保定半导体技术推广项目建议书【模板范文】

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1、泓域咨询/保定半导体技术推广项目建议书目录第一章 项目基本情况7一、 项目名称及项目单位7二、 项目建设地点7三、 可行性研究范围7四、 编制依据和技术原则8五、 建设背景、规模9六、 项目建设进度10七、 环境影响10八、 建设投资估算10九、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表11十、 主要结论及建议13第二章 项目建设背景、必要性14一、 半导体材料14二、 靶材16三、 全面推动创新发展，着力提升核心竞争力18四、 实施扩大内需战略，积极融入新发展格局20五、 项目实施的必要性23第三章 行业发展分析24一、 硅片24二、 封装材料29三、 掩膜版32第四章 选址方案分析36一

2、、 项目选址原则36二、 建设区基本情况36三、 深入推进协同发展38四、 项目选址综合评价39第五章 建筑工程可行性分析41一、 项目工程设计总体要求41二、 建设方案42三、 建筑工程建设指标43建筑工程投资一览表43第六章 发展规划45一、 公司发展规划45二、 保障措施49第七章 SWOT分析说明52一、 优势分析（S）52二、 劣势分析（W）54三、 机会分析（O）54四、 威胁分析（T）56第八章 运营模式64一、 公司经营宗旨64二、 公司的目标、主要职责64三、 各部门职责及权限65四、 财务会计制度68第九章 原辅材料及成品分析74一、 项目建设期原辅材料供应情况74二、 项

3、目运营期原辅材料供应及质量管理74第十章 环境保护方案76一、 编制依据76二、 环境影响合理性分析76三、 建设期大气环境影响分析77四、 建设期水环境影响分析80五、 建设期固体废弃物环境影响分析81六、 建设期声环境影响分析81七、 环境管理分析82八、 结论及建议83第十一章 进度规划方案85一、 项目进度安排85项目实施进度计划一览表85二、 项目实施保障措施86第十二章 组织机构及人力资源配置87一、 人力资源配置87劳动定员一览表87二、 员工技能培训87第十三章 劳动安全评价89一、 编制依据89二、 防范措施91三、 预期效果评价95第十四章 项目投资计划97一、 投资估算的

4、依据和说明97二、 建设投资估算98建设投资估算表100三、 建设期利息100建设期利息估算表100四、 流动资金101流动资金估算表102五、 总投资103总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表104第十五章 项目经济效益106一、 经济评价财务测算106营业收入、税金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估算表109利润及利润分配表110二、 项目盈利能力分析111项目投资现金流量表113三、 偿债能力分析114借款还本付息计划表115第十六章 风险防范117一、 项目风险分析117二

5、、 项目风险对策119第十七章 项目综合评价122第十八章 附表附录124营业收入、税金及附加和增值税估算表124综合总成本费用估算表124固定资产折旧费估算表125无形资产和其他资产摊销估算表126利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表129建设投资估算表129建设投资估算表130建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。

6、第一章 项目基本情况一、 项目名称及项目单位项目名称：保定半导体技术推广项目项目单位：xxx（集团）有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约85.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、中华人民共和国国民经

7、济和社会发展“十三五”规划纲要；2、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；3、工业可行性研究编制手册；4、现代财务会计；5、工业投资项目评价与决策；6、国家及地方有关政策、法规、规划；7、项目建设地总体规划及控制性详规；8、项目建设单位提供的有关材料及相关数据；9、国家公布的相关设备及施工标准。（二）技术原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备

8、选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。五、 建设背景、规模（一）项目背景根据Soitec数据，随着通信技术从3G向4G、5G升级过程中，单部智能手机SOI硅片需求面积亦随之增加，3G时为2mm2，4GLTE-A为20mm2，5Gsub-6GHz为52mm2，5Gsub-6GHz&mmW为130mm2。在射频前端模组领域，在4G/5G（sub-6G）中，RF-SOI用于低噪声放大器、开关以及天线调谐器等，FD-SOI用于追踪器；在毫米

9、波中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器、开关以及移相器，FD-SOI可用于移相器、SoC等；而在WiFi和UWB中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器以及开关，FD-SOI用于移相器、SoC等。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积56667.00（折合约85.00亩），预计场区规划总建筑面积94061.68。其中：生产工程63879.59，仓储工程11220.07，行政办公及生活服务设施8421.39，公共工程10540.63。项目建成后，形成年产xxx平方米半导体技术推广的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx（集团）有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月

10、，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响该项目投入运营后产生废气、废水、噪声和固体废物等污染物，对周围环境空气的影响较小。各类污染物均得到了有效的处理和处置。该项目的生产工艺、产品、污染物产生、治理及排放情况符合国家关于清洁生产的要求，所采取的污染防治措施从经济及技术上可行。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资34373.91万元，其中：建设投资28719.70万元，占项目总投资的83.55%；建设期利息341.30万元，占项目总投资的0.

