乐山靶材项目招商引资方案【模板范本】

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1、泓域咨询/乐山靶材项目招商引资方案乐山靶材项目招商引资方案xx（集团）有限公司目录第一章 绪论8一、 项目概述8二、 项目提出的理由9三、 项目总投资及资金构成10四、 资金筹措方案11五、 项目预期经济效益规划目标11六、 项目建设进度规划11七、 环境影响11八、 报告编制依据和原则12九、 研究范围13十、 研究结论14十一、 主要经济指标一览表14主要经济指标一览表14第二章 项目背景、必要性16一、 掩膜版16二、 靶材19三、 半导体材料21四、 坚持扩大内需全面开放，融入新发展格局23第三章 行业、市场分析27一、 硅片27二、 陶瓷基板32第四章 产品方案分析35一、 建设规模

2、及主要建设内容35二、 产品规划方案及生产纲领35产品规划方案一览表35第五章 选址方案38一、 项目选址原则38二、 建设区基本情况38三、 深化生态文明建设39四、 坚持深化改革创新驱动，催生新发展动能40五、 项目选址综合评价42第六章 SWOT分析说明43一、 优势分析（S）43二、 劣势分析（W）44三、 机会分析（O）45四、 威胁分析（T）46第七章 法人治理结构54一、 股东权利及义务54二、 董事59三、 高级管理人员64四、 监事66第八章 工艺技术及设备选型68一、 企业技术研发分析68二、 项目技术工艺分析71三、 质量管理72四、 设备选型方案73主要设备购置一览表7

3、4第九章 组织架构分析75一、 人力资源配置75劳动定员一览表75二、 员工技能培训75第十章 项目节能方案77一、 项目节能概述77二、 能源消费种类和数量分析78能耗分析一览表78三、 项目节能措施79四、 节能综合评价79第十一章 原辅材料及成品分析81一、 项目建设期原辅材料供应情况81二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理81第十二章 劳动安全生产82一、 编制依据82二、 防范措施84三、 预期效果评价88第十三章 项目投资分析90一、 编制说明90二、 建设投资90建筑工程投资一览表91主要设备购置一览表92建设投资估算表93三、 建设期利息94建设期利息估算表94固定资产投资估

4、算表95四、 流动资金96流动资金估算表96五、 项目总投资97总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金筹措一览表99第十四章 项目经济效益100一、 基本假设及基础参数选取100二、 经济评价财务测算100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表102利润及利润分配表104三、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表106四、 财务生存能力分析107五、 偿债能力分析107借款还本付息计划表109六、 经济评价结论109第十五章 风险分析110一、 项目风险分析110二、 项目风险对策112第十六章 总结114第十七章 补充表格115主要经济

5、指标一览表115建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表122利润及利润分配表123项目投资现金流量表124借款还本付息计划表125本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 绪论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：乐山靶材项目2、承办单位名称：xx（集团

6、）有限公司3、项目性质：扩建4、项目建设地点：xx5、项目联系人：林xx（二）主办单位基本情况展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提

7、升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx，占地面积约75.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx吨靶材/年。二、 项目提出的理由硅片制备好之后，再经过

8、一列热处理、光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP、测试等环节，便可成功制得硅晶圆，具体分为几部分：1）晶圆：制作半导体集成电路的核心原料板；2）Die：晶圆上有很多小方块，每一个正方形是一个集成电路芯片；3）划线：这些芯片之间实际上有间隙，这个间距叫做划线，划线的目的是在晶圆加工后将每个芯片切割出来并组装成一个芯片；4）平区：引入平区是为了识别晶圆结构，并作为晶圆加工的参考线。由于晶圆片的结构太小，肉眼无法看到，所以晶圆片的方向就是根据这个平面区域来确定的；5）切口：带有切口的晶圆最近已经取代了平面区域，因为切口晶圆比平区晶圆效率更高，可以生产更多的芯片。统筹推进“五位一体”总体布局，协调推进“

9、四个全面”战略布局，坚定不移贯彻新发展理念，坚持稳中求进工作总基调，深入实施省委“一干多支、五区协同”“四向拓展、全域开放”战略部署，坚持“旅游兴市、产业强市”不动摇、“干在实处、走在前列”不停步，着力释放新发展势能、融入新发展格局、催生新发展动能、彰显新发展底色、筑牢新发展基石，推进治理体系和治理能力现代化，实现经济行稳致远、社会安定和谐，为全面建设社会主义现代化乐山开好局、起好步。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资36437.30万元，其中：建设投资29674.77万元，占项目总投资的81.44%；建设期利息337.41

