双向可控硅及触发电路

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1、双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功 率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触 点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其 触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加 载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的 触发常采用过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零 触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的

2、电压时并能够提供足够 的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流 方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、 T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）PINNING - SOT82PIN CONFIGURATION SYMBOLPINDESCRIPTION1main terminal 12main terminal 23gatetabmain termini al 2 -T1I1GLIMITING VALUESUmiting values in accordance with th

3、e Absolute Maximum System (I EC 134)SYMBOLPARAMETERCONDmONSMIN.MAX.UNITRepetitive peak off-state voltages(-5U0500-6006001-800800VItemRMS on-state current Non-repetitive peakfull sine wave; w 107 Cfull sine wave; T = 25 C prior to-、4 .I推荐电路:Typical circuit tor usewhen hot line switching is required.

4、In this circuit the hot: side of the line is switched and the load connected to the cold or neutral side. The load may be connected to either the neutral or hot line.Rin is calculated sothat Ip i& equal to the rated Ift of the part 15mA1ortheMOC30Bt 10 mA for the MOC3062, and 5 mA for the MOC30EI3 T

5、he 39 ohm resistor and 0 01 xF capacitor are if or snubbing of the triac and may or may not be necessary depending upon the particular triac and load used为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发 脉冲，且触发脉冲电压应大于4V，脉冲宽度应大于20us.图中BT为变压器，TPL521-2为 光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止， 三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，

6、产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51的 外部中断0的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然 后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压输出波形如图2所示。图1过零检测电路图2A、日两点电压输出波形、52K过零触发电路电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的 一种，用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用，R6为触发限流电阻，R7为BCR门 极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51的P1. 0引脚输出负脉冲信号时 T2导通，MOC3061导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向

7、可控硅接感性交流 负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反 向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电 压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一 般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中的 C2、R8为RC阻容吸收电路。图3过零敢安电路光耦合双向可控硅驱动器电路这种器件是一种单片机输出与双向可控硅之间较理想的接口器件。它由输入和输出两部分组成，输入部分 是一珅化嫁发光二极管。该二极管在515mA正向电流作用下发出足够强度的红外线，触发输出部

8、分。输出 部分是一硅光敏双向可控硅，在紫外线的作用下可双向导通。该器件为六引脚双列直插式封装，其引脚配 置和内部结构见下图：有的型号的光耦合双向开关可控硅驱动器还带有过零检测器。以保证电压为零（接近于零）时才可触发可控 硅导通。如 MOC3030/31/32（用于 115V 交流），MOC3040/41 （用于 220V 交流）。下图是过零电压触发双向可控硅驱动器MOC3040系列的典型应用电路。MOC3061推荐电路图的误解：我最开始忽略了6极与T1之间的关系，将MOC3061的4、6两脚接在了6极与T1 之间，电路示意图如下：（由于没有找到MOC3061，用了一个开关表示）360口V: -

9、1.59 mV-V（jllMD： M.5 mVM侑效ff）:22.5 mV 嫩直瀚：*8的 I: L.59 mA-wi 丰 王 丁，口r u i.f. . . . E&ff）： 22.5mA .： .古:六，Tl -.Vi-10.5 mV-VQhHBlmV - 有效值）：22,5洲 址（直瀚：I: 10.5 mA:Iflli昙jgmA .I商效I）： 22.6 mA i （直片？ “g，T 频率：50.4 Hz ；R4频50.0 Hz:此时无论是打开开关、和关闭开关（驱动MOC306或者不驱动MOC3061 ）可控 硅都是导通的，即不能关闭可控硅，百般纠结和查看资料后才发现G极和T1之间 的关

10、系，安照这个电路接的话，不管J3开路时，G极的电压等于T2的电压，当交 流电流过双向可控硅时，G极与T1之间总存在一个电压差，即T1与T2之间的电压 差，这个电压差就导通了可控硅，所以双向可控硅虽然没有正、负极的区别，却 有口、T2的区别。光耦选型表型号功能型号功能4N25晶体管输出MOC5009过零触发可控硅输出4N26晶体管输出MOC5010过零触发可控硅输出4N27晶体管输出MOC80214N28晶体管输出MOC80804N29达灵顿输出MOC81004N30达灵顿输出MOC81024N32达灵顿输出MOC81114N33达灵顿输出MOC81124N35晶体管输出MOC81134N36晶

11、体管输出MOC82044N37晶体管输出TLP5211晶体管输出单光耦4N38TLP5212晶体管输出双光耦4N39单向可控硅输出TLP5214晶体管输出四光耦6N135高速晶体管输出TLP6206N136高速晶体管输出TLP62116N137高速TIL逻辑输出TLP62126N138达灵顿输出TLP62146N139达灵顿输出TLP624MOC602TLP631MOC635TLP632MOC641TLP651MOC3000TLP721MOC3009TIL113达灵顿输出MOC3010双可控硅驱动输出TIL117晶体管输出MOC3011双可控硅驱动输出PC817单光耦MOC3020双可控硅驱动

12、输出PC8171MOC3021双可控硅驱动输出PC8172MOC3022可控硅驱动输出PC8174MOC3023可控硅驱动输出PC827双光耦MOC3030可控硅驱动输出PC847四光耦MOC3031可控硅驱动输出PC900高速晶体管输出MOC3040可控硅驱动输出CNY17-3晶体管输出MOC3041双可控硅驱动输出H11D1高压晶体管输出MOC3052过零触发可控硅输出H11A2晶体管输出MOC3060过零触发可控硅输出H11G2电阻达林顿输出MOC3080过零触发可控硅输出HCPL2530MOC3062过零触发可控硅输出HCPL2531MOC3081过零触发可控硅输出HCPL2630MOC3082过零触发可控硅输出HCPL2631MOC3083过零触发可控硅输出HCPL2730