模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第二章

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1、精品文档，仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除第2章 基本放大电路自测题一在括号内用“”和“”表明下列说法是否正确。1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。()2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。()3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。()4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。()5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。()6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。()7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。()二试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号

2、均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h) (i)图T2.2解：图(a)不能。VBB将输入信号短路。图(b)可以。图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。图(e)不能。输入信号被电容C2短路。图(f)不能。输出始终为零。图(g)可能。图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。图(i)不能。因为T截止。三在图T2.3 所示电路中，已知, 晶体管=100，。填空：要求先填文字表达式后填得数。(1)当时，测得，若要基极电流, 则和之和=( )( 565 )；而若测得，则=( )( 3 )。 (2)若测

3、得输入电压有效值时，输出电压有效值，则电压放大倍数( )( -120 )。若负载电阻值与相等，则带上 图T2.3负载后输出电压有效值( )=( 0.3 )V。四、已知图T2.3 所示电路中，静态管压降并在输出端加负载电阻，其阻值为3。选择一个合适的答案填入空内。(1)该电路的最大不失真输出电压有效值( A )；A.2V B.3V C.6V (2)当时，若在不失真的条件下，减小Rw ，则输出电压的幅值将( C )； A.减小 B.不变 C.增大(3)在时，将Rw 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将( B )； A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波(4)若发现电

4、路出现饱和失真，则为消除失真，可将( B )。A.Rw 减小 B.减小 C. 减小五、现有直接耦合基本放大电路如下：A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路D.共源电路 E.共漏电路它们的电路分别如图2.2.1 、2.5.1(a)、2.5.4 (a)、2.6.2 和2.6. 9(a)所示；设图中，且、均相等。选择正确答案填入空内，只需填A 、B 、 (l)输入电阻最小的电路是( C )，最大的是( D、E )；(2)输出电阻最小的电路是( B )；(3)有电压放大作用的电路是( A、C、D )； (4)有电流放大作用的电路是( A、B、D、E )；(5)高频特性最好的电路是( C )；(6)输

5、入电压与输出电压同相的电路是( B、C、E )；反相的电路是( A、D )。六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管，如解图T2.6 所示。图T2.6 解图T2.6习题2.1 分别改正图P2.1 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。 (a) (b) (c) (d)图P2.1解：(a)将-VCC改为+VCC。(b)在+VCC与基极之间加Rb。(c)将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。(d)在VBB支路加Rb，在-VCC与

6、集电极之间加Rc。2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d)图P2.2解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示； (a) (b) (c) (d) 解图P2.22.3分别判断图P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出的表达式。解：图 (a): ，。图(b)：，2.4 电路如图P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时。利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压（有效值）。 (a) (b)图P2.4 解：空载时：；最大不失

7、真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。 带载时：；最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。如解图P2.4 所示。解图P2.4 图P2.52.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的=80, =1k,静态时,。判断下列结论是否正确，在括号内打“”和“”表示。(1) () (2) () (3) () (4) () (5) () (6) () (7) () (8) () (9) () (10) () (11) () (12) ()2.6电路如图P2.6所示，已知晶体管=120，UBE=0.7V，饱和管压降UCES=0.5V。在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集

8、电极电位，应分别为多少？ (1)正常情况；(2)Rb1短路；(3)Rb1开路；(4)Rb2开路；(5)Rb2短路；(6)RC短路； 图P2.6 图P2.7 解:(1),， (2) Rb1短路,。 (3) Rb1开路,临界饱和基极电流，实际基极电流。由于,管子饱和,。(4) Rb2开路,无基极电流,。(5) Rb2短路，发射结将烧毁，可能为。 (6) RC短路, 。2.7电路如图P2.7所示，晶体管的=80 ，。分别计算和时的Q点、和。解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、均相等，它们分别为： 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：时，静态管压降、电压放大倍数分别为：2

9、.8若将图P2.7 所示电路中的NPN管换成PNP管，其它参数不变，则为使电路正常放大电源应作如何变化？ Q点、和变化吗？如变化，则如何变化？若输出电压波形底部失真，则说明电路产生了什么失真，如何消除？解：由正电源改为负电源；Q点、和不会变化；输出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真，对PNP管而言，管子进入截止区，即产生了截止失真；减小Rb。2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管=100，=1.4k。(1)现已测得静态管压降UCEQ=6V，估算Rb；(2)若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少？解：(1)，, (2)由,可得: 。 图P2.92.10在图P2.9所

10、示电路中，设静态时，晶体管饱和管压降。试问：当负载电阻和时，电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于，所以。空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故2.11 电路如图P2.11所示，晶体管=100，=100。(1)求电路的Q点、和；(2)若改用=200的晶体管，则Q点如何变化？(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：(1)静态分析： 图P2.11动态分析： (2) =200时，（不变）； （不变）；（减小）；（不变）。 (3) Ce开路时，（减小）； （增大）； （不变）。2.12 电路如

11、图P2.12所示，晶体管的=80，=1k。(1)求出Q点； (2)分别求出RL=和RL=3k时电路的、和。解：(1)求解Q 点：(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：RL=时； 图P2.12 RL=3k时；输出电阻：2.13 电路如图P2.13 所示，晶体管的=60 , 。(1)求解Q点、和(2)设Us = 10mV （有效值），问,若C3开路，则,解：(1) Q 点： 图P2.13、和的分析：(2)设Us = 10mV （有效值），则若C3开路，则：2.14 改正图P2.14 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。(a) (b) (c) (d)图P2.14解：

12、(a)源极加电阻RS ； (b)漏极加电阻RD；(c)输入端加耦合电容； (d)在Rg 支路加VGG， +VDD 改为VDD改正电路如解图P2.14所示。(a) (b) (c) (d)解图P2.14 2.15已知图P2.21 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。(1)利用图解法求解Q点；(2)利用等效电路法求解、和。 (a) (b) (c) 图P2.15解：(1)在转移特性中作直线，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出。如解图P2.15(a)所示。 (a) (b) 解图P2.21在输出特性中作直流负载线，与的那条输出特性曲线的交点为Q 点，。如解图P2

13、.21(b)所示。(2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。2.16已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解电路的Q 点和。 (a) (b)图P2.16 解：(1)求Q 点：根据电路图可知，。从转移特性查得，当时的漏极电流：因此管压降 。(2)求电压放大倍数：2.17电路如图P2.17 所示。（1）若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施？若输出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施？（2）若想增大，则可采取哪些措施？解：（1）输出电压波形底部失真，类似于NPN型三极管的饱和失真，应降低Q，故可减小R2或增大R1、RS；若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大R2或减小R1、RS。（2）若想增大，就要增大漏极静态电流以增大，故可增大R2或减小R1、RS。2.18图P2.18中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN 型、PNP 型、N 沟道结型 )及管脚(b 、e 、c 、d 、g 、s ) 。 (a) (b) (c) (d)(e) (f) (g)图P2.18 解：(a)不能。(b)不能。(c)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。(d)不能。(e)不能。(f)构成PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。(g)构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。【精品文档】第 8 页