄膜膜 DDepoosittionnprroceess淀积工工艺Desiignrulles设计规规则 Diee芯片片（复数数dicce）Diodde二二极管 Diieleectrric介电的的Diellecttriccissolaatioon介介质隔离离 DDifffereencee-moodeinpput差模输输入Difffereentiialamppliffier

19、r差分分放大器器 DDifffereentiialcappaciitannce微分电电容Difffuseedjjuncctioon扩扩散结 Diiffuusioon扩扩散Difffusiioncoeeffiicieent扩散系系数 Difffussionncoonsttantt扩散散常数Difffusiivitty扩扩散率 Diiffuusioonccapaacittancce/bbarrrierr/cuurreent/furrnacce扩扩散电容容/势垒垒/电流流/炉 Diigittalcirrcuiit数数字电路路Dipooledommainn偶极极畴 Dippoleelaayerr偶极极

20、层Direect-couupliing直接耦耦合 Dirrectt-gaapssemiiconnducctorr直接接带隙半半导体Direecttraansiitioon直直接跃迁迁 DDisccharrge放电Disccretteccompponeent分立元元件 Disssippatiion耗散Disttribbutiion分布 Diistrribuuteddcaapaccitaancee分布布电容Disttribbuteedmmodeel分分布模型型 DDispplaccemeent位移Disllocaatioon位位错 Dommainn畴Donoor施施主 Donnorexhhauss

21、tioon施施主耗尽尽Dopaant掺杂剂剂 DDopeedssemiiconnducctorr掺杂杂半导体体Dopiingconncenntraatioon掺掺杂浓度度 DDoubble-difffussiveeMOOS(DDMOSS)双扩扩散MOOS. Drriftt漂移移Drifftffielld漂漂移电场场 DDrifftmmobiilitty迁迁移率Dryetcchinng干干法腐蚀蚀 DDry/wettoxxidaatioon干干/湿法法氧化Dosee剂量量 DDutyycyyclee工作作周期Duall-inn-liinepacckagge（DDIP）双列直直插式封封装 Dynn

22、amiics动态Dynaamiccchharaacteerissticcs动动态属性性 DDynaamiccimmpeddancce动动态阻抗抗Earllyeeffeect厄利效效应Earllyffailluree早期期失效 Efffecctivvemmasss有效效质量Einssteiinrrelaatioon(sshipp)爱爱因斯坦坦关系 EllecttriccErraseePrrogrrammmablleRReaddOnnlyMemmoryy(E22PROOM)一次性性电可擦擦除只读读存储器器 EElecctroode电极Elecctroominnggrratiim电电迁移 Ellec

23、ttronnafffinnityy电子子亲和势势Elecctroonicc-ggradde电电子能 Ellecttronn-beeamphooto-ressisttexxpossuree光致致抗蚀剂剂的电子子束曝光光 EElecctroonggas电子气气Elecctroon-ggraddewwateer电电子级纯纯水 Eleectrrontraappiingcennterr电子子俘获中中心ElecctroonVVoltt(eeV)电子伏伏 EElecctroostaaticc静电电的Elemmentt元素素/元件件/配件件 EElemmenttalsemmicoonduuctoor元元素半导

24、导体Elliipsee椭圆圆 EElliipsooid椭球Emittterr发射射极 Emiitteer-ccouppleddloogicc发射射极耦合合逻辑Emittterr-coouplledpaiir发发射极耦耦合对 Emmittterfolllowwer射随器器Empttybbandd空带带 EEmittterrcrrowddinggefffecct发发射极集集边（拥拥挤）效效应 Endduraanceeteest=liifetesst寿寿命测试试Enerrgystaate能态 Ennerggymmomeentuumddiaggramm能量量-动量量(E-K)图图Enhaanceeme

25、nntmmodee增强强型模式式 EEnhaanceemenntMMOS增强性性MOSSEnteeficc(低低)共溶溶的 Envviroonmeentaalttestt环境境测试Epittaxiial外延的的 EEpittaxiiallayyer外延层层Epittaxiialsliice外延片片 EExpiitaxxy外外延Equiivallenttcuurcuuit等效电电路 Equuiliibriiummajjoriity/miinorrityycaarriierss平衡衡多数/少数载载流子 ErrasaableePrrogrrammmablleRROM(EPPROMM)可搽搽取（编编程