11、99%；流动资金5312.91万元，占项目总投资的15.46%。（二）建设投资构成本期项目建设投资28719.70万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用24993.79万元，工程建设其他费用3070.13万元，预备费655.78万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入58300.00万元，综合总成本费用46903.25万元，纳税总额5610.37万元，净利润8319.58万元，财务内部收益率18.36%，财务净现值11514.19万元，全部投资回收期5.83年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备

12、注1占地面积56667.00约85.00亩1.1总建筑面积94061.681.2基底面积31166.851.3投资强度万元/亩328.692总投资万元34373.912.1建设投资万元28719.702.1.1工程费用万元24993.792.1.2其他费用万元3070.132.1.3预备费万元655.782.2建设期利息万元341.302.3流动资金万元5312.913资金筹措万元34373.913.1自筹资金万元20443.493.2银行贷款万元13930.424营业收入万元58300.00正常运营年份5总成本费用万元46903.256利润总额万元11092.777净利润万元8319.588

13、所得税万元2773.199增值税万元2533.2010税金及附加万元303.9811纳税总额万元5610.3712工业增加值万元19445.4113盈亏平衡点万元25030.47产值14回收期年5.8315内部收益率18.36%所得税后16财务净现值万元11514.19所得税后十、 主要结论及建议该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。第二章 项目建设背景、必要性一、 半导体材料半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料。按照工艺的不同，可分为晶圆制造材料和封装材料。其中，晶圆制造材料

14、主要包括硅片、特种气体、掩膜版、光刻胶、光刻胶配套材料、（通用）湿电子化学品、靶材、CMP抛光材料等。封装材料主要有封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。按照代际，可分为第一代、第二代和第三代。1）第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。主要用于制造集成电路，并广泛应用于手机、电脑、平板、可穿戴、电视、航空航天以及新能源车、光伏等产业。2）第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导

15、体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。3）第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg2.3eV）半导体材料。主要应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等。相比于第一代、第二代半导体材料，第三代半导体材料禁带宽度更宽，击穿电场更高、热导率更高、电子饱和速率更高、抗辐射能力更强，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件

16、，通常又被称为宽禁带半导体材料，也称为高温半导体材料。整体而言，全球半导体依然以硅材料为主，目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作。在半导体产业链中，半导体材料位于制造环节上游，和半导体设备一起构成了制造环节的核心上游供应链，不同于其他行业材料，半导体材料是电子级材料，对精度纯度等都有更为严格的要求，因此，芯片能否成功流片，对工艺制备过程中半导体材料的选取及合理使用尤为关键。晶圆制造材料中，硅片为晶圆制造基底材料；光刻胶用于图形转移；电子特气用于氧化、还原、除杂；抛光材料用于实现平坦化。封装材料中，封装基板与引线框架起到保护芯片、支撑芯片、连接芯片与PCB的作用，封装

17、基板还具有散热功能；键合丝则用于连接芯片和引线框架。根据SEMI数据，2020年全球晶圆制造材料中，硅片占比最高，为35%；电子气体排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻胶占比6%；光刻胶配套材料占比8%；湿电子化学品占比7%；CMP抛光材料占比6%；靶材占比2%。2019年全球封装材料中，封装基板占比最高，为48%；引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6名，占比分别为15%、15%、10%、6%和3%。二、 靶材PVD技术是制备薄膜材料的主要技术之一，指在真空条件下采用物理方法，将某种物质表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离

18、子体）过程，在基板材料表面沉积具有某种特殊功能的薄膜材料的技术。PVD技术已成为目前主流镀膜方法，主要包括溅射镀膜和真空蒸发镀膜。用于制备薄膜材料的物质，统称为PVD镀膜材料。溅射镀膜是指利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基板材料表面的技术。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜材料的原材料，称为溅射靶材。溅射靶材主要由靶坯、背板（或背管）等部分构成，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分。溅射镀膜工艺可重复性好、膜厚可控制，可在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜，所制备的

19、薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点，已成为制备薄膜材料的主要技术之一，各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用，溅射靶材是目前市场应用量最大的PVD镀膜材料。真空蒸发镀膜是指在真空条件下，利用膜材加热装置（称为蒸发源）的热能，通过加热蒸发某种物质使其沉积在基板材料表面的一种沉积技术。被蒸发的物质是用真空蒸发镀膜法沉积薄膜材料的原材料，称之为蒸镀材料。真空蒸发镀膜技术具有简单便利、操作方便、成膜速度快等特点，主要应用于小尺寸基板材料的镀膜。以金属靶材为例，高纯溅射靶材产业链上游为金属提纯，包括原材料和生产设备，其中高纯金属原材料生产成本可占到靶材生产成本的大约80%，国外厂商包括

20、斯塔克、住友化学、霍尼韦尔、大阪钛业等，中国厂商包括东方钽业、宁波创润、紫金矿业等；生产设备包括靶材冷轧系统、等离子喷涂设备、热处理炉等30多种。中游为高纯溅射靶材制备，国外厂商主要有日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯等，中国厂商主要有江丰电子、有研新材（有研亿金）、阿石创等。在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专用性强、精密度高，市场长期被美国、日本公司垄断，主要厂商包括美国AMAT（应用材料）、日本ULVAC（爱发科）、日本ANELVA、美国Varian（瓦里安）等。下游应用主要包括半导体（占比20%）、平板显示（占比30%）、太阳能电池（占比18%）等，主要厂

