巨磁电阻实验报告材料

《巨磁电阻实验报告材料》由会员分享，可在线阅读，更多相关《巨磁电阻实验报告材料（22页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、巨磁电阻实验报告【目的要求】1、了解 GMR 效应的原理2、测量GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线3、测量 GMR 的磁阻特性曲线4、用GMR传感器测量电流5、 用GMR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解 GMR转速（速度）传感器的原理【原理简述】根据导电的微观机理， 电子在导电时并不是沿电场直线前进， 而是不断和晶格中的原子 产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向 加速与这种无规散射运动的叠加。 称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程，电子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低。电阻定律R= l/S 中，把电阻率 视为常数，与材料的几何尺度无关，

2、 这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程 （例如铜中 电子的平均自由程约 34nm ），可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级，只有 几个原子的厚度时 （例如， 铜原子的直径约为 0.3nm ），电子在边界上的散射几率大大增加， 可以明显观察到厚度减小，电阻率增加的现象。电子除携带电荷外， 还具有自旋特性， 自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。 早在1936 年，英国物理学家，诺贝尔奖获得者 N.F.Mott 指出，在过渡金属中，自旋磁矩与 材料的磁场方向平行的电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电 子。总电流是两类自旋电流之和 ;总电阻是两类自旋

3、电流的并联电阻，这就是所谓的两电流模型。在图2所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反平行（反铁磁）耦合的。施加足够强的外磁场后， 两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。25C惑磁场强度/高斯电阻欧姆无外磁场时顶层磁场方向图3 某种GMR材料的磁阻特性无外磁场时底层磁场方向图2多层膜GMR结构图图3是图2结构的某种GMR材料的磁阻特性。由图可见，随着外磁场增大，电阻逐渐减 小，其间有一段线性区域。当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后，继续加大磁场，电阻不 再减小，进入磁饱和区域。磁阻变化率AR/R达百分

4、之十几，加反向磁场时磁阻特性是对称的。注意到图2中的曲线有两条，分别对应增大磁场和减小磁场时的磁阻特性，这是因为 铁磁材料都具有磁滞特性。有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献。其一，界面上的散射。无外磁场时， 上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改变（平行-反平行，或反平行-平行），电子在界面上的散射几率很大，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁 磁膜的磁场方向一致，电子在界面上的散射几率很小，对应于低电阻状态。其二，铁磁膜内的散射。即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，电子也有一定的几初始自旋状态如何，在穿行过程中都会经

5、历散射几率小（平行）和散射几率大（反平行）两 种过程， 两类自旋电流的并联电阻相似两个中等阻值的电阻的并联， 对应于高电阻状态。 有 外磁场时， 上下两层铁磁膜的磁场方向一致， 自旋平行的电子散射几率小， 自旋反平行的电 子散射几率大， 两类自旋电流的并联电阻相似一个小电阻与一个大电阻的并联， 对应于低电 阻状态。多层膜 GMR 结构简单，工作可靠，磁阻随外磁场线性变化的范围大，在制作模拟传感 器方面得到广泛应用。 在数字记录与读出领域， 为进一步提高灵敏度， 发展了自旋阀结构的 GMR 。实验装置】巨磁电阻实验仪； 基本特性组件；电流测量组件；角位移测量组件； 磁读写组件；实验内容】、 GM

6、R 模拟传感器的磁电转换特性测量在将 GMR 构成传感器时，为了消除温度变化等环境因素对输出的影响，一般采用桥式结构。a几何结构b电路连接GMR模拟传感器结构图对于电桥结构，如果 4个GMR电阻对磁场的影响完全同步，就不会有信号输出。图17-9中，将处在电桥对角位置的两个电阻R3, R4覆盖一层高导磁率的材料如坡莫合金，以屏蔽外磁场对它们的影响，而R1，R2阻值随外磁场改变。设无外磁场时4个GMR电阻的阻值均为R， R1、R2在外磁场作用下电阻减小 R,简单分析表明，输出电压：OUTU =U IN (2R- R)(2)屏蔽层同时设计为磁通聚集器，它的高导磁率将磁力线聚集在R1、R2电阻所在的空

