有机合成反应理论

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1、有机合成反应理论第一章 有机合成反应理论有机合成反应理论本章内容 1.1 单元反应的分类 1.2 有机反应的基本过程 1.3 脂肪族取代反应理论 1.4 芳香族取代反应理论 1.5 自由基反应理论有机合成反应理论1.1 单元反应的分类 单元反应：为了在脂链、脂环、芳环、杂环上引入或者形成各种取代基，所采用的各种化学反应。常见的取代基 单元反应分类：根据取代基类型分类：磺化、硝化、卤化、烷基化 根据反应机理分类：芳环上的H被各种取代基取代的反应（取代）；芳环上的取代基转变为另一种取代基（置换）；形成杂环或新的碳环的反应（成环缩合）。有机合成反应理论常见的取代基 1.-SO3H,-SO2Cl,-S

2、O2NH2 2.-NO2,-NO 3.-Cl,-Br,-F,-I,-CH2Cl,-CHCl2,-CCl3,-CF3等 4.-NH2,-NHAr,-NHOH,-NHNH2,-NHAc,-NHR,-NRR 5.-R 6.-COOH,-COR,-COAr,-COH,-COOR,-COCl,-CONH2 7.-OH,-OR,-OAr,-OAc 8.-N2+Cl-,-N2+HSO4-,-N=NAr有机合成反应理论1.2 有机反应的基本过程 五个基本过程：键的断裂 链的形成 键的断裂与形成同步发生 分子内重排作用 电子传递 有机合成反应理论键的断裂ABC N NCNNCCH3CH3CH3CH3NC CCH

3、3CH32N2+6070oCCl2Heat or LightCl2(a)(b)ABH3C CCH3CH3ClH3C CCH3CH3+ClH3C CCH3CH3H3C CCH3CH3OH2H3C CCH3CH3OH+H均裂异裂有机合成反应理论键的形成 两个游离基的结合；两个相反离子的结合；一个离子和一个中性分子的结合。(CH3)3C+OH2(CH3)3C-+OH2Cl-+AlCl3AlCl4-有机合成反应理论键的断裂和形成同步发生 断裂一个单键；形成一个单键。一个双键转化形成单键同时形成一个单键。有机合成反应理论分子内重排CH3CCH3CH2+CH3CH3C+CH2CH3CH3 有机合成反应理论

4、电子转移 有机合成反应理论1.3 脂肪族取代反应理论 1.3.1 脂肪族亲核取代反应；同步取代反应：SN2历程；先消除再取代反应：SN1历程；先加成再消除反应：四面体历程 1.3.2 脂肪族亲电取代反应。双分子历程；单分子历程；取代伴随双键移动。有机合成反应理论1.3.1 脂肪族亲核取代反应通式：RX+NuR Nu+XSN反应：S取代（substitution),N亲核（nuclear);R-X：底物；Nu-：亲核试剂、进入基团；X-：离去基团。典型反应与应用：卤代烷的各类取代反应（P1表11）。有机合成反应理论1.3.1 脂肪族亲核取代反应反应历程：同步取代（SN2历程）先消除后加成（SN1

5、历程）先加成后消除（四面体历程）有机合成反应理论RXNu+NuRXRNu+X慢快过渡态SN2历程历程+慢快C BrHHHOH-CHBrHOHH过渡态CHOHHHBr亲核试剂从反应物离去基团背面亲核试剂从反应物离去基团背面向碳原子进攻，形成一个较弱的向碳原子进攻，形成一个较弱的键；键；同时，离去基团与碳原子的键有同时，离去基团与碳原子的键有所减弱，两者与碳原子成直线形所减弱，两者与碳原子成直线形状，碳原子上另外三个键逐渐由状，碳原子上另外三个键逐渐由伞形转变为平面，形成过渡态；伞形转变为平面，形成过渡态；形成过渡态消耗的能量为活化能形成过渡态消耗的能量为活化能D DE，过程需要较大能量，是比较，

