丹东半导体技术研发项目招商引资方案

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1、泓域咨询/丹东半导体技术研发项目招商引资方案丹东半导体技术研发项目招商引资方案xx（集团）有限公司目录第一章 项目建设背景、必要性9一、 电子气体9二、 半导体材料12三、 培育壮大“新字号”15四、 扶优做强工业园区15第二章 项目绪论16一、 项目概述16二、 项目提出的理由18三、 项目总投资及资金构成18四、 资金筹措方案18五、 项目预期经济效益规划目标19六、 项目建设进度规划19七、 环境影响19八、 报告编制依据和原则20九、 研究范围21十、 研究结论21十一、 主要经济指标一览表21主要经济指标一览表21第三章 项目投资主体概况24一、 公司基本信息24二、 公司简介24三

2、、 公司竞争优势25四、 公司主要财务数据27公司合并资产负债表主要数据27公司合并利润表主要数据27五、 核心人员介绍28六、 经营宗旨29七、 公司发展规划30第四章 市场分析35一、 陶瓷基板35二、 硅片36三、 封装材料42第五章 建设规模与产品方案46一、 建设规模及主要建设内容46二、 产品规划方案及生产纲领46产品规划方案一览表46第六章 选址分析49一、 项目选址原则49二、 建设区基本情况49三、 全力以赴稳外贸51四、 项目选址综合评价52第七章 建筑工程可行性分析53一、 项目工程设计总体要求53二、 建设方案53三、 建筑工程建设指标53建筑工程投资一览表54第八章

3、SWOT分析说明56一、 优势分析（S）56二、 劣势分析（W）58三、 机会分析（O）58四、 威胁分析（T）59第九章 发展规划63一、 公司发展规划63二、 保障措施67第十章 项目节能方案70一、 项目节能概述70二、 能源消费种类和数量分析71能耗分析一览表72三、 项目节能措施72四、 节能综合评价73第十一章 组织架构分析75一、 人力资源配置75劳动定员一览表75二、 员工技能培训75第十二章 工艺技术方案分析78一、 企业技术研发分析78二、 项目技术工艺分析80三、 质量管理81四、 设备选型方案82主要设备购置一览表83第十三章 项目投资计划84一、 投资估算的编制说明8

4、4二、 建设投资估算84建设投资估算表86三、 建设期利息86建设期利息估算表86四、 流动资金87流动资金估算表88五、 项目总投资89总投资及构成一览表89六、 资金筹措与投资计划90项目投资计划与资金筹措一览表90第十四章 经济效益92一、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表93固定资产折旧费估算表94无形资产和其他资产摊销估算表95利润及利润分配表96二、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表99三、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101第十五章 项目风险评估103一、 项目风险分析103二、 项目风险对策105第十六章 总结107第

5、十七章 附表附件108建设投资估算表108建设期利息估算表108固定资产投资估算表109流动资金估算表110总投资及构成一览表111项目投资计划与资金筹措一览表112营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表113固定资产折旧费估算表114无形资产和其他资产摊销估算表115利润及利润分配表115项目投资现金流量表116报告说明工业气体的经营模式可分为自建装置供气与外包供气，其中外包供气又分为液态气体、管道气体和瓶装气体三种供气模式。传统上大型钢铁冶炼、化工企业选择自行建造空气分离装置，从而满足自身气体需求。但是由于空分设备的实际产量与企业用气需求存在一定差异，再加之供气不稳定

6、的影响，导致企业设备综合利用率较低，当期无法消耗的产品多被放空，造成资源浪费现象突出；对于数目众多、用气规模较小的中小型工业用户而言，目前则主要改为采用外包给专业气体生产企业供气这种更经济的模式。发达国家供气外包比例为80%，自建比例为20%，中国2021年外包比例为65%，与发达国家相比外包占比仍有待提升。根据谨慎财务估算，项目总投资35852.04万元，其中：建设投资28171.37万元，占项目总投资的78.58%；建设期利息392.77万元，占项目总投资的1.10%；流动资金7287.90万元，占项目总投资的20.33%。项目正常运营每年营业收入76200.00万元，综合总成本费用591

7、56.14万元，净利润12482.24万元，财务内部收益率27.82%，财务净现值23794.09万元，全部投资回收期4.95年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目建设背景、必要性一、 电子气体工业中，把常温常压下呈气态的产品统称为工业气体产品，工业气体是现代工业的基础原材料，在国民经济中有着重要地位和