21、商有台积电、联电、SK海力士、中芯国际、华虹半导体、三星电子、LGDisplay、京东方、华星光电、SunPower（太阳能源）、天合光能等。三、 全面推动创新发展，着力提升核心竞争力坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，大力实施创新驱动发展战略，加强创新资源对接联动，强化平台载体建设，优化创新生态环境，建设“创新保定”和“人才保定”，打造“创新驱动发展高地”。（一）增强人才汇聚能力加快建设更有竞争力的人才制度体系，全面提升人才公共服务能级。落实“人才十条”等引才激励政策，实施青年英才集聚系列行动，重视“高精尖缺”人才的引进，采取多种方式，给予特殊政策，满足企业需要。进一步发挥院士工作站、博士

22、后工作站的作用，推广院士周末工作坊、周末工程师等柔性引进人才的做法，吸引更多人才为保定创新服务。打造具有国际竞争力的“类海外”工作生活环境，使外籍人才引得来、留得住、用得好。实施新时代工匠培育工程，推动企业和职业院校共同培养高水平工程师和高技能人才，着力打造现代职业教育体系建设示范区。（二）加强创新资源优化利用推动国家创新驱动发展示范市、石保廊全面创新改革试验区和京南科技成果转移转化示范区建设，加快创新型城市创建步伐。加强与国内外高校和科研院所的联系，着眼我市主导产业，实施一批发展急需的重大科技项目，抢占发展制高点。重视发挥我市“大学城”优势，深化校地合作、校企合作，推进产教深度融合，促进科技

23、成果就地转移转化。强化企业创新主体地位，完善鼓励企业创新政策，支持本地企业建立完善的研发组织体系，促进各类创新要素向企业集聚，支持企业牵头组建创新联合体。强化龙头企业科技引领作用，大力发展高新技术企业和科技型中小企业。建设一流的高科技园区，探索县域创新发展新路径，加快培育更多“专精特新”企业，促进初创型成长性科创企业发展。持续提高研发投入，加大产业基金、天使基金等金融资源对科技创新的支持力度。（三）大力推动协同创新用好北京、天津等高端创新资源，规划建设一批高水平中试基地，共建一批重点科技园区。与中科协一起办好创新驱动论坛，全力推动国家创新驱动发展示范市建设。推动京雄保技术市场一体化，共建科技成

24、果转化项目库，完善配套政策及利益共享机制，推动形成“北京研发、保定转化，雄安创新、保定先行”新格局。（四）高起点打造创新平台载体吸引知名科技企业在保设立研发总部和设计中心，吸引著名高校来我市建设重点实验室、工程技术创新中心、大学科技园等创新平台，加强对我市重点行业共性技术、前沿技术的研发与供给。把华北电力大学创新平台、中国农大涿州国家重大科技设施、深保科技园、深圳湾等园区建成科技创新的中心，增强创新资源汇聚能力。推动保定中关村创新中心按照“一区多园”模式加快发展，提升创新带动能力。（五）培育良好创新生态实施创新生态提升工程，优化“产学研用金、才政介美云”十联动创新生态，推进科技体制改革，促进科

25、技政策与产业、财政、金融等政策有机衔接。改进科技项目组织管理模式，实行“揭榜挂帅”等制度，扩大科研自主权，提高科技产出效率。继续推动高水平、专业化众创空间建设，推动创新、创业、创意、创投、创客“五创联动”。弘扬科学精神，营造崇尚创新、宽容失败的社会氛围。四、 实施扩大内需战略，积极融入新发展格局立足扩大内需这个国家战略基点，把实施扩大内需战略同深化供给侧结构性改革有机结合起来，同时推动需求侧改革，打通生产、分配、流通、消费各个环节，形成需求牵引供给、供给创造需求的良性循环，积极构建新发展格局。（一）在国内国际双循环中争取主动在畅通国内大循环中发挥节点作用，打通研发设计、生产加工、分配流通、市场

26、消费等各个环节的断点堵点。进一步深化供给侧结构性改革，通过技术创新、工艺革新等向社会提供高质量供给，以高质量高性价比的产品和服务适配国内市场。发挥我市产业优势，积极开拓国内市场，尤其是大力开拓京津市场，通过政企联动、产销对接，提高产品在京津市场占有率。实施内外销产品“同线同标同质”工程，推动内需和外需、进口和出口、引进外资和对外投资协调发展。（二）加强投资和消费拉动发挥投资对优化供给结构的关键作用，大力推进强基础、增功能、利长远的重大项目建设，加快“两新一重”建设。以政府投资撬动社会投资，激发民间投资活力，加快补齐城乡基础设施、市政公用设施、省级经开区和农业农村、生态环保、公共卫生、文化服务、