10、万元，占项目总投资的0.93%；流动资金6425.12万元，占项目总投资的17.63%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资36437.30万元，根据资金筹措方案，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）22665.51万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额13771.79万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：63200.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：50417.30万元。3、项目达产年净利润（NP）：9349.78万元。4、财务内部收益率（FIRR）：19.41%。5、全部投资回收期（Pt）：5

11、.74年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：23791.39万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响本项目工艺清洁，将生产工艺与污染治理措施有机的结合在一起，污染物排放量较少，且实施污染物排放全过程控制。“三废”处理措施完善，工程实施后废水、废气、噪声达标排放，污染物得到妥善处理，对周围的生态环境无不良影响。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划，部门与地区规划，经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等；2、经过批准的项目建

12、议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等；3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料；4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等；5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定；6、相关市场调研报告等。（二）编制原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消

13、耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化

14、，提高企业在国内外的知名度。九、 研究范围按照项目建设公司的发展规划，依据有关规定，就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出研究结论。十、 研究结论本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标

15、一览表序号项目单位指标备注1占地面积50000.00约75.00亩1.1总建筑面积95464.831.2基底面积32000.001.3投资强度万元/亩370.532总投资万元36437.302.1建设投资万元29674.772.1.1工程费用万元25022.312.1.2其他费用万元3903.892.1.3预备费万元748.572.2建设期利息万元337.412.3流动资金万元6425.123资金筹措万元36437.303.1自筹资金万元22665.513.2银行贷款万元13771.794营业收入万元63200.00正常运营年份5总成本费用万元50417.306利润总额万元12466.377净

16、利润万元9349.788所得税万元3116.599增值税万元2636.1410税金及附加万元316.3311纳税总额万元6069.0612工业增加值万元20682.7913盈亏平衡点万元23791.39产值14回收期年5.7415内部收益率19.41%所得税后16财务净现值万元16155.32所得税后第二章 项目背景、必要性一、 掩膜版掩膜版（Photomask），又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是下游产品制造过程中图形“底片”转移用的高精密工具，是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体。光掩模是用于集成电路制造工序的重要器件，通过制作光掩膜底板、绘图、显影、蚀刻以及去除光致抗蚀剂

17、等步骤，便成功制成掩膜版。在透明玻璃板表面的遮光膜上蚀刻加工了非常微细的电路图案，成为对硅晶圆复刻电路时的原版，在光刻过程中，紫外线透过掩膜版，掩膜版上的图案在经过透镜缩小之后投射到硅晶圆上，便形成了微细图案。掩膜版主要由基板和遮光膜组成，其中基板又分为树脂基板、玻璃基板，玻璃基板按照材质可分为石英玻璃基板、苏打玻璃基板等，石英玻璃性能稳定、热膨胀率低，主要用于高精度掩膜版制作。遮光膜分为硬质遮光膜和乳胶，硬质遮光膜又分为铬、硅、氧化铁、氧化铝。掩膜版从诞生之初至今，已经发展到第五代产品，分别经历了手工刻红膜、菲林版、干版、氧化铁、苏打和石英版，前四代产品有的已经被淘汰，有的仍在部分行业小范围

18、使用，第五代苏打和石英掩膜版自20世纪70年代出现后，目前应用范围最广。虽然现阶段无掩膜技术能满足一些精度要求相对较低的行业（如PCB板）中图形转移的需求，但因为其生产效率低下，所以对图形转移精度以及生产效率要求高的行业，仍然需要使用掩膜版，被快速迭代的风险低。掩膜版产业链上游包括掩膜基板、光学膜、化学试剂和包装盒等辅助材料，中游为掩膜版制作，下游包括半导体（IC制造、IC封测、器件、LED芯片）、平板显示、触控和PCB等，终端应用包括消费电子、家用电器、汽车电子、物联网、医疗电子、工控等。按用途分，光掩膜版可分为铬版（chrome）、干版、液体凸版和菲林。其中，铬版由于精度高，耐用性好，被广

19、泛用于IC、平板显示、PCB等行业；干版、液体凸版和菲林则主要被用于中低精度的LCD行业、PCB及IC载板等行业。从下游应用来看，IC和平板显示占比最大，其中半导体占据60%，LCD占比23%，OLED占比5%，PCB占比2%。受益下游平板显示和半导体需求增长拉动，全球掩膜版市场规模稳步提升。根据Omdia数据，2016年全球平板显示掩膜版市场规模约为671亿日元，2019年增长至1010亿日元，CAGR为14.6%，2020年受益疫情影响下滑至903亿日元，随着市场逐渐复苏，预计2022年将达到1026亿日元。根据SEMI数据，2017全球半导体掩膜版市场规模为37.5亿美元，2021年增长

