四川功率半导体芯片项目可行性研究报告

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1、泓域咨询/四川功率半导体芯片项目可行性研究报告目录第一章 行业、市场分析8一、 半导体产业概况8二、 行业发展趋势9三、 膜状扩散源概况11第二章 建设单位基本情况15一、 公司基本信息15二、 公司简介15三、 公司竞争优势16四、 公司主要财务数据17公司合并资产负债表主要数据17公司合并利润表主要数据17五、 核心人员介绍18六、 经营宗旨20七、 公司发展规划20第三章 项目投资背景分析25一、 功率二极管产业概况25二、 行业的发展态势面临的机遇与挑战28三、 功率器件简介30四、 积极融入新发展格局31五、 加快建设具有全国影响力的重要经济中心33六、 项目实施的必要性39第四章

2、项目基本情况41一、 项目概述41二、 项目提出的理由42三、 项目总投资及资金构成43四、 资金筹措方案44五、 项目预期经济效益规划目标44六、 项目建设进度规划45七、 环境影响45八、 报告编制依据和原则45九、 研究范围46十、 研究结论47十一、 主要经济指标一览表47主要经济指标一览表47第五章 建筑工程技术方案50一、 项目工程设计总体要求50二、 建设方案50三、 建筑工程建设指标51建筑工程投资一览表52第六章 项目选址可行性分析54一、 项目选址原则54二、 建设区基本情况54三、 加快建设改革开放新高地58四、 加快建设具有全国影响力的科技创新中心61五、 项目选址综合

3、评价63第七章 运营管理模式64一、 公司经营宗旨64二、 公司的目标、主要职责64三、 各部门职责及权限65四、 财务会计制度68第八章 SWOT分析72一、 优势分析（S）72二、 劣势分析（W）73三、 机会分析（O）74四、 威胁分析（T）74第九章 发展规划78一、 公司发展规划78二、 保障措施82第十章 组织机构及人力资源配置85一、 人力资源配置85劳动定员一览表85二、 员工技能培训85第十一章 节能方案88一、 项目节能概述88二、 能源消费种类和数量分析89能耗分析一览表89三、 项目节能措施90四、 节能综合评价91第十二章 原辅材料供应92一、 项目建设期原辅材料供应

4、情况92二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理92第十三章 工艺技术说明94一、 企业技术研发分析94二、 项目技术工艺分析96三、 质量管理98四、 设备选型方案99主要设备购置一览表99第十四章 投资估算及资金筹措101一、 投资估算的依据和说明101二、 建设投资估算102建设投资估算表106三、 建设期利息106建设期利息估算表106固定资产投资估算表107四、 流动资金108流动资金估算表109五、 项目总投资110总投资及构成一览表110六、 资金筹措与投资计划111项目投资计划与资金筹措一览表111第十五章 经济效益分析113一、 基本假设及基础参数选取113二、 经济评价财务测

5、算113营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表115利润及利润分配表117三、 项目盈利能力分析117项目投资现金流量表119四、 财务生存能力分析120五、 偿债能力分析120借款还本付息计划表122六、 经济评价结论122第十六章 招投标方案123一、 项目招标依据123二、 项目招标范围123三、 招标要求123四、 招标组织方式125五、 招标信息发布129第十七章 总结分析130第十八章 附表附录132主要经济指标一览表132建设投资估算表133建设期利息估算表134固定资产投资估算表135流动资金估算表135总投资及构成一览表136项目投资计划与资金筹措一览表

6、137营业收入、税金及附加和增值税估算表138综合总成本费用估算表139固定资产折旧费估算表140无形资产和其他资产摊销估算表140利润及利润分配表141项目投资现金流量表142借款还本付息计划表143建筑工程投资一览表144项目实施进度计划一览表145主要设备购置一览表146能耗分析一览表146本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 行业、市场分析一、 半导体产业概况半导体是指一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，是构成计算机、消费类电

7、子以及通信等各类信息技术产品的基本元素。半导体产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导体产业一般分为集成电路和分立器件两类。集成电路（IC）是指采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，形成特定功能的电路结构。分立器件是指具有单独功能且不能拆分的电子器件。二者有着不同功能特点和适用条件，共同构成半导体产业的基础。功率器件可分为功率二极管、晶体管、晶闸管等，其中功率二极管可分为标准整流二极管（STD）、快速恢复二极管（FRD）、外延式快速恢复二极管（FRED）、瞬