7、间,进一步提高了 R1，R2的磁灵敏度。从几何结构还可见，巨磁电阻被光刻成微米宽度迂回状的电阻条，以增大其电阻至k数量级，使其在较小工作电流下得到合适的电压输出。0.30GMR模拟传感器的磁电转换特性4V模拟传感器磁电转换特性实验原理图将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。实验仪 的4V电压源接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”，基 本特性组件“模拟信号输出”接至实验仪电压表。按表1数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的输出电压于表格“减小0后，交换恒流输出接线的磁场”列中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至极性，使电

8、流反向。再次增大电流i,此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。电流至 -100mA 后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出的极性。从下到上记录数据于表一 “增大磁场”列中。理论上讲，外磁场为零时，GMR传感器的输出应为零，但由于半导体工艺的限制，4个桥臂电阻值不一定完全相同，导致外磁场为零时输出不一定为零，在有的传感器中可以观察到这一现象。根据螺线管上表明的线圈密度，由公式（1 ）计算出螺线管内的磁感应强度 B。以磁感应强度B作横坐标，电压表的读数为纵坐标作出磁电转换特性曲线。不同外磁场强度时输出电压的变化反映了GMR传感器的磁电转换特性， 同一

9、外磁场强度下输出电压的差值反映了材料的磁滞特性。表1 GMR模拟传感器磁电转换特性的测量（电桥电压4V ）磁感应强度/高斯输出电压/mV励磁电流/mA磁感应强度/高斯减小磁场增大磁场1002312339023123380230232702292306022322250202195.040167.2154.630129.8114.7209275.71056.743.2540.415.3024.319.3-511.236.91039.452.82073.488.130110.5125.940150.416450189.6200602202247023023180232232902332331002

10、33234、GMR磁阻特性测量为加深对巨磁电阻效应的理解，我们对构成GMR模拟传感器的磁阻进行测量。将基本R3、R4特性组件的功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”，此时被磁屏蔽的两个电桥电阻 被短路，而 R1 、R2 并联。将电流表串连进电路中，测量不同磁场时回路中电流的大小，就 可以计算磁阻。实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。将 GMR 模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”。实验仪的 4 伏电压源串连电流表后，接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管 电流输入”。按表 2 数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的磁阻电流于表格“减小 磁场”列中。由

11、于恒源流本身不能提供负向电流，当电流减至 0 后，交换恒流输出接线的 极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从 上到下记录相应的输出电压。电流至一 100mA 后，逐渐减小负向电流， 电流到 0 时同样需要交换恒流输出接线的 极性。从下到上记录数据于“增大磁场”列中。根据螺线管上表明的线圈密度，由公式（1 ）计算出螺线管内的磁感应强度 B。由欧姆定律 R=U/I 计算磁阻。以磁感应强度 B 作横坐标，磁阻为纵坐标做出磁阻特性曲线。应该注意，由于模拟传感器的两个磁阻是位于磁通聚集器中，与图 3 相比，我们作 出的磁阻曲线斜率大了约 10 倍，磁通聚集器结构使

12、磁阻灵敏度大大提高。不同外磁场强度时磁阻的变化反映了 GMR 的磁阻特性，同一外磁场强度的差值反映 了材料的磁滞特性。表2 GMR 磁阻特性的测量（磁阻两端电压 4V）磁感应强度/高斯磁阻/ Q减小磁场增大磁场励磁电流/mA磁感应强度/高斯磁阻电流/mA磁阻/ Q磁阻电流/mA磁阻/ Q1001.9121.910901.9111.910801.9111.909701.9101.900601.9081.892501.8911.876401.8521.831301.8071.786201.7631.748101.7251.71351.7091.69601.6921.676-51.6781.6991