20、至46.5亿美元，预计2022年将达到49.0亿美元。在工艺制程上，先进制程的半导体掩膜版占比也越来越高。根据SEMI数据，45nm及以下制程2017年占比仅为13%，到2018年则提升至31%，45nm及以下制程占比稳步提升。而整体来看，130nm制程占比54%，仍然是目前主流制程；28-90nm制程占比33%，展望未来，先进制程掩膜版占比有望持续提升。总体来说，中国掩膜版厂商产品整体偏中低端，按经营模式可分为3类：第一类是科研院所，包括中科院半导体所、微电子所、中电科13/55/47所等；第二类是独立的掩膜版制造厂商，主要有清溢光电、路维光电、中国台湾光罩等；第三类是晶圆厂自己配套生产掩膜

21、版，主要有中芯国际、华润微（迪思微）等。展望未来，掩膜版发展趋势主要有3个方向：1）精度趋向精细化：平板显示领域，显示屏的显示精度将从450PPI（PixelPerInch，每英寸像素）逐步提高到650PPI以上，对平板显示掩膜版的半导体层、光刻分辨率、最小过孔、CD均匀性、套合精度、缺陷大小、洁净度均提出了更高的技术要求。半导体领域，摩尔定律了继续有效，将朝着4nm及以下继续突破，这对与之配套的晶圆制造以及芯片封装掩膜版提出了更高要求，工艺制程要求将越来越高，先进制程占比有望越来越大。未来掩膜版产品的精度将日趋精细化；2）尺寸趋向大型化：随着电视尺寸趋向大型化，带动面板基板逐步趋向大型化，直

22、接决定了掩膜版产品尺寸趋向大型化；3）掩膜版厂商向上游产业链延伸：掩膜版的主要原材料为掩膜版基板，为了降低原材料采购成本，控制终端产品质量，掩膜版厂商已经开始陆续向上游产业链延伸，HOYA、LG-IT等部分企业已经具备了研磨/抛光、镀铬、光阻涂布等掩膜版全产业链的生产能力，路维光电和清溢光电则在光阻涂布方面实现了突破。未来掩膜版行业内具有一定实力的企业，将逐步向上游产业链拓展。二、 靶材PVD技术是制备薄膜材料的主要技术之一，指在真空条件下采用物理方法，将某种物质表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基板材料表面沉积具有某种特殊功能的薄膜材料的技术。PV

23、D技术已成为目前主流镀膜方法，主要包括溅射镀膜和真空蒸发镀膜。用于制备薄膜材料的物质，统称为PVD镀膜材料。溅射镀膜是指利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基板材料表面的技术。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜材料的原材料，称为溅射靶材。溅射靶材主要由靶坯、背板（或背管）等部分构成，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分。溅射镀膜工艺可重复性好、膜厚可控制，可在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜，所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点，已成为制备薄膜

24、材料的主要技术之一，各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用，溅射靶材是目前市场应用量最大的PVD镀膜材料。真空蒸发镀膜是指在真空条件下，利用膜材加热装置（称为蒸发源）的热能，通过加热蒸发某种物质使其沉积在基板材料表面的一种沉积技术。被蒸发的物质是用真空蒸发镀膜法沉积薄膜材料的原材料，称之为蒸镀材料。真空蒸发镀膜技术具有简单便利、操作方便、成膜速度快等特点，主要应用于小尺寸基板材料的镀膜。以金属靶材为例，高纯溅射靶材产业链上游为金属提纯，包括原材料和生产设备，其中高纯金属原材料生产成本可占到靶材生产成本的大约80%，国外厂商包括斯塔克、住友化学、霍尼韦尔、大阪钛业等，中国厂商包括东方钽业、宁波创

25、润、紫金矿业等；生产设备包括靶材冷轧系统、等离子喷涂设备、热处理炉等30多种。中游为高纯溅射靶材制备，国外厂商主要有日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯等，中国厂商主要有江丰电子、有研新材（有研亿金）、阿石创等。在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专用性强、精密度高，市场长期被美国、日本公司垄断，主要厂商包括美国AMAT（应用材料）、日本ULVAC（爱发科）、日本ANELVA、美国Varian（瓦里安）等。下游应用主要包括半导体（占比20%）、平板显示（占比30%）、太阳能电池（占比18%）等，主要厂商有台积电、联电、SK海力士、中芯国际、华虹半导体、三星电子、LGD

26、isplay、京东方、华星光电、SunPower（太阳能源）、天合光能等。三、 半导体材料半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料。按照工艺的不同，可分为晶圆制造材料和封装材料。其中，晶圆制造材料主要包括硅片、特种气体、掩膜版、光刻胶、光刻胶配套材料、（通用）湿电子化学品、靶材、CMP抛光材料等。封装材料主要有封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。按照代际，可分为第一代、第二代和第三代。1）第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。主要用于制造集成电路，并广泛应用于手机、电脑、平板、可穿戴、电视、航空航天以及新能源车、光

