射频推挽场效应晶体管振荡器
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1、射频推挽场效应晶体管振荡器的高输出功率图片:描述:这是一个标准的推拉力振荡器的基础上,功率MOSFET晶体管。图片:PAD5if+ C5 ch描述:图片:射频推挽场效应晶体管振荡器的高输出功率随着电路显示在这里,您可以创造高频率的电磁波非常高的输出 功率。可能的应用实验,无线电力传输,射频转发器,特斯拉线圈等。 依赖于线圈,电容器和冷却的晶体管的输出功率在20W的范围 和更可以得到。在很短的距离,其他电子电路可能会受到干扰甚至摧毁。广播 RFID技术,防盗,无线局域网,医疗器械(心脏起搏器!)可 干扰大面积!从来没有经营这条赛道上没有采取预防措施!这可能是非法操作在你的国家!组成部分的数值:工
2、作电压为15V直流如果您希望使用较小的工作电压,则必须增加R2和R3的阻值。振荡开始时压降的R2响应。R3的达到了 MOSFET的thresold电压,约。4 .至6V场效应管:IRF510受体 1,的 R4 100,000R2 的,R3 的 27KC4,C5: 100uC1选择您想要的频率C2,补体C3加州10 %的C1素D1,D2类15V Z型二极管阿PushPull振荡器需要一个线圈的中心抽头。对于我的测试中 我用12打开1毫米绝缘铜线,直径约40毫米。该中心抽头连接到PAD1频率范围从200kHz至10MHz时生成使用此线圈。共振频率的计算方法是(约)重要的!电容器,特别是的C1应低ESR ,不然他们将会升温和被摧毁!发光二极管连接到一个小的接收线圈照亮了约20厘米的距离。在10厘米,它成为热点,并最终被摧毁!
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