26、）存存储器 Errrorrfuuncttionncoompllemeent余误差差函数 Ettch刻蚀Etcchannt刻刻蚀剂 Ettchiingmassk抗抗蚀剂掩掩模Exceesscarrrieer过过剩载流流子 Exccitaatiooneenerrgy激发能能Exciiteddsttatee激发发态 Exccitoon激激子Extrrapoolattionn外推推法 Exttrinnsicc非本本征的Extrrinssicsemmicoonduuctoor杂杂质半导导体Facee-cennterred面心立立方Fallltiime下降时时间 Fann-inn扇入入Fan-outt扇出

27、出 FFasttreecovveryy快恢恢复Fasttsuurfaacestaatess快界界面态 Feeedbbackk反馈馈Fermmilleveel费费米能级级 FFermmi-DDiraacDDisttribbutiion费米-狄拉克克分布Femiipootenntiaal费费米势 Fiickequuatiion菲克方方程（扩扩散）Fielldeeffeecttraansiistoor场场效应晶晶体管 Fiielddoxxidee场氧氧化层Fillledbannd满满带 Fillm薄薄膜Flasshmmemoory闪烁存存储器 Fllatbannd平平带Flattpaack扁平封封装

28、 Fliickeernnoisse闪闪烁（变变）噪声声Flipp-flloptoggglee触发发器翻转转 FFloaatinngggatee浮栅栅Fluooriddeeetchh氟化化氢刻蚀蚀 FForbbidddenbannd禁禁带Forwwarddbiias正向偏偏置 Forrwarrdbblocckinng/connducctinng正向向阻断/导通 Frrequuenccyddeviiatiionnoiise频频率漂移移噪声 Frrequuenccyrrespponsse频频率响应应Funcctioon函函数Harddeneedddeviice辐射加加固器件件Heattofffoor

29、maatioon形形成热 Heeatsinnk散散热器、热热沉Heavvy/llighhthholeebaand重/轻轻空穴穴带 Heaavysatturaatioon重重掺杂Helll-efffectt霍尔尔效应 Heeterrojuuncttionn异质质结Heteerojjuncctioonsstruuctuure异质结结结构 HeeterrojuuncttionnBiipollarTraansiistoor（HHBT）异异质结双双极型晶晶体 Higghffielldpproppertty高高场特性性 HHighh-peerfoormaanceeMOOS.(H-MOSS)高性性能MOOS

30、.Hormmaliizedd归一一化 Horrizoontaaleepittaxiialreaactoor卧卧式外延延反应器器Hotcarrrioor热热载流子子 HHybrridinttegrratiion混合集集成Imagge-foorcee镜象象力Impaactionnizaatioon碰碰撞电离离 IImpeedannce阻抗Impeerfeectstrructturee不完完整结构构 IImpllanttatiiondosse注注入剂量量Impllanttedionn注入入离子 Immpurrityy杂质质Impuurittysscattterringg杂志志散射 Inncreeme

31、nntallreesisstannce电阻增增量（微微分电阻阻）In-cconttacttmaask接触式式掩模 Inndiuumttinoxiide(ITTO)铟锡氧氧化物Induuceddchhannnel感应沟沟道 Inffrarred红外的的Injeectiion注入 Innputtofffseetvvolttagee输入入失调电电压Insuulattor绝缘体体 IInsuulattedGatteFFET(IGFFET)绝缘栅栅FETTInteegraateddinnjecctioonllogiic集成成注入逻逻辑 Inttegrratiion集成、积积分Inteercoonneec

32、tiion互连 Innterrconnnecctioonttimeedeelayy互连连延时Inteerdiigittateedsstruuctuure交互式式结构 Innterrfacce界界面Inteerfeerennce干涉 Innterrnattionnalsysstemmoffunnionns国际际单位制制Inteernaallyysccattteriing谷间散散射 Intterppolaatioon内内插法Inttrinnsicc本征征的 Inttrinnsiccseemiccondducttor本征半半导体Inveerseeopperaatioon反反向工作作 IInveers

33、iion反型Inveerteer倒倒相器 Ioon离离子Ionbeaam离离子束 Iooneetchhingg离子子刻蚀Ionimpplanntattionn离子子注入 Ioonizzatiion电离Ioniizattionnennerggy电电离能 Irrraddiattionn辐照照Isollatiionlannd隔隔离岛 Issotrropiic各各向同性性 JJuncctioonFFET(JFEET)结型场场效应管管Juncctiooniisollatiion结隔离离 JJuncctioonsspaccingg结间间距Juncctioonssidee-waall结侧壁壁Latcchuu