27、物资储备等领域短板，扩大重大科创平台、战略性新兴产业、现代化产业链投资，推动企业设备更新和技术改造。增强消费对经济发展的基础性作用，有效提升传统消费、培育新型消费、适当增加公共消费，合理引导居民消费升级，积极培育教育、文旅、康养、休闲等消费新模式新业态，大力倡导消费向绿色、健康、安全方向转变。实施数字生活新服务行动，推进线上线下消费深度融合和“互联网+”消费生态形成。落实和完善带薪休假制度，扩大节假日消费。建设多层次消费平台，建设高品质步行街，培育新零售标杆城市，发展夜经济。提升乡村消费，激发农民消费活力，提升农产品进城和工业品下乡双向流通效率。深入实施放心消费行动，全方位优化消费环境。（三）

28、全面加强基础设施建设把交通设施建设摆在突出位置，构建以轨道交通、高速公路、国省干线公路为骨干的多节点、网格化、全覆盖的一体化现代综合交通体系，完成雄忻高铁、京雄商高铁、石雄城际保定段和京雄高速、荣乌新线高速保定段，以及R1线轻轨延伸到保定东站等工程建设，共建“轨道上的京雄保”，启动清（苑）魏（县）高速保定段建设。积极谋划城市地铁、郊县轻轨、张保沧铁路建设。强化能源设施建设，加快建设电力、天然气、光电等能源输配网络，加快实施深能保定京南热电联产项目、深能保定西北郊热电二期项目、易县抽水蓄能电站项目等能源项目。加强水利设施建设，以防洪抗旱减灾体系、水资源配置高效利用体系和水生态文明体系建设为重点，

29、提高水安全供应和保障能力。加快第五代移动通信、人工智能、工业互联网、物联网、大数据等新型基础设施建设，推动传统基础设施数字化改造。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结

30、构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第三章 行业发展分析一、 硅片硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；

31、超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，便生长出具有特定电性功能的单晶硅锭。单晶硅的制备方法通常有直拉法（CZ）和区熔法（FZ），直拉法硅片主要用在逻辑、存储芯片中，市占率约95%，区熔法硅片主要用在部分功率芯片中，市占率约4%。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，掺杂的硼（P）、磷（B）等杂质元素浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭制备好后，再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻、包装后，便成为硅片。根据纯度不同，分为半导体硅片和光伏硅片，半导体硅片要求硅含量为9N（99.9999

32、999%）-11N（99.999999999%），而光伏用硅片一般在4N-6N之间即可，下游应用主要包括消费电子、通信、汽车、航空航天、医疗、太阳能等领域。硅片制备好之后，再经过一列热处理、光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP、测试等环节，便可成功制得硅晶圆，具体分为几部分：1）晶圆：制作半导体集成电路的核心原料板；2）Die：晶圆上有很多小方块，每一个正方形是一个集成电路芯片；3）划线：这些芯片之间实际上有间隙，这个间距叫做划线，划线的目的是在晶圆加工后将每个芯片切割出来并组装成一个芯片；4）平区：引入平区是为了识别晶圆结构，并作为晶圆加工的参考线。由于晶圆片的结构太小，肉眼无法看到，所以晶圆

33、片的方向就是根据这个平面区域来确定的；5）切口：带有切口的晶圆最近已经取代了平面区域，因为切口晶圆比平区晶圆效率更高，可以生产更多的芯片。半导体硅片通常可以按照尺寸、工艺两种方式进行分类。按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、125mm（5英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。自1960年生产出23mm的硅片之后，硅片尺寸就越来越大，到2002年已经可以量产300mm（12英寸）硅片，厚度则达到了历史新高775m。当硅片尺寸越大，单个硅片上的芯片

34、数量就越多，从而能够提高生产效率、降低生产成本。300mm硅片是200mm硅片面积的2.25倍，生产芯片数量方面，根据SiliconCrystalStructureandGrowth数据，以1.5cm1.5cm的芯片为例，300mm硅片芯片数量232颗，200mm硅片芯片数量88颗，300mm硅片是200mm硅片芯片数量的2.64倍。根据应用领域的不同，越先进的工艺制程往往使用更大尺寸的硅片生产。因此，在摩尔定律的驱动下，工艺制程越先进，生产用的半导体硅片尺寸就越大。目前全球半导体硅片以12英寸为主，根据SEMI数据，2020年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%

35、。未来随着新增12英寸晶圆厂不断投产，未来较长的时间内，12英寸仍将是半导体硅片的主流品种，小尺寸硅片将逐渐被淘汰，但是8英寸短期仍不会被12英寸替代。目前量产硅片止步300mm，而450mm硅片迟迟未商用量产，主要原因是制备450mm硅片需要大幅增加设备及制造成本，但是SEMI曾预测每个450mm晶圆厂单位面积芯片成本只下降8%，此时晶圆尺寸不再是降低成本的主要途径，因此厂商难以有动力投入450mm量产。全球8英寸和12英寸硅片下游应用侧重有所不同，根据SUMCO数据，2020年8英寸半导体硅片下游应用中，汽车/工业/智能手机分列前3名，占比分别为33%/27%/19%；2020年12英寸半

