国外集成电路命名方法.

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1、国外集成电路命名方法器件型号举例说明( 缩写字符： AMD 译名：先进微器件公司（美） )AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围分类L ：低功耗；D：铜焊双列直插C：商用温度，没有标志的S ：肖特基；（多层陶瓷）；（ 0-70 ）或为标准加工LS ：低功耗肖特基；L：无引线芯片载体：（ 0-75 ）；产品，标有21：MOS存储器；P：塑料双列直插；M：军用温度，B 的为已25：中规范（ MSI）；E：扁平封装（陶瓷扁平） ；（ -55-125 ）；老化产品。26：计算机接口；X：管芯；H：商用，27：双极存储器或 EPROM；A：塑料球栅阵列；（ 0-110 ）；28：MOS

2、存储器理；B：塑料芯片载体I ：工业用，29：双极微处理器；C、D：密封双列；（ -40 85 ）；54/74 ：同 25；E：薄的小引线封装；N：工业用，60、61、66：模拟，双极；G：陶瓷针栅陈列；（ -25 85）；79：电信；Z、Y、 U、K、H：塑料K：特殊军用，80：MOS微处理器；四面引线扁平；（ -30 125 ）；81、82：MOS和双极处围电路；J ：塑料芯片载体（ PLCC）；L：限制军用，90：MOS；L：陶瓷芯片载体（ LCC）；（ -55-85 ）91：MOS RAM：V、M：薄的四面125。92：MOS；引线扁平；93：双极逻辑存储器P、R：塑料双列；94：MO

3、S；S：塑料小引线封装；95：MOS外围电路；W：晶片；1004： ECL存储器；也用别的厂家的符号：104 ：ECL存储器；P：塑料双列；PAL：可编程逻辑陈列；NS、N：塑料双列；98：EEPROM；JS、J ：密封双列；99：CMOS存储器。W：扁平；R：陶瓷芯片载体；A：陶瓷针栅陈列；NG：塑料四面引线扁平；Q、QS：陶瓷双列。器件型号举例说明( 缩写字符： ANA 译名：模拟器件公司（美）)AD644ASH/883BANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：模拟器件编号A：第二代产品；I 、 J、K、L、 M：D：陶瓷或金属气MIL-STD-HA：混合DI ：介质隔离产（

4、0-70 ）；密双列封装883B 级。A/D；品；A、 B、C：（多层陶瓷）；HD：混合Z：工作在 +12V（ -25-85 ）；E：芯片载体；D/A。的产品。（ E：ECL）S、 T、U：F：陶瓷扁平；（ -55-125 ）。G：PGA封装（针栅阵列）；H：金属圆壳气密封装；M：金属壳双列密封计算机部件；N：塑料双列直插；Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；CHIPS：单片的芯片。同时采用其它厂家编号出厂产品。通用器件型号举例说明 ( 缩字字符： BUB 译名：布尔 - 布朗公司（美） )ADC803XXXX首标器件编号通用资料温度范围封装筛选水平A：: 改进参数性能；J、 K、L：M：铜焊的金属壳

5、封装；Q：高可L：自销型；（ 0-70 ）；L：陶瓷芯片载体；靠产品；Z：+ 12V 电源工作；A、 B、C：N：塑料芯片载体；/QM：HT：宽温度范围。（ -25-85 ）；P：塑封（双列）；MILR、 S、T、V：H：铜焊的陶瓷封装STD（ -55-125 ）。（双列）；883 产品。G：普通陶瓷（双列） ；U：小引线封装。模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符： BUB 译名：布尔 - 布朗公司（美） )-XXX首标器件编号温度范围封装筛选水平H、 J、K、L：M：铜焊金属壳封装；Q：高可靠产品；（0-70 ）；P：塑封；/QM： MIL-STD-A、 B、C：（-25-85 ）；G：陶瓷