13、01.7041.716201.7381.752301.7761.793401.8181.838501.8641.882601.8961.905701.9061.909801.9091.910901.9101.9101001.9101.910三、GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线测量将GMR模拟传感器与比较电路， 晶体管放大电路集成在一起， 就构成GMR开关（数字） 传感器，结构如图14所示。比较电路的功能是， 当电桥电压低于比较电压时，输出低电平。当电桥电压高于比较电压时，输出高电平。选 择适当的GMR电桥并结合调节比较电压，可调节开关传感器开关点-20-100102030图14 GM

14、R开关传感器结构图对应的磁场强度。图15 GMR开关传感器磁电转换特性图15是某种GMR开关传感器的磁电转换特性曲线。当磁场强度的绝对值从低增加到 12高斯时，开关打开（输出高电平），当磁场强度的绝对值从高减小到10高斯时，开关关闭（输出低电平）。实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。实验仪 的4伏电压源接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，“电路供电”接口接至基本特性组件对 应的“电路供电”输入插孔，恒流源接至“螺线管电流输入”，基本特性组件“开关信号输 出”接至实验仪电压表。从50mA逐渐减小励磁电流，输出电压从高电平（开）

15、转变为低电平（关）时记录相应的励磁电流于表3 “减小磁场”列中。当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，输出电压从低电平（关）转变为高电平（开）时记录相应的负值励磁电流于表3 “减小磁场”列中。将电流调至50mA 。逐渐减小负向电流，输出电压从高电平（开）转变为低电平（关）时记录相应的负值励磁电流于表3 “增大磁场”列中，电流到 0时同样需要交换恒流输出接线的极性。输出电压从低电平（关）转变为高电平（开）时记录相应的正值励磁电流于表3 “增大磁场”列中。表3 GMR开关传感器的磁电转换特性测量高电平= V 低电平= V减小磁

16、场增大磁场开关动作励磁电流/mA磁感应强度/高斯开关动作励磁电流/mA磁感应强度/高斯关关开开根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1 ）计算出螺线管内的磁感应强度 B。以磁感应强度B作横座标，电压读数为纵座标作出开关传感器的磁电转换特性曲线。利用GMR开关传感器的开关特性已制成各种接近开关，当磁性物体（可在非磁性物体上贴上磁条）接近传感器时就会输出开关信号。广泛应用在工业生产及汽车，家电等日常生活用品中，控制精度高，恶劣环境（如高低温，振动等）下仍能正常工作。由于仪器故障原因，此步骤无法进行。四、用GMR模拟传感器测量电流GMR模拟传感器在一定的范围内输出电压与磁场强度成线性关系，且灵敏度高，

17、线性范围大，可以方便的将 GMR制成磁场计，测量磁场强度或其它与磁场相关的物理量。作为应用示例，我们用它来测量电流。由理论分析可知，通有电流I的无限长直导线，与导线距离为r的一点的磁感应强度为:B =卩01/2 nr =2 I XIO-7/r(3)磁场强度与电流成正比，在r已知的条件下，测得 B，就可知I。在实际应用中，为了使 GMR模拟传感器工作在线性区，提高测量精度，还常常预先给传感器施加一固定已知磁场，称为磁偏置，其原理类似于电子电路中的直流偏置。I融拄咧模拟传感器测量电流实验原理图实验装置：巨磁阻实验仪，电流测量组件实验仪的4伏电压源接至电流测量组件 “巨磁电阻供电”，恒流源接至“待测

18、电流输入”, 电流测量组件“信号输出”接至实验仪电压表。将待测电流调节至0。将偏置磁铁转到远离 GMR传感器，调节磁铁与传感器的距离，使输出约25mV。将电流增大到300mA ,按表4数据逐渐减小待测电流，从左到右记录相应的输出电压于表格“减小电流”行中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时电流方向为负，记录相应的输出电压。逐渐减小负向待测电流， 从右到左记录相应的输出电压于表格“增加电流”行中。当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时电流方向为正， 记录相应的输出电压。将待测电流调节至0。将偏置磁