8、作用，广泛应用于冶金、化工、医疗、食品、机械、军工等传统行业，以及半导体、液晶面板、LED、光伏、新能源、生物医药、新材料等新兴产业，对国民经济的发展有着战略性的支持作用，因此被喻为“工业的血液”。工业气体产品种类繁多，分类方式多样。按化学性质不同可以分为剧毒气体（如氯气、氨气等）、易燃气体（如氢气、乙炔等）、不燃气体（如氧气、氮气和氩气等）。按组分不同可以分为工业纯气和工业混合气。按制备方式和应用领域的不同，工业气体可分为大宗气体和特种气体。大宗气体又分为空分气体与合成气体，此类气体产销量较大，但一般对气体纯度要求不高，主要用于冶金、化工、机械、电力、造船等传统领域；特种气体指在部分特定领域

9、应用的气体产品，根据纯度和用途又可以细分为标准气体、高纯气体和电子特种气体。特种气体虽然产销量小，但是种类繁多，对气体纯度、杂质含量等指标有较高要求，属于高技术、高附加值的产品，下游主要应用于集成电路、液晶面板、LED、光伏、生物医药、新能源等新兴产业。从整个工业气体市场的产销量来看，空分气体应用领域最广泛、使用量最大，占工业气体的约90%，其余的部分为合成气体和特种气体。大宗气体中，空分气体主要通过分离空气制取，主要有氧气、氮气、氩气等，是空气的主要成分，在空气中的体积占比一般为20.95%、78.08%、0.93%；合成气体主要有乙炔、氨气、二氧化碳，这些气体的制备方法与空分气体截然不同，

10、应用领域也有较大差别。大宗气体纯度要求4N（99.99%）。特种气体中，标准气体主要有单元/二元/三元/多元标气；高纯气体主要有氧气、氮气、氢气、氩气、二氧化碳等；电子特气主要有氢化物、氟化物、卤素气体以及其他特种气体等，现有单元特种气体已超过260种。特种气体纯度要求5N（99.999%），电子特气纯度要求一般6N（99.9999%）。工业气体产业链方面，上游包括原料及设备，空分气体的原料主要为空气或者工业废气，成本较低，合成气体的原料主要为化学产品，成本较高；特种气体的原料主要为外购的工业气体和化学原材料，成本高。设备分为气体生产设备、气体储存设备和气体运输设备，气体生产设备主要有空分设备

11、和气体提纯设备，气体储存设备主要有钢瓶和储槽，气体运输设备主要有用液化气槽车和管道。中游为大宗气体和特种气体的制造、运输和储存，下游应用领域包括传统行业与新兴行业。根据供应模式的不同，工业气体行业的经营模式可以分为零售供气和现场制气。零售供气又分为瓶装运输和储槽运输。对于瓶装运输，特种气体由于单位价值较高，基本无运输半径限制，大宗气体运输半径在50km左右，使用量较小，主要用于医疗、科研领域，比如医院、公共卫生、技术研发等；对于储槽运输，运输半径亦有所扩大，一般为200km左右，使用量适中，主要用于制造业，比如汽车、造船、食品加工、半导体、太阳能、平板显示等。现场制气是在客户端建造现场制气装置

12、，并通过管网供应气体，使用量较大，主要用于工业领域，比如钢铁、炼油、石化行业等。受益于工业化进程推动，全球及中国工业气体市场规模稳步提升。根据亿渡数据，全球工业气体市场规模2021年为9432亿元，预计2022年将达到10238亿元，2026年将达到13299亿元。中国工业气体行业在20世纪80年代末期已初具规模，到90年代后期开始快速发展，2021年为1798亿元，预计2022年将达到1964亿元，2026年将达到2842亿元。全球工业气体市场目前已经形成寡头垄断的局面，工业气体市场在欧美日步入后工业化时代后逐步兴起，经过多年以来的发展及并购整合，目前已形成德国林德和法国液化空气为第一梯队，

13、美国空气化工、日本大阳日酸和德国梅塞尔为第二梯队的全球市场格局。全球工业气体CR4近年来基本维持在50%以上。工业气体的经营模式可分为自建装置供气与外包供气，其中外包供气又分为液态气体、管道气体和瓶装气体三种供气模式。传统上大型钢铁冶炼、化工企业选择自行建造空气分离装置，从而满足自身气体需求。但是由于空分设备的实际产量与企业用气需求存在一定差异，再加之供气不稳定的影响，导致企业设备综合利用率较低，当期无法消耗的产品多被放空，造成资源浪费现象突出；对于数目众多、用气规模较小的中小型工业用户而言，目前则主要改为采用外包给专业气体生产企业供气这种更经济的模式。发达国家供气外包比例为80%，自建比例为