36、导体硅片下游应用中，智能手机/服务器/PC或平板分列前3名，占比分别为32%/24%/20%。按照制造工艺分类，半导体硅片分为抛光片、外延片以及SOI硅片。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后，便得到抛光片。抛光片本身可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，此外也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过CVD的方式在抛光面上生长一层或多层掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。因此外延片是抛光片经过外延生长形成的，外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能够改善沟道漏电现象，提高IC可靠性，被广泛应用于制作通

37、用处理器芯片、图形处理器芯片。如果生长一层高电阻率的外延层，还可以提高器件的击穿电压，用于制作二极管、IGBT等功率器件，广泛应用于汽车电子、工业用电子领域。SOI是绝缘层上硅，核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层，能够实现全介质隔离，大幅减少了硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片是抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成的，特点是寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强，因此适用于制造耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等，尤以射频应用

38、最为广泛。SOI硅片价格高于一般硅片4至5倍，主要应用中，5G射频前端（RF-SOI）占比60%，Power-SOI和PD-SOI各占20%。市场规模方面，根据SEMI数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模在经历了2015-2016年低谷之后，开始稳步上升，到2021年已达到126.2亿美元。受益于中国大陆晶圆厂扩产的拉动，中国大陆半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模2012年为5亿美元，2017开始迅速增长，2021年已达到为16.6亿美元。出货面积方面，根据SEMI数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）2012年出货面积为90亿平方英寸，2020年为122.6亿平方英寸，2021年

39、为141.7亿平方英寸。单位面积硅片价格2009年为1美元/平方英寸，2016年下降到0.68美元/平方英寸，2021年回暖至0.99美元/平方英寸。SOI硅片方面，由于应用场景规模较小，整体行业规模小于抛光片和外延片，根据SEMI及ResearchandMarkets数据，2013年全球市场规模为4亿美元，2021年为13.7亿美元，预计到2025年将达到22亿美元。中国大陆SOI硅片市场规模2016年为0.02亿美元，2018年增长至0.11亿美元。根据Soitec数据，随着通信技术从3G向4G、5G升级过程中，单部智能手机SOI硅片需求面积亦随之增加，3G时为2mm2，4GLTE-A为2

40、0mm2，5Gsub-6GHz为52mm2，5Gsub-6GHz&mmW为130mm2。在射频前端模组领域，在4G/5G（sub-6G）中，RF-SOI用于低噪声放大器、开关以及天线调谐器等，FD-SOI用于追踪器；在毫米波中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器、开关以及移相器，FD-SOI可用于移相器、SoC等；而在WiFi和UWB中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器以及开关，FD-SOI用于移相器、SoC等。产能方面，根据ICInsights数据，2018年全球半导体硅片2.23亿片，2020年增长至2.6亿片，保持稳步增长态势。在目前芯片供不应求的背景下，晶圆厂扩产将进一步推升硅片产能

41、。2020年全球硅片主要厂商中，前7大厂商合计占比94.5%，其中日本信越化学占比27.5%，排名第1；日本胜高占比21.5%，排名第2；中国台湾环球晶圆占比14.8%，排名第3；德国世创占比11.5%，排名第4；韩国SKSiltron占比11.3%，排名第5；法国Soitec占比5.7%，排名第6；中国大陆厂商沪硅产业占比2.2%，排名第7，也是唯一进入全球前7的中国大陆厂商。二、 封装材料芯片封装工艺流程包括来料检查、贴膜、磨片、贴片、划片、划片检测、装片、键合、塑封、打标、切筋打弯、品质检验，最终是产品出货。在这一过程中，就需要用到封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、粘接材料

42、等封装材料，这些材料是芯片完成封装出货的重要支撑。传统的IC封装采用引线框架作为IC导通线路与支撑IC的载体，连接引脚于导线框架的两旁或四周，如四侧引脚扁平封装（QuadFlatPackage，简称QFP）、方形扁平无引脚封装（QuadFlatNo-leads，简称QFN）等。随着技术发展，IC的线宽不断缩小，集成度稳步提高，IC封装逐步向着超多引脚、窄节距、超小型化方向发展。20世纪90年代中期，一种以球栅阵列封装（BallGridArray，简称BGA）、芯片尺寸封装（ChipScalePackage，简称CSP）为代表的新型IC高密度封装形式问世，从而产生了一种新的封装载体封装基板。在高

43、阶封装领域，封装基板已取代传统引线框架，成为芯片封装中不可或缺的一部分，不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB母板之间提供电子连接，起着“承上启下”的作用；甚至可埋入无源、有源器件以实现一定系统功能。封装基板在HDI板的基础上发展而来，是适应电子封装技术快速发展而向高端技术的延伸，作为一种高端的PCB，封装基板具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特点。根据Prismark数据，2021年全球PCB行业产值为804.49亿美元，同比增长23.4%，预计2021-2026年全球PCB行业的复合增长率为4.8%。下游应用中，通讯占比32%，计算机占比24%，消费电子占比15%