6、过程需要较大能量，是比较慢的一个过程，控制反应速度慢的一个过程，控制反应速度反应动力学与底物和亲核试剂浓反应动力学与底物和亲核试剂浓度都有关系。度都有关系。DENu-+RX-NuRXRNu+X-反应进程能量SN2反应能量变化图有机合成反应理论+XNuRNu慢快RXR+RNu-+R3CXR3CNuR3C-Nu+X-反应进程SN1历程历程反应分步进行；底物先离解形成碳正离子与带负电荷的离去基团，这种离解过程需要消耗能量，是控制反应速度的慢的一步。然后，离解形成的碳正离子立即与亲核试剂反应，这一过程的速度极快，是快的一步反应动力学只与底物浓度有关。有机合成反应理论反应的影响因素 烷基结构：空间效应和

7、电子效应空间效应和电子效应 SN2历程反应，空间效应空间效应决定；SN1历程反应，电子效应电子效应决定。立体化学和重排：SN2-构型翻转构型翻转；SN1-消旋消旋。进入基团：碱性和极化性 碱性碱性强，亲核性强，但是容易受溶剂影响（溶剂选择）；可极化性可极化性大，亲核性强，不受溶剂影响。离去基团：碱性弱，易离去 溶剂效应：SN1历程-质子溶剂酸性酸性强有利，溶剂极性溶剂极性大好；SN2历程-偶极偶极溶剂比较好，溶剂极性小极性小较好。有机合成反应理论常见脂肪族亲核取代反应la 氧亲核试剂氧亲核试剂酯水解、羧酸的酯化、酯的醇解、酰卤的醇解等，可以应用于涂料粘合剂的生产中。lb硫亲核试剂硫亲核试剂 S

8、H基或SR基在烷基碳上攻击，主要用于表面活性剂的制备中。lc 氮亲核试剂氮亲核试剂 N烷化、N酰化；酰胺和酰亚胺的N烷化、N酰化；以及亚硝酸根(N02)、叠氮基(N3)、异氰酸根(NCO)等，可以用于生产阳离子表面活性剂。ld 卤亲核试剂卤亲核试剂常用卤化氢，无机酰卤等，可以用于卤代烷的生产。le 在磺酰基硫上的亲核取代反应在磺酰基硫上的亲核取代反应 表面活性剂。有机合成反应理论1.3.2 脂肪族亲电取代反应CXYCXYSE2（前面）构型保持YSE2（后面）构型转化CXY CXCXYZCXYZSEi反应历程：+RYX慢快RXR+RYSE1C C CXY+CYC CX+双分子历程SE2双分子历程

9、SEi单分子历程SE1亲电取代伴随双键移动有机合成反应理论 1.4.1 芳香族亲核取代反应 1.4.1.1 反应动力学与历程；1.4.1.2 对氢的亲核取代反应；1.4.1.3 对非氢的亲核置换反应。1.4.2 芳香族亲电取代反应 1.4.2.1 苯的一元亲电取代反应；1.4.2.2 苯的二元亲电取代反应；1.4.2.3 苯的多元亲电取代反应；1.4.2.4 稠环芳烃的亲电取代反应。1.4 芳香族取代反应有机合成反应理论1.4.1.1 芳香族亲核取代反应反应类型：反应类型：芳环上氢的亲核取代芳环上已有取代基的亲核取代通过苯炔中间体的亲核取代反应历程：双分子反应历程单分子反应历程苯炔中间体历程亲

10、核试剂类型：负离子：OH-,RO-,ArO-等；极性分子中偶极的负端：含氮化合物。芳烃的亲核反应要难于亲电反应：苯环上电子云密度较高，不利于亲核试剂的进攻。有机合成反应理论1.4.1 反应动力学与历程双分子反应（吸电子基团活化的取代苯）XNOO+NuXNuNOOXNuNOOXNuNOOXNuNOOXNuNOONuNOO络合物共振式络合物产物证实：迈森海默络合物的获得（P49，37）有机合成反应理论1.4.1 反应动力学与历程+Ar慢快N2+NuArArN2+ArNu单分子反应（芳香重氮盐的亲核置换）证实：NN15+N NN N15有机合成反应理论1.4.1 反应动力学与历程ClNH2+NH2-