6、。883 产品。R、 S、T、V：（-55-125 ）。军用器件产品型号举例说明（放大器/ 多路转换器 /ADC/VFC）OPA105XM/XXX首标器件编号温度范围封装高可靠性等级V：（ -55-125 ）；M：金属的；MIL-STD-883B。U：（ -25-85 ）；L：芯片载体。W：（ -55-125 ）。DAC的型号举例说明DAC87XXXXX/XXX首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B 表示V:(-55-125) ；CBI：互补二进制V：电压输出；U：（ -25-85 ）。输入；I ：电流输出。COB：互补余码补偿二进制输入；CSB：互补直接二进制输入；CTC：

7、互补的两余码输入。首标的意义：ADC： A/D 转换器；OPA：运算放大器；ADS：有采样 / 保持的 A/D 转换器；放大器INA：仪用放大器；DAC： D/A 转换器；PGA：可编程控增益放大器；MPC：多路转换器；ISO：隔离放大器。转换器PCM：音频和数字信号处理的A/D 和 D/A 转换器。MFC：多功能转换器；SDM：系统数据模块；MPY：乘法器；SHC：采样 / 保持电路。模拟函数DIV：除法器；LOG：对数放大器。PWS：电源（ DC/DC转换器）；PWR：电源（同上）；VFC：电压 - 频率转换器；混杂电路REF：基准电压源；频率产品UAF：通用有源滤波器。XTR：发射机；R

8、CV：接收机。器件型号举例说明 ( 缩写字符： CYSC译名：丝柏（ CYPRESS）半导体有限公司)CY7C128-45CMB首标系列及速度封装温度范围加工器件编号B：塑料针栅阵列；C：（ 0-70 ）；B：高可靠。D：陶瓷双列；L：（ -40-85 ） ；F：扁平；M：（ -55-125 ）。G：针栅阵列（ PGA）；H：密封的LCC（芯片载体）；J ： PLCC（密封芯片载体） ；K： CERPAK；L： LCC；P：塑封；Q： LCC；R： PGA ；S：小引线封装（SOIC）；T： CERPAK；V： SOJ ；W： CERDIP（陶瓷双列）；X：小方块（ dice ）；HD：密封双

9、列；HV：密封直立双列；PF：塑料扁平单列(SIP)；PS：塑料单列（ SIP）；PZ：塑料 ZIP。缩写字符： FSC 译名：仙童公司（美） A741TCFSC首标器件封装形式温度范围F：仙童（快捷）电路编号D：密封陶瓷双列封装C：商用温度（ 0-70/75 ）；SH：混合电路；（多层陶瓷双列） ；CMOS：（ -40-85 ） A：线性电路。E：塑料圆壳；M：军用温度（ -55-125 ）F：密封扁平封装（陶瓷扁平） ；L： MOS电路（ -55-85 ）；H：金属圆壳封装；混合电路（ -20-85 ）；J ：铜焊双列封装（ TO-66）；V：工业用温度（ -20-85 ），K：金属功率封

10、装（ TO-3）（-40-85 ） 。（金属菱形）；P：塑料双列直插封装；R：密封陶瓷 8 线双列封装；S：混合电路金属封装（陶瓷双列， F6800 系列）；T：塑料 8 线双列直插封装；U：塑料功率封装（ TO-220）；U1：塑料功率封装；W：塑封（ TO-92）；SP：细长的塑料双列；SD：细长的陶瓷双列；L：陶瓷芯片载体；Q：塑料芯片载体；S：小引线封装（ SOIC）。该公司与 NSC合作，专门生产数字集成电路。除原有的 54/74TTL 、HTTL、STTL、LSTTL、ASTTL、ALSTTL、FAST等外，还有 CMOS 的 FACT，内含 54/74AC 、ACT、 ACQ、

11、ACTQ、FCT等系列。器件型号举例说明缩写字符： HAS 译名：哈里斯公司（美）HM16508B2HAS系列封装器件种类/ 产品温度范围音标A：模拟电路；0：芯片编号等级种类 :1:(-55-200) ；C：通信电路；1：陶瓷双列 ;COMS:2:(-55-125)；D：数字电路；1B：铜焊的陶瓷双列；A:10V 类 ;4: （-25-85 ）；F：滤波器；2：金属圆壳 (TO-5);B:高速-低功耗;5：（0-75 ）；I ：接口电路；3：环氧树脂双列 ;D: 商用的 ; 没标6：100%25抽测M：存储器；4：芯片载体 ;的为一般产品。（小批）；V：高压模拟电路；4P：塑料芯片载体；双极