14、20%，中国2021年外包比例为65%，与发达国家相比外包占比仍有待提升。二、 半导体材料半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料。按照工艺的不同，可分为晶圆制造材料和封装材料。其中，晶圆制造材料主要包括硅片、特种气体、掩膜版、光刻胶、光刻胶配套材料、（通用）湿电子化学品、靶材、CMP抛光材料等。封装材料主要有封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。按照代际，可分为第一代、第二代和第三代。1）第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。主要用于制造集成电路，并广泛应用于手机、电脑、平板、可穿戴、电视、航空航天以及新能源车、光

15、伏等产业。2）第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。3）第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg2.3eV）半导体材料

16、。主要应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等。相比于第一代、第二代半导体材料，第三代半导体材料禁带宽度更宽，击穿电场更高、热导率更高、电子饱和速率更高、抗辐射能力更强，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料，也称为高温半导体材料。整体而言，全球半导体依然以硅材料为主，目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作。在半导体产业链中，半导体材料位于制造环节上游，和半导体设备一起构成了制造环节的核心上游供应链，不同于其他行业材料，半导体材料是电子级材料，对精度纯度等都有更为严格的要求，因此，芯片能否成功流片，对工艺制备过程中半导体材

17、料的选取及合理使用尤为关键。晶圆制造材料中，硅片为晶圆制造基底材料；光刻胶用于图形转移；电子特气用于氧化、还原、除杂；抛光材料用于实现平坦化。封装材料中，封装基板与引线框架起到保护芯片、支撑芯片、连接芯片与PCB的作用，封装基板还具有散热功能；键合丝则用于连接芯片和引线框架。根据SEMI数据，2020年全球晶圆制造材料中，硅片占比最高，为35%；电子气体排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻胶占比6%；光刻胶配套材料占比8%；湿电子化学品占比7%；CMP抛光材料占比6%；靶材占比2%。2019年全球封装材料中，封装基板占比最高，为48%；引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯

18、片粘接材料分列第2-6名，占比分别为15%、15%、10%、6%和3%。三、 培育壮大“新字号”做大做强新能源汽车等高端装备制造产业，加快集成电路产业全产业链发展和石墨新材料产业集群式发展。超前布局前沿新材料产业，培育一批柔性电子器件、第三代半导体领军企业。大力发展数字经济，加强5G等基础设施建设，实施5个工业互联网示范项目，推动华通测控等企业点对点进入华为生态系统，加快建设数字政府、智慧城市、数字乡村，实现丹东“数字蝶变”。加强政策支持，优化发展环境，全力吸引人才、留住人才、用活人才，建设人力资源产业园，实施“项目+团队”的“带土移植”工程。加强与高校院所合作，打造众创空间、科技孵化器、创业

19、孵化基地、产业园一体化的创新创业生态体系。新增省级企业技术中心2家、高新技术企业10户，科技型中小企业注册数量突破285户。四、 扶优做强工业园区落实好丹东市开发区主导产业规划，坚持主导产业定位，实现错位化、互补化、特色化发展。加快智慧园区建设，推动“互联网+”、大数据和云计算的运用，提升园区网络化、数据化、智能化水平。做大做强7个省级及以上开发区，推动振安和汤池开发区晋升省级开发区，丹东高新区成功创建国家级高新区。园区规模以上工业增加值、工业固定资产投入、高新技术企业产值实现两位数增长。第二章 项目绪论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：丹东半导体技术研发项目2、承办单位名称：xx

20、（集团）有限公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xx（以选址意见书为准）5、项目联系人：邵xx（二）主办单位基本情况公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。公司在“政府引导、市场主导、社会参

21、与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。（三）项

22、目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约87.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx吨半导体技术研发/年。二、 项目提出的理由芯片封装工艺流程包括来料检查、贴膜、磨片、贴片、划片、划片检测、装片、键合、塑封、打标、切筋打弯、品质检验，最终是产品出货。在这一过程中，就需要用到封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、粘接材料等封装材料，这些材料是芯片完成封装出货的重要支撑。五年来，我们围绕经济稳，着力拉动内需扩容提质，高