34、p闭闭锁Lateerall横向向的 Lattticce晶晶格Layoout版图 Laattiicebinndinng/ccelll/coonsttantt/deefecct/ddisttorttionn晶格格结合力力/晶胞胞/晶格格/晶格格常熟/晶格格缺陷/晶格畸畸变 Leaakaggeccurrrentt（泄泄）漏电电流Leveelsshifftinng电电平移动动 LLifeetiime寿命lineeariity线性度度 LLinkkedbonnd共共价键LiquuidNittroggen液氮 Liiquiidpphasseeepittaxiialgroowthhteechnniquue液

35、液相外延延生长技技术 Litthoggrapphy光刻LigghtEmiittiingDioode(LEDD)发发光二极极管 LoaadllineeorrVaariaablee负载载线LocaatinngaandWirringg布局局布线 Loongiituddinaal纵纵向的Logiicsswinng逻逻辑摆幅幅 LLoreentzz洛沦沦兹Lumppedmoddel集总模模型Majoorittyccarrrierr多数数载流子子Maskk掩膜膜板，光光刻板 Maasklevvel掩模序序号Maskkseet掩掩模组 Maass-aactiionlaww质量守守恒定律律Mastter-sl

36、aaveDfflipp-fllop主主从D触触发器 Maatchhingg匹配配Maxwwelll麦克克斯韦 Meeanfreeeppathh平均均自由程程Meannderredemiitteerjjuncctioon梳状状发射极极结 Meaanttimeebeeforreffailluree(MMTBFF)平平均工作作时间 Meegetto-reesisstannce磁阻Mesaa台面面 MMESFFET-MettalSemmicoonduuctoor金属属半导体体FETT MMetaalliizattionn金属属化Micrroellecttronnictecchniiquee微电电子技术

37、术 MMicrroellecttronnicss微电电子学Millleninddicees密密勒指数数 MMinoorittyccarrrierr少数数载流子子Misffit失配 Miismaatchhingg失配配Mobiileionns可可动离子子 MMobiilitty迁迁移率Moduule模块 Moodullatee调制制Moleecullarcryystaal分子子晶体 MoonollithhicIC单片IICMMOSFFET金金属氧化化物半导导体场效效应晶体体管 Moss.TTrannsisstorr(MOOST)MOOS.晶体管管Multtipllicaatioon倍倍增 Mod

38、dulaatorr调制制Multti-cchippICC多芯芯片ICC MMultti-cchippmoodulle(MMCM)多芯芯片模块块Mulltippliccatiioncoeeffiicieent倍倍增因子子Nakeedcchipp未封封装的芯芯片（裸裸片）Negaativveffeeddbacck负负反馈 Neegattiveereesisstannce负阻Nesttingg套刻刻 NNegaativve-ttempperaaturre-ccoeffficciennt负负温度系系数Noissemmarggin噪声容容限 Nonnequuiliibriium非平衡衡Nonrrolaa

39、tille非非挥发（易易失）性性 NNormmalllyooff/on常闭/开Numeericcalanaalyssis数值分分析Quallityyfaactoor品品质因子子Quanntizzatiion量子化化 QQuanntumm量子子Quanntummeffficcienncy量量子效应应 QQuanntummmeechaaniccs量量子力学学Quassi?Feermiileevell准费米米能级 Quuarttz石石英Radiiatiionconnducctivvityy辐射射电导率率Radiiatiiondammagee辐射射损伤 Raadiaatioonffluxxdeensi

40、ity辐射通通量密度度Radiiatiionharrdenningg辐射射加固 Raadiaatioonpprottecttionn辐射射保护Radiioacctivve-reecommbinnatiion辐辐照复合合 RRadiioacctivve放放射性Reacchtthrooughh穿通通 RReacctivvessputtterringgsoourcce反反应溅射射源Readddiiodee里德德二极管管 RRecoombiinattionn复合合Recooverryddiodde恢恢复二极极管 Recciprrocaalllattticee倒核核子Recooverryttimee恢复

41、复时间 Reectiifieer整整流器（管管）Recttifyyinggcoontaact整流接接触 Reffereencee基准准点基基准参参考点Refrracttiveeinndexx折射射率 Reggistter寄存器器Regiistrratiion对准 Reegullatee控制制调整整Relaaxattionnliifettimee驰豫豫时间 Reeliaabillityy可靠靠性Resoonannce谐振 Reesisstannce电阻Resiistoor电电阻器 Reesisstivvelyy电阻阻率Reguulattor稳压管管（器） Reelaxxatiion驰豫Resoo