19、铁转到接近 GMR传感器，调节磁铁与传感器的距离，使输出约150mV。用低磁偏置时同样的实验方法，测量适当磁偏置时待测电流与输出电压的关系。表4用GMR模拟传感器测量电流待测电流/mA3002001000100200300输出 电压/mV低磁偏置（约 25mV）减小电流26.726.225.625.024.523.923.3增加电流26.726.225.625.024.423.923.3适当磁偏置（约 130.1mV）减小电流132.7131.9131.1130.3129.5128.6127.7增加电流132.8131.9131.1130.1129.4128.6127.7以电流读数作横坐标，电

20、压表的读数为纵坐标作图。分别作出4条曲线。由测量数据及所作图形可以看出，适当磁偏置时线性较好，斜率（灵敏度）较高。由于 待测电流产生的磁场远小于偏置磁场，磁滞对测量的影响也较小， 根据输出电压的大小就可确定待测电流的大小。用GMR传感器测量电流不用将测量仪器接入电路，不会对电路工作产生干扰，既可测 量直流，也可测量交流，具有广阔的应用前景。五、GMR梯度传感器的特性及应用图18用GMR梯度传感器检测齿轮位移将GMR电桥两对对角电阻分别置于集成电路 两端，4个电阻都不加磁屏蔽， 即构成梯度传感器, 如图17所示。图17 GMR梯度传感器结构图这种传感器若置于均匀磁场中，由于4个桥臂电阻阻值变化相

21、同，电桥输出为零。如果磁场存在一定的梯度，各 GMR电阻感受到的磁场不同，磁阻变化不一样，就会有信号输出。 图18以检测齿轮的角位移为例，说明其应用原理。将永磁体放置于传感器上方， 若齿轮是铁磁材料， 永磁体产生的空间磁场在相对于齿牙 不同位置时，产生不同的梯度磁场。a位置时，输出为零。 b位置时，Ri、R2感受到的磁场强度大于R3、R4，输出正电压。c位置时，输出回归零。d位置时，Ri、R2感受到的磁场强 度小于R3、R4,输出负电压。于是，在齿轮转动过程中，每转过一个齿牙便产生一个完整的波 形输出。这一原理已普遍应用于转速（速度）与位移监控，在汽车及其它工业领域得到广泛应用。实验装置：巨磁

22、阻实验仪、角位移测量组件。将实验仪4V电压源接角位移测量组件“巨磁电阻供电”，角位移测量组件“信号输出” 接实验仪电压表。逆时针慢慢转动齿轮，当输出电压为零时记录起始角度，以后每转3度记录一次角度与电压表的读数。转动48度齿轮转过2齿，输出电压变化2个周期。表4齿轮角位移的测量起始角度/度03691215182124转动角度/度018.331.431.319.94.7-9.8-15.1-2.0输出电压2730333639424548/mV起始角度/度1732.231.520.24.4-9.8-15.4-2.2以齿轮实际转过的度数为横坐标，电压表的读数为纵向坐标作图。六、磁记录与读出磁记录是当今

23、数码产品记录与储存信息的最主要方式，由于巨磁阻的出现，存储密度有了成百上千倍的提高。在当今的磁记录领域，为了提高记录密度，读写磁头是分离的。写磁头是绕线的磁芯， 线圈中通过电流时产生磁场，在磁性记录材料上记录信息。巨磁阻读磁头利用磁记录材料上不同磁场时电阻的变化读出信息。磁读写组件用磁卡做记录介质，磁卡通过写磁头时可写入数据，通过读磁头时将写入的数据读出来。同学可自行设计一个二进制码，按二进制码写入数据，然后将读出的结果记录下来。实验装置：巨磁阻实验仪，磁读写组件，磁卡。实验仪的4伏电压源接磁读写组件“巨磁电阻供电”，“电路供电”接口接至基本特性组件对应的“电路供电”输入插孔，磁读写组件“读出

