各种工艺参数小结
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1、SMIC130nm工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K3.3VNMOSmn330.35u0.15u7nm4.93fF/um20.596V0.0371827183uA/V23.3VPMOSmp330.30u0.15u6.9nm5fF/um2-0.66V0.010955uA/V2CSMC180nm工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K3.3VNMOSmn330.35u0.22u6.57nm5.26fF/um20.70V0.0336206V2179uA/3.3PNMOSmp330.3u0.22u6.57nm5.26fF/um2-0.65V0.00925V249uA/
2、SMIC65nm工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K2.5VNMOSn25110.28u0.3u5.62nm6.14fF/um20.584V0.033037203uA/V22.5VPMOSP25110.28u0.3u5.78nm5.97fF/um2-0.601V0.01101366uA/V2表(1)表(2)表(3)65nm工艺小结工作温度:-40Cto125C上海350nm工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K3.3VNMOSmn3312.8nm2.69fF/um20.7016V0.0404257109uA/V23.3VPMOSmp3312.4nm2.785fF/um2-0.9508V0.0219561uA/V2NMOS管l值的测量:经计算ln=0.072PMOS管l值的测量:经计算lp=0.031NMOS管电容+cgso=1.2e-010+dcgso_n25llcgdo=1.2e-010+dcgdo_n25ll(覆盖电容F/m)南京那边目前还没有给PDK文件,所以ESD和PAD现在的情况还不清楚,
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