11、通过苯炔中间体的取代（氯苯和溴苯的氨解）证实：+Cl14NH21414 NH248%52%有机合成反应理论1.4.2 对氢的亲核取代反应 发生十分困难；吸电子基团取代有利于反应进行。相对于氢来说比较容易，具体可以见P5253；用途：用于在苯环上直接引入直接在芳环上引入-OH、-OR、-OAr、-NH2、-HHR、-NRR、-NHAr、-CN和-SH等，或者为了在指定位置引入磺基或卤基。1.4.3 对非氢的亲核取代反应 有机合成反应理论1.4.2 芳香族亲电取代反应苯的分子结构：容易发生亲电亲电反应；加成会破坏共轭结构，因此只能发生取代取代反应C原子是sp2杂化，p轨道相互重叠，形成一个大p键；

12、p电子高度离域，环上下面电子云密度高；结构特点结构特点亲电取代反应亲电取代反应有机合成反应理论1.4.2 芳香族亲电取代反应“p络合物”和“络合物”:CF3+NO2+F-+BF3CF3NO2+BF4-CF3HNO2+BF4-CF3NO2+HF+BF3p p络络合合物物 络络合合物物反反应应物物亲亲电电试试剂剂生生成成物物芳烃与亲电试剂接触时，它先与芳环平面两侧的环状p电子发生松散结合松散结合，形成p络合物，但是此时没有没有化学键形成。对于亲电能力较强的试剂，形成p络合物后，将进一步从芳环夺取一对电子，与环上的某一碳原子形成键，称作络合物。比较稳定。有机合成反应理论1.4.2 芳香族亲电取代反应

13、ArH+E+k1k-1ArHE+ArHE+k2ArE+H+反应历程：第一步第二步亲电试剂E和芳烃先形成络合物。络合物由于破坏原来的芳香结构，进一步理解形成取代产物。机理的证明可以通过同位素效应同位素效应进行：+NO2+k1k-1HNO2+k2NO2用混酸作为硝化试剂分别对苯、氘代苯和氚代苯进行硝化时，测得三者的反应速度几乎相等，即没有同位素效应。说明反应中k2k1,k-1，即生成络合物是反应速度的控制阶段，而脱质子是快速阶段。P23，表1-3更多例子。有机合成反应理论1.4.2 芳香族亲电取代反应EE反应的可逆性：吸电子基团吸电子基团取代后，导致苯环上电子云密度降低，特别是与吸电子基团相连的碳

14、原子电子云密度降低更多，H更加不容易进攻，所以反应不可逆反应不可逆。推电子基团推电子基团取代后，导致苯环上电子云密度增加，尤其是与吸电子基团相连的碳原子电子云密度增加更多，有利于H进攻，所以反应可逆反应可逆。特例：磺化反应的可逆。特例：磺化反应的可逆。SO3-+H3O+-O3SH+H2O+H-O3SH2OH2SO4亲电的H距离苯环距离很小，容易进攻，导致反应可逆。有机合成反应理论1.4.2 芳香族亲电取代反应 诱导效应 由相邻键的极化而引起某个键的极化，对邻键影响最大。给电子诱导效应：使电子云向苯环偏移增强（负电荷基团）；吸电子诱导效应：使电子云向取代基偏移消弱（杂原子基团）；各种取代基的诱导

15、效应：P27表1-5。共轭效应 共轭体系内取代基引起的共轭体系的电子云密度的变化，因而对分子的偶极矩产生影响；给电子共轭效应供给苯环电子（富电子基团，氨基等）；吸电子共轭效应移走苯环电子（缺电子基团，硝基等）。超共轭效应 键与p键共轭的效应；一般都是烷基；烷基中CH键数量多的超共轭效应大。取代基的电子效应：有机合成反应理论1.4.2.2 苯的二元亲电取代反应 意义：一元取代苯再进行一次亲电取代的反应。反应结果：形成二元取代苯。目的：制备各种芳香族中间体产品。关键：第二个基团的取代位置和难易程度。有机合成反应理论 取代基只有正的诱导效应（如烷基），结果：使苯环上面电子云密度增加，活化亲电试剂和苯