44、，汽车电子占比10%，服务器占比10%。从产品结构来看，IC封装基板和HDI板虽然占比不高，分别占比17.6%和14.7%，但却是主要的增长驱动因素。2021年全球IC封装基板行业整体规模达141.98亿美元、同比增长39.4%，已超过柔性板成为印制电路板行业中增速最快的细分子行业。2021年中国IC封装基板（含外资厂商在国内工厂）市场规模为23.17亿美元、同比增长56.4%，仍维持快速增长的发展态势。预计2026年全球IC封装基板、HDI板的市场规模将分别达到214.35/150.12亿美元，2021-2026年的CAGR分别为8.6%/4.9%。预计2026年中国市场IC封装基板（含外资

45、厂商在国内工厂）市场规模将达到40.19亿美元，2021-2026年CAGR为11.6%，高于行业平均水平。封装基板与传统PCB的不同之处在于两大核心壁垒：加工难度高、投资门槛高。从产品层数、厚度、线宽与线距、最小环宽等维度看，封装基板未来发展将逐步精密化与微小化，而且单位尺寸小于150*150mm，是更高端的PCB，其中线宽/线距是产品的核心差异，封装基板的最小线宽/线距范围在10130m，远远小于普通多层硬板PCB的501000m。目前全球封装基板厂商主要分布在日本、韩国和中国台湾，根据Prismark和集微咨询数据，2020年封装基板市场格局较为分散，中国台湾厂商欣兴电子/南亚电路/景硕

46、科技/日月光材料占比分别为15%/9%/9%/4%，产品主要有WB和FC封装基板；日本厂商揖斐电/新光电气/京瓷占比分别为11%/8%/5%，产品主要为FC封装基板；韩国厂商三星电机/信泰电子/大德电子占比分别为10%/7%/5%，产品主要为FC封装基板。三、 掩膜版掩膜版（Photomask），又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是下游产品制造过程中图形“底片”转移用的高精密工具，是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体。光掩模是用于集成电路制造工序的重要器件，通过制作光掩膜底板、绘图、显影、蚀刻以及去除光致抗蚀剂等步骤，便成功制成掩膜版。在透明玻璃板表面的遮光膜上蚀刻加工了非常微细

47、的电路图案，成为对硅晶圆复刻电路时的原版，在光刻过程中，紫外线透过掩膜版，掩膜版上的图案在经过透镜缩小之后投射到硅晶圆上，便形成了微细图案。掩膜版主要由基板和遮光膜组成，其中基板又分为树脂基板、玻璃基板，玻璃基板按照材质可分为石英玻璃基板、苏打玻璃基板等，石英玻璃性能稳定、热膨胀率低，主要用于高精度掩膜版制作。遮光膜分为硬质遮光膜和乳胶，硬质遮光膜又分为铬、硅、氧化铁、氧化铝。掩膜版从诞生之初至今，已经发展到第五代产品，分别经历了手工刻红膜、菲林版、干版、氧化铁、苏打和石英版，前四代产品有的已经被淘汰，有的仍在部分行业小范围使用，第五代苏打和石英掩膜版自20世纪70年代出现后，目前应用范围最广

48、。虽然现阶段无掩膜技术能满足一些精度要求相对较低的行业（如PCB板）中图形转移的需求，但因为其生产效率低下，所以对图形转移精度以及生产效率要求高的行业，仍然需要使用掩膜版，被快速迭代的风险低。掩膜版产业链上游包括掩膜基板、光学膜、化学试剂和包装盒等辅助材料，中游为掩膜版制作，下游包括半导体（IC制造、IC封测、器件、LED芯片）、平板显示、触控和PCB等，终端应用包括消费电子、家用电器、汽车电子、物联网、医疗电子、工控等。按用途分，光掩膜版可分为铬版（chrome）、干版、液体凸版和菲林。其中，铬版由于精度高，耐用性好，被广泛用于IC、平板显示、PCB等行业；干版、液体凸版和菲林则主要被用于中

49、低精度的LCD行业、PCB及IC载板等行业。从下游应用来看，IC和平板显示占比最大，其中半导体占据60%，LCD占比23%，OLED占比5%，PCB占比2%。受益下游平板显示和半导体需求增长拉动，全球掩膜版市场规模稳步提升。根据Omdia数据，2016年全球平板显示掩膜版市场规模约为671亿日元，2019年增长至1010亿日元，CAGR为14.6%，2020年受益疫情影响下滑至903亿日元，随着市场逐渐复苏，预计2022年将达到1026亿日元。根据SEMI数据，2017全球半导体掩膜版市场规模为37.5亿美元，2021年增长至46.5亿美元，预计2022年将达到49.0亿美元。在工艺制程上，先