27、伏等产业。2）第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。3）第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg2.3eV）半导体材料

28、。主要应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等。相比于第一代、第二代半导体材料，第三代半导体材料禁带宽度更宽，击穿电场更高、热导率更高、电子饱和速率更高、抗辐射能力更强，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料，也称为高温半导体材料。整体而言，全球半导体依然以硅材料为主，目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作。在半导体产业链中，半导体材料位于制造环节上游，和半导体设备一起构成了制造环节的核心上游供应链，不同于其他行业材料，半导体材料是电子级材料，对精度纯度等都有更为严格的要求，因此，芯片能否成功流片，对工艺制备过程中半导体材

29、料的选取及合理使用尤为关键。晶圆制造材料中，硅片为晶圆制造基底材料；光刻胶用于图形转移；电子特气用于氧化、还原、除杂；抛光材料用于实现平坦化。封装材料中，封装基板与引线框架起到保护芯片、支撑芯片、连接芯片与PCB的作用，封装基板还具有散热功能；键合丝则用于连接芯片和引线框架。根据SEMI数据，2020年全球晶圆制造材料中，硅片占比最高，为35%；电子气体排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻胶占比6%；光刻胶配套材料占比8%；湿电子化学品占比7%；CMP抛光材料占比6%；靶材占比2%。2019年全球封装材料中，封装基板占比最高，为48%；引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯

30、片粘接材料分列第2-6名，占比分别为15%、15%、10%、6%和3%。四、 坚持扩大内需全面开放，融入新发展格局构建综合立体交通网络。实施交通强市战略，打造“一廊一心四通道”，推动乐山由陆路交通时代向立体交通时代跨越。建设“空中走廊”，建成乐山机场及市中区通用航空机场，加快建设峨眉山等3个通用航空基地，把乐山机场打造为成渝地区国际旅游机场。建设“航运中心”，加快推进岷江港航电综合开发，协同畅通成渝黄金水道岷江段，推动“乐山港”加快升级打造为“成都港”。拓展“四向通道”，织密北向，以建设成乐高速扩容、天眉乐高速、天府大道南延线等为重点，畅通成乐一体化大动脉；深化南向，以建设成昆铁路扩能改造工程

31、、成贵铁路动车存车场、乐西高速等为重点，融入西部陆海新通道；突出东向，以建设连乐铁路、雅眉乐自城际铁路、乐安铜高速等为重点，融入长江经济带发展；拓展西向，以建设峨汉高速、乐荥高速等为重点，加强与川西北、川藏走廊的交通联系。构建现代城镇体系。按照“一主一副四星多点”布局，构建以主城为引擎、市域副中心为支撑、“卫星”城市为补充、县域副中心和中心镇为基础的城镇体系，加快推进以人为核心的新型城镇化。抓好主城建设，推动市中区按照“减容、增绿、控高、修复”原则加快旧城有机更新，加快推进城市交通缓堵保畅，基本建成苏稽文体新城，打造区域性消费中心、金融中心；推动峨眉山市创建全国县域经济百强县，打造世界重要旅游

32、目的地示范区；推动乐山国家高新区扩区升格，基本建成总部经济、创新高地、现代新城；推动五通桥区基本建成“中国绿色硅谷”，争创国家级开发区、省级新区；推动沙湾区拥河发展，加快省级开发区扩容提质，基本建成工旅融合发展示范区；推动夹江县、井研县建成成乐一体化发展先行示范区。抓好市域副中心建设，推动犍为县争创国家级开发区，建成乐山经济发展新的增长极。抓好“卫星”城市建设，以增强人口承载能力、壮大县域经济、接续乡村振兴为重点，提升马边、沐川、峨边、金口河四个“卫星”城市发展能级，争创“绿水青山就是金山银山”实践创新基地，推动具备条件的县撤县设区（市）。抓好县域副中心和中心镇建设，推动公共服务扩面提标、人居

33、环境改善提级、产业培育质量提升，促进农业转移人口就地就近市民化。全面推进乡村振兴。按照“一巩固五振兴”思路，建设农业强、农村美、农民富的新乡村。巩固脱贫成果，健全防止返贫监测和帮扶机制，建立农村低收入人口和欠发达地区的帮扶机制，实现巩固拓展脱贫攻坚成果同乡村振兴有效衔接。狠抓产业振兴，着力丰富乡村经济业态，壮大新型经营主体，建立农业产权交易体系，做强农村集体经济，农村居民人均可支配收入增幅高于城镇居民。狠抓人才振兴，着力加强农业职业经理人、新型职业农民、乡村规划师、新乡贤队伍建设，打造一支“永久牌”乡村人才队伍。狠抓文化振兴，着力实施乡村优秀文化遗产保护与传承工程，留住“乡村记忆”。狠抓生态振