12、 :7：表示 5温度范围PL：可编程逻辑；5：LCC混合电路A: 再设计 , 双金属的的高可靠产品；Y：多片组合电路。( 陶瓷衬底 );P: 有功率降额选择的 ;8：MIL-STD-883B 产品；7：小型陶瓷双列；R: 锁定输出的 ;9：（-40-85 ）；9：扁平封装。RP: 有功率降额限9+：（ -40-85 ），制的锁定输出已老化产品；没标的为一般产品 .RH：抗辐射产品。产品等级 :A:高速;B: 甚高速 ;没标的为一般速度 .部分器件编号：0：二极管矩阵；61：微处理器；63： CMOS ROM；64： CMOS接口；65： CMOS RAM；66； CMOS PROM；67： C

13、OMS EPROM；76；双极 PROM；77：可编程逻辑。80C86 系列型号举例说明MD82C59AS/B温度封装器件速度（ MHz）高可靠产品C：商用（ 0-70 ）；P：塑封；编号外围电路：B：已老化， 8 次冲击的I ：工业用（ -40-85 ）；D：陶瓷双列；5： 5MHz；+：已老化，M：军用（ -55-125 ）；X：芯片；空白： 8MHz；工业温度等级；X： 25 。R：芯片载体（陶瓷） ；CPU电路：/883 ：（ -55-125 ）；S ：塑料芯片载体。空白： 5MHz；MIL-STD-883 产品。2： 8MHz。微波电路产品的通用符号系列：系列：封装：A：放大器（ G

14、aAsFET）；1：32 线金属密封扁平封装；D: 数字电路（ GaAs）；2：16 线金属密封扁平封装；F:FET(GaAs) ；3：48 线金属密封扁平封装M:单片微波集成电路；P：高功率FET（GaAs）；R：模拟电路（ GaAs）；同时生产其它厂家相同型号的产品。缩写字符： INL 译名：英特希尔公司（美）器件型号举例说明ICL8038CCPD器件系列器件编号电温度范围封装外引线数符号D：混合驱动器；存储器件特（除 D、DG、G 外）A：TO-237；A： 8；G：混合多路 FET；命名法性M：（ -55125 ）B：塑料扁平封装B： 10；ICL ：线性电路；首位数表示：I ：（ -

15、2085 ）；C：TO-220；C： 12；ICM：钟表电路；6：CMOS工艺；C：（ 070） 。D：陶瓷双列；D： 14；IH ：混合 / 模拟门；7：MOS工艺；D、 DG、G的温度E：小型 TO-8；E： 16；IM ：存储器；第二位数表示：范围：F：陶瓷扁平封装F： 22；AD：模拟器件；1：处理单元；A：（ -55125 ）H：TO66；I ： 16G： 24；DG：模拟开关；3：ROM；B：（ -2085 ）；线（跨距为 0.6X0.7) H： 42；DGM：单片模拟开关；4：接口单元；C：（ 070）。密封混合双列；I ：28；ICH：混合电路；5：RAM；J ：陶瓷浸渍双列J

16、： 32；LH：混合 IC ；6：PROM；（黑瓷）；K； 35；LM：线性 IC ；第三、四位数表K：TO-3；L： 40；MM：高压开关；示：L：无引线陶瓷载体；M： 48；NE： SIC 产品；芯片型号。P：塑料双列；N： 18；SE： SIC 产品。S：TO-52；P： 20；T：TO-5（亦是Q： 2；TO-78,TO-99R： 3；TO-100）S： 4；U：TO-72（亦是T： 6；TO-18,TO-71 ）U： 7；V：TO-39；V： 8（引线径0.2 ）；Z：TO-92；W： 10（引线径0.23 ）/W：大圆片；Y： 8（引线径/D：芯片。0.2 ， 4 端与壳接 ) ；

