《电力电子技术及试卷》

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1、红河学院2016-2017学年秋季学期电力电子技术课程期中考试试卷卷别: 考试单位:工学院 考试日期: 年 月 日题 号一二三四五六总分得 分得 分评卷人一、填空题(每小题2分,共30分)1、电力电子技术的诞生是以1957年美国通用公司研制出第一个 标志的。2、电力电子器件一般总是工作在 ,以减小本身的损耗,提高效率。3、全控型器件电路的主要控制方式为 。4、电力电子器件的损耗包括 、 和 。5、晶闸管的开通是靠在其双晶体管模型中形成强烈的 ,使两个晶体管进入完全饱和状态,从而使晶闸管导通。6、IGBT内部寄生着一个晶闸管,可能引发IGBT的栅极对集电极电流失去控制作用,导致集电极电流增大,造

2、成器件功耗过高而损坏,这种现象称为 。7、电力电子器件的驱动电路采用的隔离技术有 和 。8、晶闸管的缓冲电路一般采用 。9、可控整流电路采用的控制方式是 。10、单相桥式全控整流电路,带直流电动机负载工作时,会出现电流断续情况,将导致电动机的机械特性变软,为了克服这个缺点,一般在主电路中直流输出侧串联一个 。11、单相桥式半控整流电路,如果输出端不并联续流二极管,会出现 。12、可控整流电路中,交流侧n次谐波电流的有效值比基波电流的有效值等于 。得 分评卷人二、选择题(每小题2分,共18分)1、下列器件中,( )属于半控型器件。A、SR;B、SCR;C、GTO;D、MOSFET2、IGBT是一

3、种由( )组成的复合型器件;A、SCR和BJT;B、SCR和MOSFET;C、GTO和MOSFET;D、MOSFET和BJT;3、若晶闸管电流有效值是157A,且其阳极和阴极间电压为60sint V,则其额定电流和额定电压分别为( )。A、100A,60V;B、157A,60V;C、100A,30V;D、157A,30V;4、单相桥式全控整流电路,带阻感负载工作时,当=30时,晶闸管的导通角为( )。A、60;B、120;C、150;D、180;5、单相桥式全控整流电路,带阻感负载工作时,的移相范围是( )。A、090;B、0120;C、0150;D、0180;6、三相半波可控整流电路中,为了

4、避免3次谐波流入电网且获得零线,变压器的接法为( )。A、-;B、-;C、-;D、-;7、三相半波可控整流电路带电阻性负载工作时,晶闸管承受的最高正向电压和最高反向电压为( )。A、均为;B、 ;C、均为;D、;8、三相半波可控整流电路带阻感性负载工作时,输出电压的平均值为( )。A、;B、;C、;D、9、三相桥式可控整流电路工作在有源逆变状态时,逆变角的范围是( )。A、090;B、0120;C、0150;D、0180得 分评卷人三、判断题(每小题1分,共9分)1、电力电子技术可以看成是弱电控制强电的技术,是弱电控制强电的接口。( )2、MOSFET是一种电流控制型器件。( )3、电力晶体管

5、的集电极电压升高到某一数值时,会出现雪崩击穿现象,这会使管子永久损坏。( )4、智能功率模块IPM一般指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的封装集成,也称智能IGBT。( )5、电力电子器件的保护包括:过压保护、过流保护。( )6、晶闸管的串联是为了提高总体的耐压能力,而并联则是为承担较大的电流。( )7、单相半波可控整流电路结构简单,输出电压脉动大,不存在变压器铁心直流磁化问题。( )8、一般情况下,整流电路带阻感性负载时晶闸管的导通角比带电阻性负载时大,所以整流电路输出电压平均值也增大了。( )9、m脉波整流电路变压器二次侧电流所含谐波次数为mk次,而输出直流电压和电流所含谐波次数为m

6、k1次。( )得 分评卷人四、计算题(10分)单相桥式全控整流电路,带反电势阻感负载,R=1,L=,E=40V,当=60时求、与的值。得 分评卷人五、作图计算题(23分)三相桥式全控整流电路,带阻感性负载,R=10,L=,要求:(1)请作出=0、30、60、90时整流电路输出电压的波形,并作出=30时流过晶闸管VT1的电流波形和变压器二次侧a相电流的波形。(2)计算=30时、和(3)=30时,求晶闸管的额定电压和额定电流;(4)计算此电路在=0时的功率因素;得 分评卷人六、简答题(10分)1、可控整流电路产生逆变的条件是什么?为了防止逆变失败,最小逆变角应限制在什么范围?(5分)2、晶闸管在使用的过程中需要考虑哪些保护措施,晶闸管的触发信号有哪些?(5分)

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