34、兴，着力开展新一轮农村人居环境整治和农村基础设施建设提升行动，“美丽四川宜居乡村”达标村占比80%以上。狠抓组织振兴，着力实施“头雁提升”行动，深入开展软弱涣散村党组织整顿，建强基层战斗堡垒。拓展投资空间。围绕交通水利、新区建设、新型基础设施建设、主导产业、民生等重点领域，实施“三大千亿投资计划”，发挥好投资拉动内需的关键作用。实施千亿基础设施提升计划，聚焦“两新一重”领域，加快推进岷江港航电综合开发等重大项目，力争“十四五”基础设施投资规模达2000亿元以上。实施千亿产业提质增效计划，聚焦产业延链补链强链，力争“十四五”产业投资规模达3000亿元以上。实施千亿民生补短计划，聚焦提升人民生活品

35、质，加强普惠性、基础性、兜底性民生建设，力争“十四五”民生投资规模达2000亿元以上。提高对外开放水平。突出建口岸、办会展、强合作、拓路径，努力变内陆腹地为开放前沿，加快建设对外开放高地。建设开放口岸，建立完善立体口岸体系，建成保税物流中心（B型），力争升级为综合保税区。办好国际会展，提高茶博会、药博会、陶博会品牌影响力，推动四川国际旅游交易博览会升级为中国西部文旅博览会。强化区域合作，深化拓展东西部协作，大力推进“五联三融”工程，加快推动成乐一体化发展，规划建设一批飞地园区和协作园区，打造承接产业转移带动彝区脱贫振兴示范区，争创东西部协作示范市。拓宽开放路径，深化与区域全面经济伙伴关系协定（

36、RCEP）成员国、“一带一路”沿线国家和地区、国际友好城市（景区）交流合作，全力引进一批“553”企业、技术龙头企业和配套生产型服务项目，加大外资引进力度，提升开放型经济发展水平。第三章 行业、市场分析一、 硅片硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，便生长出具有特定电性功

37、能的单晶硅锭。单晶硅的制备方法通常有直拉法（CZ）和区熔法（FZ），直拉法硅片主要用在逻辑、存储芯片中，市占率约95%，区熔法硅片主要用在部分功率芯片中，市占率约4%。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，掺杂的硼（P）、磷（B）等杂质元素浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭制备好后，再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻、包装后，便成为硅片。根据纯度不同，分为半导体硅片和光伏硅片，半导体硅片要求硅含量为9N（99.9999999%）-11N（99.999999999%），而光伏用硅片一般在4N-6N之间即可，下游应用主要包括消费电子、通信、汽车、航

38、空航天、医疗、太阳能等领域。硅片制备好之后，再经过一列热处理、光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP、测试等环节，便可成功制得硅晶圆，具体分为几部分：1）晶圆：制作半导体集成电路的核心原料板；2）Die：晶圆上有很多小方块，每一个正方形是一个集成电路芯片；3）划线：这些芯片之间实际上有间隙，这个间距叫做划线，划线的目的是在晶圆加工后将每个芯片切割出来并组装成一个芯片；4）平区：引入平区是为了识别晶圆结构，并作为晶圆加工的参考线。由于晶圆片的结构太小，肉眼无法看到，所以晶圆片的方向就是根据这个平面区域来确定的；5）切口：带有切口的晶圆最近已经取代了平面区域，因为切口晶圆比平区晶圆效率更高，可以生产更

39、多的芯片。半导体硅片通常可以按照尺寸、工艺两种方式进行分类。按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、125mm（5英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。自1960年生产出23mm的硅片之后，硅片尺寸就越来越大，到2002年已经可以量产300mm（12英寸）硅片，厚度则达到了历史新高775m。当硅片尺寸越大，单个硅片上的芯片数量就越多，从而能够提高生产效率、降低生产成本。300mm硅片是200mm硅片面积的2.25倍，生产芯片数量方面，根据Silic

40、onCrystalStructureandGrowth数据，以1.5cm1.5cm的芯片为例，300mm硅片芯片数量232颗，200mm硅片芯片数量88颗，300mm硅片是200mm硅片芯片数量的2.64倍。根据应用领域的不同，越先进的工艺制程往往使用更大尺寸的硅片生产。因此，在摩尔定律的驱动下，工艺制程越先进，生产用的半导体硅片尺寸就越大。目前全球半导体硅片以12英寸为主，根据SEMI数据，2020年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。未来随着新增12英寸晶圆厂不断投产，未来较长的时间内，12英寸仍将是半导体硅片的主流品种，小尺寸硅片将逐渐被淘汰，但是8英寸短