17、z： 10（引线径0.23 ，5 端与壳接）。该公司已并入HAS公司。缩写字符： MOTA译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明首标器件编号封装MC：有封装的IC ；MCC：IC 芯片；MFC：低价塑封功能电路；MCBC：梁式引线的IC 芯片；MCB：扁平封装的梁式引线IC ；MCCF：倒装的线性电路；MLM：与 NSC线性电路引线一致的电路；MCH：密封的混合电路；MHP：塑封的混合电路；MCM：集成存储器；MMS：存储器系统。15001599；（ -55125 ）军用线性电路；14001499、 34003499：（ 070）线性电路；13001399、 33003399：消费工业线性电

18、路。L：陶瓷双列直插（ 14 或 16 线）；U：陶瓷封装；G：金属壳TO-5 型；R：金属功率型封装TO-66 型；K：金属功率型TO-3 封装；F：陶瓷扁平封装；T：塑封 TO-220 型；P：塑封双列；P1： 8 线性塑封双列直插；P2： 14 线塑料封双列直插；PQ：参差引线塑封双列（仅消费类器件）封装；SOIC：小引线双列封装。与封装标志一起的尚有：C：表示温度或性能的符号；A：表示改进型的符号。缩写符号： MPS译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明MP4136CMPS器件编号分档和温度范围首标（用文字和J、 K、L：商用 / 工业用数字表示）温度；S、 T、U：军用温度。YD

19、：陶瓷及陶瓷浸渍双列；R ：SOIC（ 8 线）N：塑封双列及TO-92； S ：SOIC；Y： 14 线陶瓷双列；L ： LCC；Z： 8 线陶瓷双列；G：PGA；J： TO-99 封装； Q： QFP；T： TO-52 封装； CHIP：芯片或小片。P： 8 线塑封双列及PLCC；K、 H、M：TO-100 型封装。同时生产其它厂家相同型号的产品。缩写字符： NECJ 译名：日本电气公司（日）NECE日本电气公司美国电子公司（美）器件型号举例说明 PD7220DNEC首标系列器件编号封装A：混合元件；A：金属壳类似TO-5 型封装；B：双极数字电路；B：陶瓷扁平封装；C：双极模拟电路；C：

20、塑封双列；D：单极型数字电路D：陶瓷双列；（MOS）。G：塑封扁平；H：塑封单列直插；J：塑封类似TO-92 型；M：芯片载体；0V：立式的双列直插封装；L：塑料芯片载体；K：陶瓷芯片载体；E：陶瓷背的双列直插。缩写字符： NSC译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明LM101AF系列器件编号封装AD：模拟对数字；（用 3、4 或 5 位数字符号表示）D：玻璃 / 金属双列直插；AH：模拟混合；A：表示改进规范的；F：玻璃 / 金属扁平；AM：模拟单片；C：表示商业用的温度范围。H： TO-5（TO99，TO-100，TO-46）；CD： CMOS数字；其中线性电路的 1、 2、 3J：低

21、温玻璃双列直插（黑陶瓷）；DA：数字对模拟；表示三种温度，分别为：K： TO-3（钢的）；DM：数字单片；（-55125 ）KC：TO-3（铝的）；LF：线性 FET；（-2585 ）N：塑封双列直插；LH：线性混合；（070）。P： TO-202（ D-40，耐热的）；LM：线性单片；S： SGS型功率双列直插；LP：线性低功耗；T： TO-220 型；LMC：CMOS线性；W：低温玻璃扁平封装（黑瓷扁平）；LX：传感器；Z： TO-92 型；MM： MOS单片；E：陶瓷芯片载体；TBA：线性单片；Q：塑料芯片载体；NMC：MOS存储器。M：小引线封装；L：陶瓷芯片载体。该公司同时生产其它厂

22、家相同型号的产品。缩写字符： PHIN 译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明MAB8400-A-DP系列温度范围器件表示两层意义封装（用两位符号表示）A：没规定范围编号第一层表示改进型；（用两位符号表示）1. 数字电路用两B：（ 070）第二层表示封装；第一位表示封装形式：符号区别系列。C：（ -55125 ）C：圆壳；C：圆壳封装；2 . 单片电路用两D：（ -2570 ）D：陶瓷双列；D：双列直插；符号表示。E：（ -2585 ）F：扁平封装；E：功率双列（带散热片） ；第一符号：F：（ -4085 ）P：塑料双列；F：扁平（两边引线） ；S：数字电路；G：（ -5585 ）Q：四列封