24、数据”接至实验仪电压表。将需要写入与读出的二进制数据记入表6第2行。将磁卡插入，“功能选择”按键切换为“写”状态。缓慢移动磁卡，根据磁卡上的刻度 区域切换“写0”“写1 ”；将“功能选择”按键切换为“读”状态，移动磁卡至读磁头处，根据刻度区域在电压表 上读出电压，记录于表 6第4行。表6 二进制数字的写入与读出十进制数字85二进制数字01010101磁卡区域号12345678读岀电平3.1mV1.983V3.1mV1.983V3.1mV1.983V3.1mV1.983V此实验演示了磁记录与磁读出的原理与过程。【实验数据处理】1.GMR模拟传感器的磁电转换特性测量磁感应强丿度 /高斯输出电压/m

25、V励磁电流/mA磁感应强度/高斯减小磁场增大磁场10030.159289472312339027.143360532312338024.127431582302327021.111502632292306018.095573682232225015.07964474202195.04012.06371579167.2154.6309.047786842129.8114.7206.0318578959275.7103.01592894756.743.251.50796447440.415.30024.319.3-5-1.50796447411.236.910-3.01592894739.452.

26、820-6.03185789573.488.130-9.047786842110.5125.940-12.06371579150.416450-15.07964474189.620060-18.0955736822022470-21.1115026323023180-24.1274315823223290-27.14336053233233100-30.15928947233234以B为横坐标，输出电压 U为纵坐标，作图得:磁感应强度B与输出电压U之间的关系曲线502505D-30-2010010 2Q 30B (Gs).GMR的磁阻特性曲线的测量磁感应强度/高斯磁阻/ Q减小磁场增大磁场励磁

27、电流/mA磁感应强度/高斯磁阻电流/mA磁阻/ Q磁阻电流/mA磁阻/ Q10030.159289471.9912009.041.9722028.399027.143360531.9902010.051.9722028.398024.127431581.9892011.061.9712029.427021.111502631.9882012.071.9692031.486018.095573681.9822018.161.9632037.695015.079644741.9612039.771.9362066.114012.063715791.9262076.841.8982107.48309

28、.0477868421.8882118.641.8602150.53206.0318578951.8522159.821.8242192.98103.0159289471.8182200.221.7932230.8951.5079644741.8022219.751.7672263.72001.7872238.381.7812245.92-5-1.5079644741.7742254.791.7972225.9310-3.0159289471.8002222.221.8122207.5020-6.0318578951.8322183.401.8462166.8430-9.0477868421.

29、8682141.321.8822125.3940-12.063715791.9072097.531.9202083.3350-15.079644741.9462055.491.9552046.0360-18.095573681.9762024.291.9792021.2270-21.111502631.9862014.091.9862014.0980-24.127431581.9872013.081.9872013.0890-27.143360531.9882012.071.9882012.07100-30.159289471.9892011.061.9892011.06磁阻与磁感应强度关系曲

30、线:230D融阴与til感应强废关系曲戟22502200 t215021M20502000-減不眦场 T-増人覘场4、MR模拟传感器测量电流待测电流/mA3002001000100200300输出 电压/mV低磁偏置(约 25mV)减小电流26.726.225.625.024.523.923.3增加电流26.726.225.625.024.423.923.3适当磁偏置(约 130.1mV)减小电流132.7131.9131.1130.3129.5128.6127.7增加电流132.8131.9131.1130.1129.4128.6127.7待测电流与输出电压关系曲线24 0 -低磁响 - J25mV)33 523.013002M XtM 0 1tM 2M 300l(mA)応芳讪幣賈(FM30 imV)甌小mist* 增大HiilU3-En i30-他-仙-12?-300-IM 0 IM 0300I (mA)5、梯度传感器的特性及应用转动角度/度03691215182124输出电压/mV018.331.431.319.94.7-9.8-15.1-2.0转动角度/度2730333639424548输出电压/mV1732.231.520.24.4-9.8-15.4-2.2转动角度与输出电压间的关系曲线:40-1转动角度与输出电斥的关系O3020o o O1 1 (E) SI20