41、期仍不会被12英寸替代。目前量产硅片止步300mm，而450mm硅片迟迟未商用量产，主要原因是制备450mm硅片需要大幅增加设备及制造成本，但是SEMI曾预测每个450mm晶圆厂单位面积芯片成本只下降8%，此时晶圆尺寸不再是降低成本的主要途径，因此厂商难以有动力投入450mm量产。全球8英寸和12英寸硅片下游应用侧重有所不同，根据SUMCO数据，2020年8英寸半导体硅片下游应用中，汽车/工业/智能手机分列前3名，占比分别为33%/27%/19%；2020年12英寸半导体硅片下游应用中，智能手机/服务器/PC或平板分列前3名，占比分别为32%/24%/20%。按照制造工艺分类，半导体硅片分为抛

42、光片、外延片以及SOI硅片。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后，便得到抛光片。抛光片本身可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，此外也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过CVD的方式在抛光面上生长一层或多层掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。因此外延片是抛光片经过外延生长形成的，外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能够改善沟道漏电现象，提高IC可靠性，被广泛应用于制作通用处理器芯片、图形处理器芯片。如果生长一层高电阻率的外延层，还可以提高器件的击穿电压，用于制作二极管、IGBT等功率器件，广泛应

43、用于汽车电子、工业用电子领域。SOI是绝缘层上硅，核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层，能够实现全介质隔离，大幅减少了硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片是抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成的，特点是寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强，因此适用于制造耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等，尤以射频应用最为广泛。SOI硅片价格高于一般硅片4至5倍，主要应用中，5G射频前端（RF-SOI）占比60%，Power-SOI和PD-SO

44、I各占20%。市场规模方面，根据SEMI数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模在经历了2015-2016年低谷之后，开始稳步上升，到2021年已达到126.2亿美元。受益于中国大陆晶圆厂扩产的拉动，中国大陆半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模2012年为5亿美元，2017开始迅速增长，2021年已达到为16.6亿美元。出货面积方面，根据SEMI数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）2012年出货面积为90亿平方英寸，2020年为122.6亿平方英寸，2021年为141.7亿平方英寸。单位面积硅片价格2009年为1美元/平方英寸，2016年下降到0.68美元/平方英寸，2021年回暖至0

45、.99美元/平方英寸。SOI硅片方面，由于应用场景规模较小，整体行业规模小于抛光片和外延片，根据SEMI及ResearchandMarkets数据，2013年全球市场规模为4亿美元，2021年为13.7亿美元，预计到2025年将达到22亿美元。中国大陆SOI硅片市场规模2016年为0.02亿美元，2018年增长至0.11亿美元。根据Soitec数据，随着通信技术从3G向4G、5G升级过程中，单部智能手机SOI硅片需求面积亦随之增加，3G时为2mm2，4GLTE-A为20mm2，5Gsub-6GHz为52mm2，5Gsub-6GHz&mmW为130mm2。在射频前端模组领域，在4G/5G（sub

46、-6G）中，RF-SOI用于低噪声放大器、开关以及天线调谐器等，FD-SOI用于追踪器；在毫米波中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器、开关以及移相器，FD-SOI可用于移相器、SoC等；而在WiFi和UWB中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器以及开关，FD-SOI用于移相器、SoC等。产能方面，根据ICInsights数据，2018年全球半导体硅片2.23亿片，2020年增长至2.6亿片，保持稳步增长态势。在目前芯片供不应求的背景下，晶圆厂扩产将进一步推升硅片产能。2020年全球硅片主要厂商中，前7大厂商合计占比94.5%，其中日本信越化学占比27.5%，排名第1；日本胜高占比21.5%，

47、排名第2；中国台湾环球晶圆占比14.8%，排名第3；德国世创占比11.5%，排名第4；韩国SKSiltron占比11.3%，排名第5；法国Soitec占比5.7%，排名第6；中国大陆厂商沪硅产业占比2.2%，排名第7，也是唯一进入全球前7的中国大陆厂商。二、 陶瓷基板随着功率电子产品技术进步，散热问题已成为制约其向着大功率与轻型化方向发展的瓶颈。陶瓷基板作为新兴的散热材料，具有优良电绝缘性能，高导热特性，导热性与绝缘性都优于金属基板，更适合功率电子产品封装，已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料，广泛应用于LED、汽车电子、航天航空及军用电子组件、激光等工业电子领域。对于陶瓷基板