23、装；G：扁平（四边引线） ；T：模拟电路；如果器件是在别U：芯片。K：菱形（ TO-3 系列）；U：模拟 / 数字混合电路。的温度范围，可M：多列引线（双、三、四第二符号：不标，亦可标 A列除外）；除 H 表示混合电路Q：四列直插；外，其它无规定；R：功率四列（外散热片） ；3. 微机电路用两位符号S：单列直插；表示。T：三列直插。MA：微计算机和 CPU；第二位表示封装材料：MB：位片式处理器；C：金属 - 陶瓷；MD：存储器有关电路；G：玻璃 - 陶瓷（陶瓷浸渍） ；ME：其它有关电路（接M：金属；口，时钟，外围控P：塑料。制，传感器等） 。（半字符以防与前符号混淆）该公司同时生产与其它厂

24、家相同型号的产品。缩写字符： PMI 译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明DAC08EX器件系列器件电特性等级封装ADC：A/D 转换器；编号H：6 线圆壳 TO-78；AMP：测量放大器；J：8 线圆壳 TO-99；BUF： 缓冲器（电压跟随器） ；K：10 线圆壳 TO-100；CMP：电压比较器；P：环氧树脂双列直插；DAC：D/A 转换器；Q：16 线陶瓷双列；DMX：信号分离器；R：20 线陶瓷双列；FLT：滤波器；RC：20 线芯片载体；GAP：通用模拟信息处理器；T：28 线陶瓷双列；JAN：M38510产品；TC：28 线芯片载体；MAT：对管；V：24 线陶瓷双列；MLT

25、：乘法器；X：18 线陶瓷双列；MUX：多路转换器；Y：14 线陶瓷双列；OP：精密运算放大器；Z：8 线陶瓷双列；PKD：峰值检波器；W：40 线陶瓷双列；PM：仿制的工业规范产品；L：10 线密封扁平；REF：电压基准；M：14 线密封扁平；RPT：PCM线转发器；N：24 线密封扁平。SMP：采样 / 保持放大器；SLC：用户线接口电路；SW：模拟开关；SSS：优良的仿制提高规范产品。该公司并入 ANA公司。缩写字符： PRSC译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明P74FCTXXXXX首标温度产品系列器件封装温度范围P： performance ；74：（ 0-70 ）；编号P：塑料

26、双列；C：（0-70 ）；P4C：静态存储器；54：（ -55125 ）J：J 型小引线塑料M：（-55125 ）；9：适于特殊 SRAM。双列（ SOJ）；MB： 883C的 B 级。D：陶瓷双列；C：侧面铜焊双列；L：芯片载体；S：小引线塑料双列（ SOIC）；DW：600mil 陶瓷双列。缩写符号： QSI 译名：高级半导体公司器件型号举例说明QS8XXXXXXXXX首标器件编号速度封装加工8XXX： SRAM；（存取时间）P：塑料双列；没标：标准工业用7XXX： FIFO。D：陶瓷双列；（0-70 ）；L：陶瓷芯片载体；B： 883 的SO：小引线封装双列；（-55125 ）；Z：塑料

27、单列 ( 双线 )(ZIP)；M：工业用Q：四面引线封装 (QSOP)；（-55125 ）。V：(SOJ)J 型小引线双列。QSXXFCTXXXXX首标温度系列器件封装加工54：（ -55FCT：快编号P：塑料双列；没标：标准工业用125）；捷 CMOS；D：陶瓷双列；（070）；74：（ 070）。QST：快L：陶瓷芯片载体；B： 883 的速开关。SO：小引线双列封装；（-55125 ）；Z：塑料 ZIP；M：工业用Q：QSOP。（-55125 ）。缩写字符： ZIL 译名：吉劳格公司（美）器件型号举例说明Z8400BPS首标器件编号速度封装温度范围空白：C：陶瓷；E：（ -4085 ）；