23、质量发展动能更加充沛。牢牢抓住新一轮东北振兴、东北东部合作发展、辽宁沿海经济带和沿边地区开发开放等重大机遇，扎实推进振兴发展各项事业，实现经济企稳回升，综合实力不断增强。全市地区生产总值年均增长1.3%，城乡常住居民人均可支配收入年均分别增长5.5%和7.8%，为实现高质量发展奠定了坚实基础。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资35852.04万元，其中：建设投资28171.37万元，占项目总投资的78.58%；建设期利息392.77万元，占项目总投资的1.10%；流动资金7287.90万元，占项目总投资的20.33%。四、

24、资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资35852.04万元，根据资金筹措方案，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）19820.50万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额16031.54万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：76200.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：59156.14万元。3、项目达产年净利润（NP）：12482.24万元。4、财务内部收益率（FIRR）：27.82%。5、全部投资回收期（Pt）：4.95年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：26375.78万元（产值）。

25、六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响建设项目的建设和投入使用后，其产生的污染源经有效处理后，将不致对周围环境产生明显影响。建设项目的建设从环境保护角度考虑是可行的。项目建设单位在执行“三同时”的管理规定的同时，切实落实本环境影响报告中的环保措施，并要经环境保护管理部门验收合格后，项目方可投入使用。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。（二）编制原则1、坚持科

26、学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。九、 研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实

27、施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。十、 研究结论该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积58000.00约87.00亩1.1总建筑面积87718.531.2基底面积32480.001.3投资强度万元/亩317.852总投资万元35852.042.1建设投资万元

28、28171.372.1.1工程费用万元25274.272.1.2其他费用万元2177.072.1.3预备费万元720.032.2建设期利息万元392.772.3流动资金万元7287.903资金筹措万元35852.043.1自筹资金万元19820.503.2银行贷款万元16031.544营业收入万元76200.00正常运营年份5总成本费用万元59156.146利润总额万元16642.997净利润万元12482.248所得税万元4160.759增值税万元3340.5610税金及附加万元400.8711纳税总额万元7902.1812工业增加值万元26459.2813盈亏平衡点万元26375.78产值

29、14回收期年4.9515内部收益率27.82%所得税后16财务净现值万元23794.09所得税后第三章 项目投资主体概况一、 公司基本信息1、公司名称：xx（集团）有限公司2、法定代表人：邵xx3、注册资本：830万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2016-6-87、营业期限：2016-6-8至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事半导体技术研发相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、

30、 公司简介公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进

31、区域品牌建设，提高区域内企业影响力。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能

32、化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。

33、产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年

34、12月2019年12月2018年12月资产总额15481.6612385.3311611.24负债总额6311.245048.994733.43股东权益合计9170.427336.346877.82公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入52676.5042141.2039507.38营业利润9555.727644.587166.79利润总额8510.576808.466382.93净利润6382.934978.694595.71归属于母公司所有者的净利润6382.934978.694595.71五、 核心人员介绍1、邵xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年

35、出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。2、毛xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。3、尹xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。4、黄xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002

36、年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。5、卢xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。6、陆xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2

37、018年3月起至今任公司董事长、总经理。7、周xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。8、曹xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。六、 经营宗旨依据有关法律、法规，自主开展各项业务，务

38、实创新，开拓进取，不断提高产品质量和服务质量，改善经营管理，促进企业持续、稳定、健康发展，努力实现股东利益的最大化，促进行业的快速发展。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划

39、经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计

40、、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契机，在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化

41、程度，在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠自主创新技术和自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，建立一支高、中、初级专业技术人才合理搭配的人才队伍，满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括：提高技术人才的待遇；通过与高校、科研机构联合，实行对口培训等形式

42、，强化技术人员知识更新；积极拓宽人才引进渠道，实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量，充分满足客户的需求，使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流，整合产、学、研资源优势，通过自主研发与合作开发并举的方式，持续提升公司技术研发水平，提升公司对重大项目的攻克能力，提高自身研发技术水平，进一步强化公司在行业内的影响力。（五）市场开发规划公司根据自身技术特点与销售经验，制定了如下市场开发规划：首先，公司将以现有客户为基础，在努力提升产品质量的同时，以客户需求为导向，在各个方面深入了解客户需求，以求充分满足客户的差异化需求，从而