50、进制程的半导体掩膜版占比也越来越高。根据SEMI数据，45nm及以下制程2017年占比仅为13%，到2018年则提升至31%，45nm及以下制程占比稳步提升。而整体来看，130nm制程占比54%，仍然是目前主流制程；28-90nm制程占比33%，展望未来，先进制程掩膜版占比有望持续提升。总体来说，中国掩膜版厂商产品整体偏中低端，按经营模式可分为3类：第一类是科研院所，包括中科院半导体所、微电子所、中电科13/55/47所等；第二类是独立的掩膜版制造厂商，主要有清溢光电、路维光电、中国台湾光罩等；第三类是晶圆厂自己配套生产掩膜版，主要有中芯国际、华润微（迪思微）等。展望未来，掩膜版发展趋势主要有

51、3个方向：1）精度趋向精细化：平板显示领域，显示屏的显示精度将从450PPI（PixelPerInch，每英寸像素）逐步提高到650PPI以上，对平板显示掩膜版的半导体层、光刻分辨率、最小过孔、CD均匀性、套合精度、缺陷大小、洁净度均提出了更高的技术要求。半导体领域，摩尔定律了继续有效，将朝着4nm及以下继续突破，这对与之配套的晶圆制造以及芯片封装掩膜版提出了更高要求，工艺制程要求将越来越高，先进制程占比有望越来越大。未来掩膜版产品的精度将日趋精细化；2）尺寸趋向大型化：随着电视尺寸趋向大型化，带动面板基板逐步趋向大型化，直接决定了掩膜版产品尺寸趋向大型化；3）掩膜版厂商向上游产业链延伸：掩膜

52、版的主要原材料为掩膜版基板，为了降低原材料采购成本，控制终端产品质量，掩膜版厂商已经开始陆续向上游产业链延伸，HOYA、LG-IT等部分企业已经具备了研磨/抛光、镀铬、光阻涂布等掩膜版全产业链的生产能力，路维光电和清溢光电则在光阻涂布方面实现了突破。未来掩膜版行业内具有一定实力的企业，将逐步向上游产业链拓展。第四章 选址方案分析一、 项目选址原则所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标。项目建设区域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力。二、 建设区基本情况保定是首都“南大门”，以“保卫大都，安定天下”而得名。辖3市、5区、1

53、2县，另设2个开发区，总面积1.9万平方公里，2020年11月常住人口924.26万(上述数字不含雄安三县、定州市)。市区（莲池区、竞秀区、高新区、满城区、清苑区、徐水区）面积2564.57平方公里。基本市情可以概括为：京畿重地、文化名城、山水保定、低碳城市。到2035年，保定将与全国、全省同步基本实现社会主义现代化，全面建成京津冀世界级城市群中的品质生活之城。创新保定、智造保定、山水保定、人才保定、文化保定特色更加鲜明，综合实力大幅跃升，中心城市人口达到500万左右；我市与雄安新区共建京津冀世界级城市群中的现代化协调发展示范区，基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，建成现代化经济体

54、系；基本实现治理体系和治理能力现代化，法治保定和平安保定建设达到更高水平；建成文化强市、教育强市、体育强市、健康保定，人民素质和社会文明程度达到新高度；广泛形成绿色生产生活方式，生态环境根本好转，基本建成天蓝地绿水秀的美丽保定；全面深化改革和发展深度融合，形成高水平开放型经济新体制，保定的知名度和影响力明显增强；基本公共服务实现均等化，城乡居民人均收入显著提升，中等收入群体显著扩大，人民生活更加美好，人的全面发展、全市人民共同富裕取得更加明显的实质性进展。经济结构不断优化，综合竞争力不断增强，全市生产总值达到3350亿元，高新技术产业增加值占规模以上工业比重达48.7%；京津冀协同发展加速推进

55、，服务保障支撑雄安新区取得明显进展，交通、生态、产业对接合作率先突破；改革创新和对外开放深入推进，项目审批时限由120个工作日压减到50个工作日，创新能力位居全省前列，外资外贸取得新进展；大力度推进脱贫攻坚，9个贫困县全部高标准脱贫摘帽，2018、2019连续两年在国考中获得“好”的等次；强力实施铁腕治污，空气质量综合指数和PM2.5浓度较2015年分别下降46.3%、52.9%，主要河流进入白洋淀水质全部达到IV类标准；教育、文化、医疗等各项事业稳步推进，人民生活水平稳步提高，新冠肺炎疫情防控取得重大成果；稳定安全形势持续巩固，首都政治“护城河”作用得到有效发挥，治理体系和治理能力现代化水平

56、进一步提高。我市成功承办了河北省首届旅发大会、河北省中医药传承创新发展大会、第23届世界被动房大会等重大活动，保定荣膺国家园林城市、国家森林城市、双拥模范城“九连冠”等殊荣。“十三五”规划目标任务即将完成，全面建成小康社会胜利在望，为开启全面建设社会主义现代化新征程、推动新时代保定创新发展绿色发展高质量发展奠定了坚实基础。三、 深入推进协同发展（一）着力打造北京非首都功能疏解“第二战略支点”把承接北京非首都功能疏解作为重中之重，深入研究北京发展规划和产业布局，加快推进与北京产业链对接，着力加强与中央企业、京津企业的对接合作，引进一批与京津产业相配套的项目，重点围绕北京高精尖产业，积极推动我市数