28、2.5MHz；D：陶瓷浸渍；M：（ -55125 ）A： 4.0MHz ；P：塑料；S：（ 070）。B： 6.0MHz；Q：陶瓷四列；H： 8.0MHz；R：陶瓷背的。L：低功耗的。缩写字符： RCA 译名：美国无线电公司（现为GERCA公司）器件型号举例说明CD4070AD类型器件编号封装CA：线性电路；A：改型，代替原型；D：陶瓷双列（多层陶瓷） ；CD： CMOS数字电路；B：改型，代替 A 或E：塑料双列；COM：CMOS LSI；原型；EM：变形的塑料双列（有散热板）；COP：CMOS LSI；C：改型；F：陶瓷双列，烧接密封；CMM：CMOS LSI；UB：不带缓冲。H：芯片；M

29、WS：CMOS LSI；J：三层陶瓷芯片载体；LM：线性电路；K：陶瓷扁平封装；PA：门阵。L：单层陶瓷芯片载体；M：TO-220 封装（有散热板） ；P：有散热板的塑料双列封装；Q：四列塑料封装；QM：变形的四列封装S：TO-5 封装（双列型）；T：TO-5 封装（标准型）；V1：TO-5 封装（射线型引线） ；W：参差四列塑料封装。该公司并入 Harris公司。缩写符号： SGL 译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明SG108ATSGL器件编号说明封装首标A：改进性能；F：扁平封装；C：缩小温度范围。J：陶瓷双列（ 14、 16、 18 线）；K：菱形 TO-3；L：芯片载体；M：8 线

30、小型塑料双列；N：塑料双列（ 14、 16 线）；P：TO-220 封装；R：TO-66（2 线、 9 线金属壳）；T：TO-型（ 5、 39、 96、 99、 100、 101 型）；W：16 线带散热片的陶瓷双列；Y：8 线陶瓷双列；S：大于 15W的功率封装。缩写字符： SGSI 译名：意大利国家半导体公司器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）TDA1200XX(X/X)首标器件编号封装及封装材料质量等级首位字母表示：封装：T：模拟电路；单字母表示：U：模拟 / 数字混合电路；C：圆壳；第二位字母表示：D：双列直插；没规定含义。E：功率双列；双字母表示：F：扁

31、平封装。FAFZ、两字母表示：GAGZ：数字电路，系列有别。首位（表示封装） ：单字母表示：C：圆壳；S：单片数字电路。D：双列直插；另外的首标含义：E：功率双列（带散热板） ；H：高电平逻辑；F：扁平封装；HB、 HC： CMOSIC；G：四边引线扁平封装；L、 LS：线性电路；K：菱形（ TO-3 型）；M： MOS电路；M：多列直插；TAA、TBA、TCA、 TDA：Q：四列直插；线性控制电路。R：功率四列（带散热板） ；第二位字母表示温度范围：S：单列直插；A：没规定范围，或非下列温度范围；T：三列直插。B：（070）；第二位（表示封装材料） ；C：（-55125 ）；C：金属 - 陶

32、瓷；D：（-2570 ）；G：玻璃 - 陶瓷（双列）；E：（-2585 ）；M：金属；F：（-4085 ）；P：塑料。G：（-5585 ）。该公司与法国 THOMSON公司联合组成SGS-THOMSON公司，产品型号有所变化。除采用ST 首标外，还生产与别的厂家型号完全相同的产品。缩写符号： SANYO（TSAJ） 译名：三洋公司（日）器件型号举例说明LA1230首标器件编号LA：双极线性电路；LB：双极数字电路；LC： CMOS电路；LE： MNMOS电路；LM： PMOS、NMOS电路；STK：厚腊电路；LD：薄膜电路。缩写符号： SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明NE55

33、34N首标器件编号封装当有第二位字母时表示温度范围：CK：芯片；表示引线数75 、 N、 NE：（ 070）D：微型（ SO）塑料；B： 3；（ 075）；E：金属壳（ TO-46， TO-72）C： 4；55 、 S、 SE：4 线封装；E： 8；（ -55125 ）；F：陶瓷浸渍扁平；F： 10；SA：（-4085 ）；G：芯片载体；H： 14；SU：（-2585 ）。H：金属壳（ TO-5）J： 16；8、10 线封装；K： 18I ：多层陶瓷双列；L： 20；K：TO-3 型；M： 22；N：塑料双列；N： 24；P：有接地端的微型封装；Q： 28；Q：多层陶瓷扁平；W： 40；R：氧