43、不断增加现有客户订单；其次，公司将在稳定与现有客户合作关系的同时，凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展，挖掘新的销售市场；最后，公司将不断完善营销网络建设，提升公司售后服务能力，从而提升公司整体服务水平，实现整体业务的协同及平衡发展。（六）人才发展规划人才是公司发展的核心资源，为了实现公司总体战略目标，公司将健全人力资源管理体系，制定科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的培训、薪酬、绩效和激励机制，最大限度的发挥人才潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要，进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务和评估机制，满足公司的发展需要。一方面，公司将

44、根据不同部门职能，有针对性的招聘专业化人才：管理方面，公司将建立规范化的内部控制体系，根据需要招聘行业内专业的管理人才，提升公司整体管理水平；技术方面，公司将引进行业内优秀人才，提升公司的技术创新能力，增加公司核心技术储备，并加速成果转化，确保公司技术水平的领先地位。另一方面，公司将建立人才梯队，以培养管理和技术骨干为重点，有计划地吸纳各类专业人才进入公司，形成高、中、初级人才的塔式人才结构，为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整合的重要途径，未来公司将强化现有培训体系的建设，建立和完善培训制度，针对不同岗位的员工制定科学的培训计划，并根据公司的发展要求及员工的发展意愿，制定员工的职业

45、生涯规划。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质，使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具有市场竞争力的薪酬结构，制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务年限及贡献，逐步提高员工待遇，激发员工的创造性和主动性，为员工提供广阔的发展空间，全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、开拓创新的员工队伍，从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。第四章 市场分析一、 陶瓷基板随着功率电子产品技术进步，散热问题已成为制约其向着大功率与轻型化方向发展的瓶颈。陶瓷基板作为新兴的散热材料，具有优良电绝缘性能，高

46、导热特性，导热性与绝缘性都优于金属基板，更适合功率电子产品封装，已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料，广泛应用于LED、汽车电子、航天航空及军用电子组件、激光等工业电子领域。对于陶瓷基板，需要通过其实现电气连接，因此金属化对陶瓷基板的制作而言是至关重要的一环，根据制备工艺及金属化方法不同，现阶段常见的陶瓷基板种类共有HTCC、LTCC、DPC、DBC和AMB等。HTCC（HighTemperatureCo-firedCeramic，高温共烧陶瓷）：属于较早发展的技术，是采用陶瓷与高熔点的W、Mo等金属图案进行共烧获得的多层陶瓷基板。但由于烧结温度较高使其电极材料的选择受限，且制

47、作成本相对昂，促使了LTCC的发展；LTCC（LowTemperatureCo-firedCeramic，低温共烧陶瓷）：LTCC技术共烧温度降至约850，通过将多个印有金属图案的陶瓷膜片堆叠共烧，实现电路在三维空间布线；DPC（DirectPlatingCopper，直接镀铜）：是在陶瓷薄膜工艺加工基础上发展起来的陶瓷电路加工工艺。以陶瓷作为线路的基板，采用溅镀工艺于基板表面复合金属层，并以电镀和光刻工艺形成电路；DBC（DirectBondedCopper，直接覆铜）：通过热熔式粘合法，在高温下将铜箔直接烧结到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成复合基板；AMB（ActiveMetalBraz

48、ing，活性金属钎焊）：AMB是在DBC技术的基础上发展而来的，在800左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合。与传统产品相比，AMB陶瓷基板是靠陶瓷与活性金属焊膏在高温下进行化学反应来实现结合，因此其结合强度更高，可靠性更好，极适用于连接器或对电流承载大、散热要求高的场景。常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化铍(BeO)、氮化硼（BN）等。Al2O3和AlN综合性能较好，分别在低端和高端陶瓷基板市场占据主流，而Si3N4基板由于综合性能突出，在高功率、大温变电力电子器

49、件(如IGBT)封装领域发挥重要作用。从目前市场综合价格和产品性能来看，Al2O3和AlN是最常见的两种基板。虽然AlN的价格是Al2O3的4倍左右，但由于其高导热性和更好的散热性能，AlN是目前最常用的基板，其次是Al2O3。二、 硅片硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生