48、，需要通过其实现电气连接，因此金属化对陶瓷基板的制作而言是至关重要的一环，根据制备工艺及金属化方法不同，现阶段常见的陶瓷基板种类共有HTCC、LTCC、DPC、DBC和AMB等。HTCC（HighTemperatureCo-firedCeramic，高温共烧陶瓷）：属于较早发展的技术，是采用陶瓷与高熔点的W、Mo等金属图案进行共烧获得的多层陶瓷基板。但由于烧结温度较高使其电极材料的选择受限，且制作成本相对昂，促使了LTCC的发展；LTCC（LowTemperatureCo-firedCeramic，低温共烧陶瓷）：LTCC技术共烧温度降至约850，通过将多个印有金属图案的陶瓷膜片堆叠共烧，实现

49、电路在三维空间布线；DPC（DirectPlatingCopper，直接镀铜）：是在陶瓷薄膜工艺加工基础上发展起来的陶瓷电路加工工艺。以陶瓷作为线路的基板，采用溅镀工艺于基板表面复合金属层，并以电镀和光刻工艺形成电路；DBC（DirectBondedCopper，直接覆铜）：通过热熔式粘合法，在高温下将铜箔直接烧结到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成复合基板；AMB（ActiveMetalBrazing，活性金属钎焊）：AMB是在DBC技术的基础上发展而来的，在800左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合。与传统产品相比，AMB

50、陶瓷基板是靠陶瓷与活性金属焊膏在高温下进行化学反应来实现结合，因此其结合强度更高，可靠性更好，极适用于连接器或对电流承载大、散热要求高的场景。常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化铍(BeO)、氮化硼（BN）等。Al2O3和AlN综合性能较好，分别在低端和高端陶瓷基板市场占据主流，而Si3N4基板由于综合性能突出，在高功率、大温变电力电子器件(如IGBT)封装领域发挥重要作用。从目前市场综合价格和产品性能来看，Al2O3和AlN是最常见的两种基板。虽然AlN的价格是Al2O3的4倍左右，但由于其高导热性和更好的散热性能，AlN是目前最常用

51、的基板，其次是Al2O3。第四章 产品方案分析一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积50000.00（折合约75.00亩），预计场区规划总建筑面积95464.83。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx（集团）有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx吨靶材，预计年营业收入63200.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参

52、考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1靶材吨xx2靶材吨xx3靶材吨xx4.吨5.吨6.吨合计xx63200.00按照代际，可分为第一代、第二代和第三代。1）第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。主要用于制造集成电路，并广泛应用于手机、电脑、平板、可穿戴、电视、航空航天以及新能源车、光伏等产业。2）第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-

53、Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。3）第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg2.3eV）半导体材料。主要应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等。相比于第一代、第二代半导体材料，第三代半导体材料禁带宽度更宽，击穿电场更高、热导率更高、电子饱和速率更高、抗辐射能力更

54、强，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料，也称为高温半导体材料。整体而言，全球半导体依然以硅材料为主，目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作。第五章 选址方案一、 项目选址原则1、符合城乡规划和相关标准规范的原则。2、符合产业政策、环境保护、耕地保护和可持续发展的原则。3、有利于产业发展、城乡功能完善和城乡空间资源合理配置与利用的原则。4、保障公共利益、改善人居环境的原则。5、保证城乡公共安全和项目建设安全的原则。6、经济效益、社会效益、环境效益相互协调的原则。二、 建设区基本情况乐山，四川省辖地级市，古称嘉州，有“海棠香国”的

55、美誉。位于四川省中部，四川盆地的西南部，地势西南高，东北低，属中亚热带气候带。乐山是四川省重要工业城市、成都经济区南部区域中心城市、重要枢纽城市、成渝城市群重要交通节点和港口城市。成昆铁路、成贵高铁贯穿全境。乐山三江汇合。大渡河，青衣江在乐山大佛脚下汇入岷江。乐山是国家历史文化名城，国家首批对外开放城市、全国绿化模范城市、中国优秀旅游城市、国家园林城市、全国卫生城市。乐山有世界级遗产三处世界自然与文化遗产峨眉山和乐山大佛、世界灌溉工程遗产东风堰，国家4A级景区以上景区15处，国家A级景区35处。截至2018年底，乐山市辖4区6县，代管1个县级市；总面积12720.03平方公里。根据第七次人口普