34、化铍多层陶瓷扁平；X： 44；S：功率单列塑封；Y： 48；W：陶瓷扁平。Z： 50。同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN 公司。缩写符号： SIEG 译名：西门子公司（德）器件型号举例说明（与欧共体相一致）TBB1458AGG首标温度范围器件编号改进型封装第一字母表示：A：没规定范围；首位字母表示封装形式：S：单片数字电路；B：（070）；C：圆壳；T：模拟电路；C：（-55125 ）D：双列直插；U：模拟 / 数字混合D：（-2570 ）；E：功率双列（带散热片） ；电路。E：（-2585 ）；F：扁平（两边引线） ；第二字母，除 HF：（-4085 ）。G：扁平（四边引线

35、） ；表示混合电路外，K：菱形（ TO-3）；其它没明确含义。M：多列引线（双、三、四列电路系列由两字母加以除外）；区分。Q：四列直插；R：功率四列（带散热片） ；S：单片直插；T：三列直插。第二位字母表示封装材料：C：金属 - 陶瓷；G：玻璃 - 陶瓷（陶瓷浸渍） ；M：金属；P：塑料。（半字符以防前后符号混淆）缩写符号： THEF 译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）TDB0155ADPXX/XX首标温度范围器件改封装附加资料第一字母表示：A：没规定范围；编号进第一字母表示封装形式：S：数字电路；B：（ 070）；型C：圆形；T：模拟电路；C：（ -55125 ）；D：

36、双列；U：模拟 / 数字混D：（ -2570）；E：功率双列；合电路。E：（ -2585）；F：扁平（两边引线） ；第二字母有 A、F：（ -4085）。G：扁平（四边引线） ；B、C或 H。K： TO-3 型；M：多列引线（多于四排）Q：四列引线；R：功率四列引线；S：单列引线；T：三列引线；第二字母表示封装材料；B：氧化铍 - 陶瓷；C：陶瓷；G：玻璃 - 陶瓷（陶瓷浸渍）M：金属；P：塑料；X：其它。该公司与意大利SGS公司组成 SGS-THOMSON公司。产品型号有变化，除ST 首标的产品外，还生产与别的厂家型号完全相同的产品。老产品型号举例说明SFC2101APMTHEF/CSF的首

37、标系列器件改封装温度范围2：线性电路；编号进D：塑料小型双列（少于10 线）；C：（070）；9：微机系列。型E：塑料双列（多于10 线）；T：（-2585 ）；G：陶瓷小型双列（小于10 线）；M：（-55125 ）。J ：陶瓷浸渍双列（多于10 线）；K：陶瓷双列；P：扁平金属封装；R：菱形金属封装；U：塑料小型扁平封装；没标者为金属圆壳封装。汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明EF-68008VPD首标工艺器件温度范围封装质量水平：编号L：（ 070）；P：塑料双列；：标准的；NMOS或 HMOS；V：PN：塑料芯片载体；D：D 级（ STDL：NMOS（-4085 ）。FP：小引线封装

38、；加老化）。低功耗；R：陶瓷 PGA封装；C：CMOS；E：陶瓷芯片载体；HC：HCMOS。J：陶瓷浸渍双列；C：陶瓷双列。ETC2716Q55M首标工艺器件封装响应时间温度范围 ：C：陶瓷双列；：（070）；NMOS；J：陶瓷浸渍双列E：（-2585 ） ；C：CMOS；N：塑料双列；V：（-4085 ） ；L：低功耗。Q：紫外线窗口陶M：（-55125 ）。瓷浸渍双列。MK68901P首标器件编号封装MK：标准产品；P：镀金铜焊陶瓷双列；MKB：军用高可靠筛选J：陶瓷浸渍双列；883B 产品；N：塑料双列；MKI：工业用高可靠筛选K：镀锡铜焊陶瓷双列；（ -4085 ）产品。T：有透明盖的

