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1、第二章、晶体结构缺陷1、缺陷的概念2、热缺陷（弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷）热缺陷是一种本征缺陷、高于0K就存在，热缺陷浓度的计算影响热缺陷浓度的因数：温度和热缺陷形成能（晶体结构）弗伦克尔缺陷肖特基缺陷3、杂质缺陷、固溶体4、非化学计量化合物结构缺陷（半导体）种类、形成条件、缺陷的计算等5、连续置换型固溶体的形成条件6、影响形成间隙型固溶体的因素7、组分缺陷（补偿缺陷）：不等价离子取代形成条件、特点（浓度取决于掺杂量和固溶度）缺陷浓度的计算、与热缺陷的比较幻灯片68、缺陷反应方程和固溶式杂质基质产生的各种缺陷CaCl 2 kc Ca k + % + Cl.CaCl 2 Ca k + Vk +2C
2、l9、固溶体的研究与计算写出缺陷反应方程f固溶式、算出晶胞的体积和重量f理论密度（间隙型、置换型）f和实测密度比较10、位错概念刃位错：滑移方向与位错线垂直，伯格斯矢量b与位错线垂直螺位错：滑移方向与位错线平行，伯格斯矢量b与位错线平行混合位错：滑移方向与位错线既不平行，又不垂直。幻灯片7第三章、非晶态固体1、熔体的结构：不同聚合程度的各种聚合物的混合物硅酸盐熔体的粘度与组成的关系2、非晶态物质的特点3、玻璃的通性4、Tg、Tf ,相对应的粘度和特点5、网络形成体、网络改变（变性）体、网络中间体玻璃形成的结晶化学观点：键强，键能6、玻璃形成的动力学条件（相变），3T图7、玻璃的结构学说（二种玻
3、璃结构学说的共同之处和不同之处）8、玻璃的结构参数Z可根据玻璃类型定，先计算R，再计算X、Y注意网络中间体在其中的作用。9、硅酸盐晶体与硅酸盐玻璃的区别10、硼的反常现象幻灯片8第四章、表面与界面1、表面能和表面张力，表面的特征2、润湿的概念、定义、计算；槽角、二面角的计算改善润湿的方法：去除表面吸附膜（提高固体表面能）、改变表面粗糙度、降低固液界面能3、表面粗糙度对润湿的影响4、吸附膜对润湿的影响5、弯曲表面的效应（开尔文公式的应用）6、界面的分类与特点7、多晶体组织8、粘土荷电的原因，阳离子交换序9、粘土与水的作用，电动电位及对泥浆性能的影响流动性，稳定性，悬浮性，触变性，可塑性10、瘠性
4、料的悬浮与塑化泥浆发生触变的原因，改善方法幻灯片9第五章、相平衡1、相律以及相图中的一些基本概念相、独立组分、自由度等2、水型物质相图的特点（固液界线的斜率为负）3、单元系统相图中可逆与不可逆多晶转变的特点4、SiO2相图中的多晶转变（重建型转变、位移型转变）5、一致熔化合物和不一致熔化合物的特点6、形成连续固溶体的二元相图的特点（没有二元无变量点）7、相图应用幻灯片108、界线、连线的概念，以及他们的关系9、等含量规则、等比例规则、背向规则、杠杆规则、连线规则、切 线规则、重心规则。10、独立析晶（非平衡析晶）11、三元相图析晶路径的分析判断化合物的性质划分副三角形标出界线上的温度走向和界线
5、的性质确定无变量点的性质分析具体的析晶路程 幻灯片11第六章、固体中的扩散1、固体中扩散的特点2、菲克定律（宏观现象）菲克第一定律：稳态扩散菲克第二定律：不稳态扩散3、扩散系数是一个什么样的参数（物理意义）4、扩散推动力（化学位梯度）5、扩散系数的一般热力学关系6、质点的扩散方式（五种、其中空位最常见，所需能量最小）7、本征扩散、非本征扩散，及其相应的扩散系数D产生本征扩散与非本征扩散的原因，分析、计算DT关系，斜率8、短路扩散幻灯片12第七章、固相反应1、固相反应的定义、泰曼温度2、固相反应的热力学特征固相反应的热力学计算热力学势函数法（e函数法）3、固相反应的转化率4、固相反应的一般动力学
6、关系（反应的总阻力=各个分阻力之和）5、固相反应的特点（化学反应动力学范围、扩散动力学范围）6、杨德尔方程 GV0.37、金斯特林格方程GV0.88、几个固相反应动力学方程的比较9、影响固相反应的条件幻灯片13第八章、相变1、相变的概念与特征2、相变的分类：马氏体相变、有序一无序相变3、相变的热力学特征：一级相变、二级相变4、相变的热力学驱动力：相变过程中的亚稳态5、固态相变动力学6、晶核的形成条件、临界晶核rk。（要有AT）7、均匀成核、非均匀成核8、胚核生长（晶体生长）速率9、晶粒粗化速率10、相变动力学速率形式理论：成核与晶体生长相比，需要更大的AT11、过冷度AT与成核速率、与晶体生长
7、速率的关系12、成核生长与失稳分解：分相现象、分相的概念及两种分相机制的 异同幻灯片14第九章、材料的烧结1、烧结的概念、定义2、烧成与烧结、烧结与固相反应3、烧结的推动力（过剩的表面能G）4、烧结的模型（烧结初期的动力学关系、颈部增长率与烧结收缩率之间的关系）5、固态烧结的类型、特点，与温度、时间、粒径的关系蒸发-凝聚传质过程的特点（L/L=0）6、液态烧结的类型、特点，与温度、时间、粒径的关系7、液相烧结与固相烧结的异同点烧结温度对传质过程的影响8、晶粒生长与二次再结晶的概念（烧结中后期）9、烧结后期气孔的排除9、晶粒生长的计算公式：D2-Do2=kt，加入晶界移动控制剂后的变化10、晶粒生长与二次再结晶的区别11、造成二次再结晶的原因以及防止方法
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