50、长，便生长出具有特定电性功能的单晶硅锭。单晶硅的制备方法通常有直拉法（CZ）和区熔法（FZ），直拉法硅片主要用在逻辑、存储芯片中，市占率约95%，区熔法硅片主要用在部分功率芯片中，市占率约4%。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，掺杂的硼（P）、磷（B）等杂质元素浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭制备好后，再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻、包装后，便成为硅片。根据纯度不同，分为半导体硅片和光伏硅片，半导体硅片要求硅含量为9N（99.9999999%）-11N（99.999999999%），而光伏用硅片一般在4N-6N之间即可，下游应用主要包

51、括消费电子、通信、汽车、航空航天、医疗、太阳能等领域。硅片制备好之后，再经过一列热处理、光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP、测试等环节，便可成功制得硅晶圆，具体分为几部分：1）晶圆：制作半导体集成电路的核心原料板；2）Die：晶圆上有很多小方块，每一个正方形是一个集成电路芯片；3）划线：这些芯片之间实际上有间隙，这个间距叫做划线，划线的目的是在晶圆加工后将每个芯片切割出来并组装成一个芯片；4）平区：引入平区是为了识别晶圆结构，并作为晶圆加工的参考线。由于晶圆片的结构太小，肉眼无法看到，所以晶圆片的方向就是根据这个平面区域来确定的；5）切口：带有切口的晶圆最近已经取代了平面区域，因为切口晶圆比平

52、区晶圆效率更高，可以生产更多的芯片。半导体硅片通常可以按照尺寸、工艺两种方式进行分类。按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、125mm（5英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。自1960年生产出23mm的硅片之后，硅片尺寸就越来越大，到2002年已经可以量产300mm（12英寸）硅片，厚度则达到了历史新高775m。当硅片尺寸越大，单个硅片上的芯片数量就越多，从而能够提高生产效率、降低生产成本。300mm硅片是200mm硅片面积的2.25倍，生产芯

53、片数量方面，根据SiliconCrystalStructureandGrowth数据，以1.5cm1.5cm的芯片为例，300mm硅片芯片数量232颗，200mm硅片芯片数量88颗，300mm硅片是200mm硅片芯片数量的2.64倍。根据应用领域的不同，越先进的工艺制程往往使用更大尺寸的硅片生产。因此，在摩尔定律的驱动下，工艺制程越先进，生产用的半导体硅片尺寸就越大。目前全球半导体硅片以12英寸为主，根据SEMI数据，2020年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。未来随着新增12英寸晶圆厂不断投产，未来较长的时间内，12英寸仍将是半导体硅片的主流品种，小尺寸硅片

54、将逐渐被淘汰，但是8英寸短期仍不会被12英寸替代。目前量产硅片止步300mm，而450mm硅片迟迟未商用量产，主要原因是制备450mm硅片需要大幅增加设备及制造成本，但是SEMI曾预测每个450mm晶圆厂单位面积芯片成本只下降8%，此时晶圆尺寸不再是降低成本的主要途径，因此厂商难以有动力投入450mm量产。全球8英寸和12英寸硅片下游应用侧重有所不同，根据SUMCO数据，2020年8英寸半导体硅片下游应用中，汽车/工业/智能手机分列前3名，占比分别为33%/27%/19%；2020年12英寸半导体硅片下游应用中，智能手机/服务器/PC或平板分列前3名，占比分别为32%/24%/20%。按照制造

55、工艺分类，半导体硅片分为抛光片、外延片以及SOI硅片。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后，便得到抛光片。抛光片本身可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，此外也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过CVD的方式在抛光面上生长一层或多层掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。因此外延片是抛光片经过外延生长形成的，外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能够改善沟道漏电现象，提高IC可靠性，被广泛应用于制作通用处理器芯片、图形处理器芯片。如果生长一层高电阻率的外延层，还可以提高器件的击穿电压，用于制作二极管、

56、IGBT等功率器件，广泛应用于汽车电子、工业用电子领域。SOI是绝缘层上硅，核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层，能够实现全介质隔离，大幅减少了硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片是抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成的，特点是寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强，因此适用于制造耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等，尤以射频应用最为广泛。SOI硅片价格高于一般硅片4至5倍，主要应用中，5G射频前端（RF-SOI）占比60%，Po

57、wer-SOI和PD-SOI各占20%。市场规模方面，根据SEMI数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模在经历了2015-2016年低谷之后，开始稳步上升，到2021年已达到126.2亿美元。受益于中国大陆晶圆厂扩产的拉动，中国大陆半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模2012年为5亿美元，2017开始迅速增长，2021年已达到为16.6亿美元。出货面积方面，根据SEMI数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）2012年出货面积为90亿平方英寸，2020年为122.6亿平方英寸，2021年为141.7亿平方英寸。单位面积硅片价格2009年为1美元/平方英寸，2016年下降到0.68美元/平