16、环间的反应。取代基中与芳环相连的原子有孤对电子，结果：例子：O,-NR2,-NHR,-NH2,-OH,-OR,-F,-Cl,-Br,-I等；都具有负的诱导效应，降低苯环上面的电子云密度；然而，由于孤对电子还可以与苯环发生正的共轭效应，一般共轭效应大于负的诱导效应，最终结果使苯环电子云密度增加，活化亲电试剂和苯环间的反应；卤素由于其正的共轭效应小于负的诱导效应，而使苯环与亲电试剂的反应钝化，是比较特殊的情况。取代基具有负的诱导效应，而且与苯环相连的原子没有孤对电子，结果：例子：-NR3,-NO2,-CF3,-CN,-SO3H,-CHO,-COR,-COOH等；使苯环上电子云密度降低，钝化亲电试剂

17、与苯环的取代反应。二元取代的定位规律：1.4.2.2 苯的二元亲电取代反应取代基的分类（P29表1-7)：有机合成反应理论二元取代的定位规律：1.4.2.2 苯的二元亲电取代反应苯环定位规律：不同类型取代苯环上有效电荷分布。000000Cl+0.0429+0.116+0.0282NO2+0.260+0.192+0.274N+0.10-0.02-0.030.00-0.02取代基对苯环上电子云密度有很大影响；电子云密度不同，亲电试剂进攻的难易程度不同；有机合成反应理论二元取代的定位规律：1.4.2.2 苯的二元亲电取代反应推电子取代基取代苯的二元亲电取代定位规律：推电子取代基使其邻对位带有静态的负

18、电荷，有利于亲电试剂的进攻有利于亲电试剂的进攻；推电子取代基取代苯在亲电试剂进攻其邻对位形成的络合物由于有推电子取代基参加其正电荷的分散，因而相对于没有推电子取代基参加正电荷分散的间位络合物稳定，有利于降低反应的活化能有利于降低反应的活化能（P30，168、169）；1.1.亲电取代反应比没有取代苯容易，而且以邻对位取代为主亲电取代反应比没有取代苯容易，而且以邻对位取代为主。N+0.10-0.02-0.030.00-0.02OHHClOHClH邻对位取代络合物中的稳定因素OHClHOHClHOHClH间位取代络合物中推电子取代基不能参与正电荷分散有机合成反应理论二元取代的定位规律：1.4.2.

19、2 苯的二元亲电取代反应吸电子取代基取代苯的二元亲电取代定位规律：吸电子取代基使苯环共轭电子体系电子云密度降低，不有利于亲电试剂有利于亲电试剂的进攻，相比而言的进攻，相比而言，间位比较有利于亲电试剂进攻，间位比较有利于亲电试剂进攻；吸电子取代基取代苯在亲电试剂进攻其邻对位形成的络合物由于存在正电荷集中的共振结构，因而其能量相对于间位络合物高，相应的反应活化能大，不利于反应发生利于反应发生（P32，170、171、172）；1.1.亲电取代反应比没有取代的苯难于发生，反应以间位取代为主亲电取代反应比没有取代的苯难于发生，反应以间位取代为主。邻对位取代络合物中的不稳定因素间位取代络合物中没有类似的

20、不稳定结构NO2+0.260+0.192+0.274NOONO2HNOONO2HNOONO2HNNO2HOONOOHNO2有机合成反应理论二元取代的定位规律：1.4.2.2 苯的二元亲电取代反应卤素取代苯的二元亲电取代定位规律：卤素的共轭推电子效应弱于吸电子诱导效应，因而最终导致卤素取代苯上电子云密度要低于未取代的苯，不利于亲电试剂进攻不利于亲电试剂进攻；亲电试剂进攻卤代苯邻对位时形成的络合物由于有卤素的参与而能够分散部分正电荷，使其得到一定程度的稳定，能量要低于没有卤素参与分散的间位络合物，因而邻对位反应占优势邻对位反应占优势（P33，173、174、175）；1.1.亲电取代反应比没有取代