57、据服务、氢燃料电池汽车、生命健康、电力智造、都市农业、被动房、文化旅游等产业发展，大力推进企业总部、科研院所、行政事业单位、重大科技专项在我市落户兴业。精准对接北京优质教育、医疗、文旅、体育资源，通过托管、共建、合营等方式开展合作，加快基本公共服务共建共享，合作建设中国古动物馆（保定自然博物馆）、国家植物园和非遗小镇等重点项目。（二）全力构建京雄保一体化发展新格局坚持以落实京津冀协同发展战略为主线，发挥我市位于环首都核心功能区的优势，加快推进保定与北京、雄安在协同创新、产业联动、生态建设、公共服务、城乡融合、营商环境、社会治理等方面的一体化。着力加强“雄安协同保障高地”建设，加快推进我市国土空

58、间、产业发展、城市建设、生态环保、道路交通、公共服务等规划与雄安新区的对接，加速推进服务支撑雄安的路网、电力、建材、绿化、防洪、白洋淀上游生态治理等项目建设，推动与雄安新区错位、融合、一体化发展。加强雄安新区周边协同发展区域有效管理。（三）完善协同联动发展的体制机制健全完善京津雄保对接合作机制，建立联席会议制度，实现常态化联系。探索建立与京津雄政策共享、财税分成、生态补偿、标准互认等机制，着力解决高新技术企业、制造业企业、中医药企业跨区域资质互认问题。继续深化跨行政区域体制机制改革，建立与京津雄统一的排放标准、油品供应、车辆通行、人才流动、就医结算、社保转移等政策体系。四、 项目选址综合评价项

59、目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。第五章 建筑工程可行性分析一、 项目工程设计总体要求（一）总图布置原则1、强调“以人为本”的设计思想，处理好人与建筑、人与环境、人与交通、人与空间以及人与人之间的关系。从总体上统筹考虑建筑、道路、绿化空间之间的和谐，创造一个宜于生产的环境空间。2、合理配置自然资源，优化用地结构，配套建设各项目设施。3、工程内容、建筑面积和建筑结构应适应工艺布置要求，满足生产使用功能要求。4、因地制宜，充分利用地形地质条件，合理改造利用地形，减少土石方工程量，重视保护

60、生态环境，增强景观效果。5、工程方案在满足使用功能、确保质量的前提下，力求降低造价，节约建设资金。6、建筑风格与区域建筑风格吻合，与周边各建筑色彩协调一致。7、贯彻环保、安全、卫生、绿化、消防、节能、节约用地的设计原则。（二）总体规划原则1、总平面布置的指导原则是合理布局，节约用地，适当预留发展余地。厂区布置工艺物料流向顺畅，道路、管网连接顺畅。建筑物布局按建筑设计防火规范进行，满足生产、交通、防火的各种要求。2、本项目总图布置按功能分区，分为生产区、动力区和办公生活区。既满足生产工艺要求，又能美化环境。3、按照厂区整体规划，厂区围墙采用铁艺围墙。全厂设计两个出入口，厂区道路为环形，主干道宽度

61、为9m，次干道宽度为6m，联系各出入口形成顺畅的运输和消防通道。4、本项目在厂区内道路两旁，建（构）筑物周围充分进行绿化，并在厂区空地及入口处重点绿化，种植适宜生长的树木和花卉，创造文明生产环境。二、 建设方案1、本项目建构筑物完全按照现代化企业建设要求进行设计，采用轻钢结构、框架结构建设，并按建筑抗震设计规范（GB500112010）的规定及当地有关文件采取必要的抗震措施。整个厂房设计充分利用自然环境，强调丰富的空间关系，力求设计新颖、优美舒适。主要建筑物的围护结构及屋面，符合建筑节能和防渗漏的要求；车间厂房设有天窗进行采光和自然通风，应选用气密性和防水性良好的产品。.2、生产车间的建筑采用

62、轻钢框架结构。在符合国家现行有关规范的前提下，做到结构整体性能好，有利于抗震防腐，并节省投资，施工方便。在设计上充分考虑了通风设计，避免火灾、爆炸的危险性。.3、建筑内部装修设计防火规范，耐火等级为二级；屋面防水等级为三级，按照屋面工程技术规范要求施工。.4、根据地质条件及生产要求，对本装置土建结构设计初步定为：生产车间采用钢筋混凝土独立基础。.5、根据项目的自身情况及当地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产生间拟采用全钢结构。.6、本项目的抗震设防烈度为6度，设计基本地震加速度值为 0.05g，建筑抗震设防类别为丙类，抗震等级为三级。.7、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积94061.68，其中：生产工程63879.59，仓储工程11220.07，行政办公及生活服务设施8421.39，公共工程10540.63。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程17453.4463879.598735.731.11#生产车间5236.0319163.882620.721.22#生产车间4363.3615969.902183.931.33#生产车间4188.8315331.102096.581.44#生产车间3665.2213414.711834.502