58、方英寸，2021年回暖至0.99美元/平方英寸。SOI硅片方面，由于应用场景规模较小，整体行业规模小于抛光片和外延片，根据SEMI及ResearchandMarkets数据，2013年全球市场规模为4亿美元，2021年为13.7亿美元，预计到2025年将达到22亿美元。中国大陆SOI硅片市场规模2016年为0.02亿美元，2018年增长至0.11亿美元。根据Soitec数据，随着通信技术从3G向4G、5G升级过程中，单部智能手机SOI硅片需求面积亦随之增加，3G时为2mm2，4GLTE-A为20mm2，5Gsub-6GHz为52mm2，5Gsub-6GHz&mmW为130mm2。在射频前端模组

59、领域，在4G/5G（sub-6G）中，RF-SOI用于低噪声放大器、开关以及天线调谐器等，FD-SOI用于追踪器；在毫米波中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器、开关以及移相器，FD-SOI可用于移相器、SoC等；而在WiFi和UWB中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器以及开关，FD-SOI用于移相器、SoC等。产能方面，根据ICInsights数据，2018年全球半导体硅片2.23亿片，2020年增长至2.6亿片，保持稳步增长态势。在目前芯片供不应求的背景下，晶圆厂扩产将进一步推升硅片产能。2020年全球硅片主要厂商中，前7大厂商合计占比94.5%，其中日本信越化学占比27.5%，排名第1

60、；日本胜高占比21.5%，排名第2；中国台湾环球晶圆占比14.8%，排名第3；德国世创占比11.5%，排名第4；韩国SKSiltron占比11.3%，排名第5；法国Soitec占比5.7%，排名第6；中国大陆厂商沪硅产业占比2.2%，排名第7，也是唯一进入全球前7的中国大陆厂商。三、 封装材料芯片封装工艺流程包括来料检查、贴膜、磨片、贴片、划片、划片检测、装片、键合、塑封、打标、切筋打弯、品质检验，最终是产品出货。在这一过程中，就需要用到封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、粘接材料等封装材料，这些材料是芯片完成封装出货的重要支撑。传统的IC封装采用引线框架作为IC导通线路与支撑IC

61、的载体，连接引脚于导线框架的两旁或四周，如四侧引脚扁平封装（QuadFlatPackage，简称QFP）、方形扁平无引脚封装（QuadFlatNo-leads，简称QFN）等。随着技术发展，IC的线宽不断缩小，集成度稳步提高，IC封装逐步向着超多引脚、窄节距、超小型化方向发展。20世纪90年代中期，一种以球栅阵列封装（BallGridArray，简称BGA）、芯片尺寸封装（ChipScalePackage，简称CSP）为代表的新型IC高密度封装形式问世，从而产生了一种新的封装载体封装基板。在高阶封装领域，封装基板已取代传统引线框架，成为芯片封装中不可或缺的一部分，不仅为芯片提供支撑、散热和保护

62、作用，同时为芯片与PCB母板之间提供电子连接，起着“承上启下”的作用；甚至可埋入无源、有源器件以实现一定系统功能。封装基板在HDI板的基础上发展而来，是适应电子封装技术快速发展而向高端技术的延伸，作为一种高端的PCB，封装基板具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特点。根据Prismark数据，2021年全球PCB行业产值为804.49亿美元，同比增长23.4%，预计2021-2026年全球PCB行业的复合增长率为4.8%。下游应用中，通讯占比32%，计算机占比24%，消费电子占比15%，汽车电子占比10%，服务器占比10%。从产品结构来看，IC封装基板和HDI板虽然占比不高，分别占比17.6%和14.7%，但却是主要的增长驱动因素。2021年全球IC封装基板行业整体规模达141.98亿美元、同比增长39.4%，已超过柔性板成为印制电路板行业中增速最快的细分子行业。2021年中国IC封装基板（含外资厂商在国内工厂）市场规模为23.17亿美元、同比增长56.4%，仍维持快速增长的发展态势。预计2026年全球IC封装基板、HDI板的市场规模将分别达到214.35/150.12亿美元，2021-2026年的CAGR分别为8.6%/4.9%。预计2026年中国市场IC封装基板（含外资厂商在国内工厂）市场