21、的苯难于发生，反应以邻对位取代为主亲电取代反应比没有取代的苯难于发生，反应以邻对位取代为主。邻对位取代络合物中的稳定因素间位取代络合物中没有类似的稳定结构Cl+0.0429+0.116+0.0282ClHNO2ClNO2HClNO2HClNO2HClNO2H有机合成反应理论影响二元取代产物异构体比例的因素：1.4.2.2 苯的二元亲电取代反应影响二元取代产物异构体分配比例的因素是十分复杂的，主要包括：取代基的电子效应和空间效应；介质与底物的相互作用；介质与进攻试剂的相互作用，以及由此引起的进攻试剂与底物之间的相互作用的改变；不同条件下引起的过渡态结构改变等。有机合成反应理论影响二元取代产物异构

22、体比例的因素：1.4.2.2 苯的二元亲电取代反应影响因素已有取代基的空间效应和极性效应反应剂的空间效应和极性效应反应条件的影响极性类似时，空间效应主导；烷基苯硝化时候体积增大，对位产物增多极性相差大时，极性效应主导。卤代苯硝化时从F到I，虽然体积增大，但是邻位产物增加，就是由于极性效应的影响。亲电试剂的体积大，对位产物多；个别情况亲电试剂可以与已有取代基形成络合物，使邻位产物含量增加温度：增加温度，可以使反应从不可逆转变成可逆，导致热力学稳定产物增加；（P38）催化剂：影响亲电试剂能力；介质：通过溶剂化程度影响底物和亲电试剂。有机合成反应理论苯的二元亲电取代分速因素：1.4.2.2 苯的二元

23、亲电取代反应分速因素：取代苯中某一位置的二元取代速度与苯的一个位置的一元取代速度之比。可以用于比较取代苯上各个位置的反应速率。其中 fz z位置的分速因素；z 邻、对、间位；y z位置的数目；kr 取代苯与苯的相对取代反应速率常数；x z位置异构产物的分数。yxkfrz/6例子：甲苯硝化反应，产物：邻位61.4%，间位1.6%，对位37%，kr 27,求分速因素！94.5937.0271630.1016.0272673.49614.02726对间邻fff有机合成反应理论1.4.2.3 苯的多元亲电取代反应 苯环上已有取代基的定位效应具有加和性；当苯环上已有取代基对新取代基定位效应不一致时，新取

24、代基进入苯环的位置取决于已有取代基定位效应的强弱；当苯环上两个取代基都是钝化基时，很难再进入新取代基；取代基一般不进入1,3-取代苯的2位。P40。有机合成反应理论1.4.2.4 稠环芳烃的亲电取代反应76584321萘的一元亲电取代：EHEHEH-取代的中间体正离子共振结构-取代的中间体正离子共振结构通常条件下，亲电取代时，位比位活泼，主要得到a位取代产物；高温磺化时得到热力学稳定产物位取代产物（空间位阻）95%5%90%10%85%15%硝化氯化低温磺化有机合成反应理论1.4.2.4 稠环芳烃的亲电取代反应萘的二元亲电取代：已有取代基为活化基团时，第二取代基进入已有取代基相同环；已有取代基为钝化基团时，第二取代基进入另外一个环。蒽醌亲电取代：蒽醌磺化时候有无汞盐存在对产物取代位置有很大影响，无汞盐催化时以位为主，有汞盐存在时候以位为主；蒽醌的二元亲电取代定位规律与萘二元亲电取代定位规律类似。有机合成反应理论1.4.5 自由基反应 重要的反应类型；气相和非极性溶剂中常见；反应是典型的连锁反应；容易转移和终止