39、陶瓷双列；E：陶瓷芯片载体；D：双密度 RAM/PAC；F：扁平封装。ET-68A00CM首标工艺器件编号封装温度范围A：NMOS；C：陶瓷双列；L：（070）；B：CMOS/大部分；E：陶瓷芯片载体；V：（-4085 ）；G：GMOS/Si gateJ：陶瓷浸渍双列；M：（-55125 ）。（硅栅）；FN：塑料芯片载体；X：（样品）原型。P：塑料双列；R：RGA。JLM108A1V芯片器件编号硅片背面质量水平大片加工：V：芯片封装前按 MIL-STD-883 方法 201010C频率用户范围密码B/B质量水平：标准的B/B： 883B 的.00仪表板编号B/B质量水平1：硅；进行100%目检

40、；2：镀金；N：V 水平的加上批量抽样（55 封装的IC ）；3：Si-Ni-Ag。T：N 水平的加上批量抽样老化（55 封装IC）；W：T 水平的加上1000 小时批量抽样寿命试验（55封装 IC ）；Z：W水平的接着试验。同时有与欧共体相同的编号。缩写符号： TII译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明TL0728EJG首标器件编号温度范围封装LS183J首标温度范围系列器件编号封装首标符号意义AC：改进的双极电路；SN：标准的数字电路；TL： TII 的线性控制电路；TIEF ：跨导放大器；TIES：红外光源；TAL： LSTTL逻辑阵列；JANB：军用 B 级 IC ；TAT： ST

41、TL逻辑阵列；JAN38510：军用产品；TMS：MOS存储器 / 微处理器；JBP：双极 PMOS 883C产品；TM：微处理器组件；SNC：IV 马赫 3 级双极电路；TBP：双极存储器；SNJ： MIL-STD-883B 双极电路；TC： CCD摄像器件；SNM： IV 马赫 1 级电路；TCM：通信集成电路；RSN：抗辐射电路；TIED：经外探测器；SBP：双极微机电路；TIL ：光电电路；SMJ： MIL-STD-883B MOS电路；VM：语音存储器电路；TAC：CMOS逻辑阵列；TIFPLA：双极扫描编程逻辑阵列；TLC：线性 CMOS电路；TIBPAL：双极可编程阵列逻辑。同时

42、采用仿制厂家的首标。封装符号J 、 JT、 JW、 JG：陶瓷双列；PH、 PQ、 RC：塑料四列扁平封装；T：金属扁平封装；LP：塑料三线；D、DW：小引线封装；DB、 DL：缩小的小引线封装；DBB、DGV：薄的超小型封装；DBV：小引线封装；GB：陶瓷针栅阵列；RA：陶瓷扁平封装；KA、 KC、 KD、 KF：塑料功率封装；U：陶瓷扁平封装；P：塑料双列；JD：黄铜引线框陶瓷双列；W、WA、WC、WD：陶瓷扁平封装；N、 NT、 NW、 NE、 NF：塑封双列；MC：芯片；DGG、 PW：薄的再缩小的小引线封装；PAG、PAH、PCA、 PCB、 PM、 PN、PZ：塑料薄型四列扁平封装

43、；FH、 FN、 FK、 FC、 FD、 FE、 FG、FM、 FP：芯片载体。数字电路系列符号GTL：Gunning Transceiver Logic；SSTL： Seris-Stub Terminated Logic；CBT：Crossbar Technology；CDC： Clock-Distribution Circuits；ABTE：先进BiCMOS技术 / 增强收发逻辑；FB：Backplane Transceiver Logic/Futurebust；没标者为标准系列；L：低功耗系列；AC/ACT：先进 CMOS逻辑；H：高速系列；AHC/AHCT：先进高速 CMOS逻辑；ALVC：先时低压 CMOS技术；S：肖特基二极管箝位系列；LS：低功耗肖特基系列；BCT： BiCMOS总线 - 接口技术 ;AS：先进肖特基系列；F：F 系列（ FAST）；CBT： Crossbar Technology ；ALS：先进低功耗肖特基系列；HC/HCT：高速 CMOS逻辑；LV：低压 HCMOS技术；ABT：先时 BiCMOS技术。速度标志（ MOS电路用）