56、查数据，截至2020年11月1日零时，乐山市常住人口为3160168人。2020年乐山市地区生产总值2003.43亿元。2019年7月，被评为国家知识产权试点城市。2020年10月20日，入选全国双拥模范城（县）名单。到二三五年，与全国、全省同步基本实现社会主义现代化。经济实力大幅跃升，建成现代产业体系，总体实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，经济总量和城乡居民人均可支配收入迈上新的大台阶。发展动能实现转换，科技创新成为经济增长的主要动力。基本建成法治政府、法治社会，基本实现治理体系和治理能力现代化。对外开放新优势明显增强，社会文明程度不断加深，基本公共服务实现均等化，人民生活更加美好

57、，人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展，全面建成开放富强的活力乐山、山清水秀的美丽乐山、现代精致的品质乐山、平安幸福的和谐乐山。三、 深化生态文明建设着力完善“四大体系”，走出一条导向清晰、决策科学、执行有力、激励有效、多元参与、良性互动的生态文明建设道路。完善生态文化体系，推进环保教育进学校、进家庭、进社区、进工厂、进机关，倡导简约适度、绿色低碳的生活方式，引领全社会形成尊重自然、顺应自然、保护自然的社会主义生态文明观。完善生态经济体系，落实生态保护补偿机制，大力发展节能环保、清洁能源等产业，持续探索形成“绿水青山就是金山银山”转化机制，推动产业生态化、生态产业化。完善生态

58、责任体系，严格落实生态环境保护党政同责、一岗双责，制定生态环境保护责任清单，常态化办好“环保曝光台”，基本建成政府主导、企业主体、社会参与的现代环境治理体系。完善生态安全体系，构建生态环境风险防范体系，把生态环境风险纳入常态化管理，严防重特大环境事件发生。四、 坚持深化改革创新驱动，催生新发展动能深化重点领域改革。以“四大改革”为牵引，持续增强发展动力。深化要素市场化改革，建立全域存量用地、低效用地盘活激励机制，探索宅基地所有权、资格权、使用权分置实现形式，探索建立技术交易中心和大数据交易市场，做大多晶硅及光伏等重点产业基金规模，进一步扩大电力市场化交易，充分释放发展活力。深化国资国企改革，全

59、面落实经营性国有资产集中统一监管，规范国有企业投融资管理，扩大直接融资规模，提升资产证券化水平，完善现代企业制度，推动国有平台公司向产业化集团转型，培育省级重点骨干企业、上市企业各2户以上。深化市、区体制改革，科学界定市、区两级职能、权限与责任，建立规范市和区、市和县重大项目共担共建共享机制，确保责权利相统一、人财物相匹配。做好峨眉山市县级市改革和县域集成改革试点，创新文旅融合发展示范、三次产业深度融合等机制，形成一批可复制、可推广的改革经验。落实创新驱动发展战略。强化企业创新主体地位，改善科技创新生态，搭建“四大平台”，争创省级创新型城市。搭建区域创新平台，以乐山国家高新区为载体，打造乐山绿

60、色科技园区，融入西部科学城“一城多园”建设。搭建企业创新平台，实施高新技术企业和科技型中小微企业培育工程，建设西部硅材料光伏新能源产业技术研究院，争创国家级硅材料产业技术创新中心。搭建技术成果转移转化平台，建设国家技术转移西南中心乐山分中心等科技成果转移转化平台，争创省级科技成果转移转化示范区。搭建创新服务平台，完善金融支持创新体系，加强专业化孵化载体建设和服务，构建全方位、全链条、高质量的科技创新服务体系。持续优化营商环境。紧紧围绕企业和群众“办事不求人、全程服务有保障”目标，以“放管服”改革为统揽，打造稳定公平透明、可预期的一流营商环境。深化简政放权，全面落实政府权责清单、市场准入负面清单

61、、涉企经营许可事项清单、证明事项清单等制度，推进行政审批制度改革走在全省前列，确保“放”出活力和创造力。坚持放管结合，加快社会信用体系建设，健全新型监管体系，认真落实公平竞争审查制度，全面加强事中事后监管，提高监管执法规范性和透明度，确保“管”出公平和质量。全面优化服务，做靓“乐易办”政务服务品牌，全面推行一门办、就近办、代帮办等“九办”服务，健全营商环境评价机制，确保“服”出便利和实惠。五、 项目选址综合评价项目选址所处位置交通便利、地势平坦、地理位置优越，有利于项目生产所需原料、辅助材料和成品的运输。通讯便捷，水资源丰富，能源供应充裕。项目选址周围没有自然保护区、风景名胜区、生活饮用水水源

62、地等环境敏感目标，自然环境条件良好。拟建工程地势开阔，有利于大气污染物的扩散，区域大气环境质量良好。项目选址具备良好的原料供应、供水、供电条件，生产、生活用水全部由项目建设地提供，完全可以保障供应。第六章 SWOT分析说明一、 优势分析（S）（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益

63、捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全