42、nanntffreqquenncy共共射频率率 RRespponssettimee响应应时间Reveersee反向向的 Revverssebbiass反向向偏置Sampplinngccirccuitt取样样电路Sappphirre蓝蓝宝石（AAl2OO3） Saatelllittevvallley卫星谷谷Satuurattedcurrrenntrrangge电流流饱和区区 SSatuurattionnreegioon饱饱和区Satuurattionn饱和和的 Scaaledddoown按比例例缩小Scattterringg散射射 SSchoocklleydioode肖克莱莱二极管管Schoot

43、tkky肖肖特基 Scchotttkyybaarriier肖特基基势垒Schoottkkycconttactt肖特特基接触触 SSchrrodiingeen薛薛定厄Scriibinngggridd划片片格 Secconddaryyfllat次平面面 SSeeddcrrysttal籽晶Segrregaatioon分分凝 Sellecttiviity选择性性Selffallignned自对准准的 Sellfddifffusiion自扩散散Semiiconnducctorr半导导体 Semmicoonduuctoor-cconttrollleddreectiifieer可可控硅Senddsittiv

44、iity灵敏度度 SSeriial串行/串联Seriiesindducttancce串串联电感感 SSetttletimme建建立时间间Sheeetrresiistaancee薄层层电阻 Shhielld屏屏蔽Shorrtccirccuitt短路路 SShottnooisee散粒粒噪声Shunnt分分流 Siddewaallcappaciitannce边墙电电容Signnal信号 Siiliccagglasss石石英玻璃璃Siliiconn硅 Siilicconcarrbidde碳碳化硅Siliiconndiioxiide(SiiO2)二氧氧化硅 SiilicconNittridde(SSi3

45、NN4)氮化硅硅SiliiconnOnnInnsullatoor绝绝缘硅 Siilivverwhiiskeers银须Simpplecubbic简立方方 SSingglecryystaal单单晶Sinkk沉 Skkinefffectt趋肤肤效应Snapptiime急变时时间 Sneeakpatth潜潜行通路路Suleethrreshholdd亚阈阈的 Sollarbattterry/ccelll太阳阳能电池池Soliidccirccuitt固体体电路 SooliddSoolubbiliity固溶度度Sonbbandd子带带 SSourrce源极Sourrcefolllowwer源随器器 SSpa

46、cceccharrge空间电电荷Speccifiichheatt(PTT)热热 SSpeeed-ppoweerpprodductt速度度功耗乘乘积Spheericcal球面的的 SSpinn自旋旋Spliit分分裂 Spoontaaneoousemiissiion自发发发射Spreeadiingressisttancce扩展展电阻 Spputtter溅射Stacckinngffaullt层层错 Staaticcchharaacteerissticc静态态特性Stimmulaateddemmisssionn受激激发射 Sttimuulattedreccombbinaatioon受受激复合合Sto

47、rrageetiime存储时时间 Strresss应力力Straagglle偏偏差 Subblimmatiion升华Subsstraate衬底 Suubsttituutioonall替位位式的Supeerlaattiice超晶格格 SSuppply电源Surffacee表面面 SSurggeccapaacitty浪浪涌能力力Subsscriipt下标 Swwitcchinngttimee开关关时间Swittch开关Ultrraviioleet紫紫外的Unijjuncctioon单单结的 Unnipoolarr单极极的Unittceell原（元元）胞 Unnityy-gaainfreequeen

48、cyy单位位增益频频率Unillateerall-swwitcch单向向开关 Vaacanncy空位Vacuuum真空 Vaalennce(vallue)baand价带Valuuebbanddeddge价带顶顶 VValeenceeboond价键Vapoourphaase汽相 Vaaracctorr变容容管Variistoor变变阻器 Viibraatioon振振动Volttagee电压压 WWafeer晶晶片Waveeeqquattionn波动动方程 Waaveguiide波导Waveenuumbeer波波数 Wavve-ppartticlledduallityy波粒粒二相性性Wearr-ouut烧烧毁 Wirrerrouttingg布线线Workkfuuncttionn功函函数 Worrst-casseddeviice最坏情情况器件件 YYielld成成品率 Zeenerrbrreakkdowwn齐齐纳击穿穿 ZZoneemeeltiing区熔法法