8、时抑制二极管（TVS）、稳压二极管（Zener）、肖特基二极管等，晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。最近几年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，整个半导体行业规模总体呈增长趋势。根据全球半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2017年全球半导体市场规模达到4,122亿美元，较上年增长21.60%，2018年持续增长13.70%，市场规模达到4,688亿美元，2019年市场规模达到4,123亿美元，在传统应用市场需求波动、

9、国际贸易形势不确定性增加等多重因素影响下，较上年下跌12%，2020年出现反弹，市场规模达到4,404亿美元。从产品结构上看，2020年集成电路全球市场规模占比82.02%，分立器件占比17.98%；从全球市场分布看，中国占比34.40%，亚太其他地区占比27.14%，中国是全球最大半导体市场。根据中国半导体行业协会数据，我国是全球最大电子产品消费市场，我国半导体产业一直保持较高的发展增速，2013年到2020年,我国半导体产业销售额从2013年4,044.45亿元增长到2020年11,814.3亿元，复合增长率为16.55%。从结构来看，2020年集成电路产业销售额为8,848亿元，占比74

10、.89%；分立器件产业销售额为2,966.3亿元,占比25.11%。二、 行业发展趋势1、技术方面未来发展趋势随着经济发展和技术进步，终端应用对品质要求越来越高，高性能、高可靠性一直以来是功率器件产品的发展趋势。功率器件性能包括过流能力（耐正向电流冲击能力和耐反向电流冲击能力）和耐压能力（耐反向击穿电压能力）；高性能决定于芯片设计方案，即PN结构本身，包括单晶硅片的电阻率及厚度、芯片面积、扩散掺杂的浓度梯度等重要因素。功率器件可靠性包括耐高温反偏能力、耐热疲劳能力等；高可靠性决定于晶圆制造工艺设计及加工，包括掺杂扩散工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、PN结的钝化保护工艺、金属化工艺等。功率器件性能及可

11、靠性主要决定于其核心部件芯片。目前，功率二极管芯片制造主要有OJ工艺制程和GPP工艺制程两大类，后者又可分为刀刮法、电泳法和光阻法。光阻法GPP难度系数大，不容易掌控，目前为先进的功率半导体芯片工艺制程。相对于OJ工艺、刀刮法GPP和电泳法GPP，光阻法GPP芯片具有更高的性能和可靠性。2、产业方面未来发展趋势目前，国内半导体分立器件技术较发达国家先进企业的技术水平还有一定差距。从国内市场来看，2019年我国半导体分立器件进口额为261.6亿美元，进口规模折合人民币达到千亿级，进口替代空间较大。从国际市场来看，全球分立器件市场主要为境外企业占据，国内企业具有较大的追赶空间。在功率器件领域，国内

12、头部厂商在生产技术和产品品质方面得到显著提高，正逐步进口替代，并开始参与国际市场竞争。未来，随着政策支持和行业不断投入，国内厂商有望加快追赶步伐，提升国内及国际市场份额。3、业态与模式方面未来发展趋势半导体产业链主要包含芯片设计、晶圆制造、封装测试三大工艺环节，根据所涉及经营环节的不同，分立器件制造业分为纵向一体化（IDM）以及无晶圆模式（Fabless）两种模式。IDM模式指包含上述全部环节的经营模式；无晶圆模式（Fabless）主要专注于芯片设计。国际上功率器件龙头企业均采用IDM经营模式，国内头部厂商沿不同路径最终亦采用该模式，IDM模式可以牢牢掌握完整核心制造工艺及资源，把控市场变化。

13、三、 膜状扩散源概况1、半导体掺杂工艺是制造芯片的核心工序之一PN结具有单向导电性，是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的都离不开它。PN结是指通过采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（主要是硅）基片上，二者交界面形成的空间电荷区。P（Positive）型半导体是在硅中掺入族元素（如硼B），族元素相比族的外层电子少一个，这种缺少电子的空位被称为空穴，空穴能够导电；N（Negative）型半导体是在硅中掺入族元素（如磷P），V族元素相比族的外层电子多出一个，多出的电子能够作为导电的来源。半导体掺杂工艺是芯片制造的核心工序之一，其目的在

14、于控制半导体中特定区域内杂质元素（磷、硼等）的类型、浓度、深度，用以制作PN结。目前半导体掺杂工艺主要有离子注入工艺技术和扩散工艺技术两类。离子注入工艺技术原理是利用离子源产生的等离子体，在低压下把气态分子借电子的碰撞而离化成离子，经过引出离子电极（吸极）、质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔体等高技术设备将掺杂元素注入到硅片中。离子注入工艺多用于制造集成电路芯片、SiC功率器件。扩散工艺技术原理是将掺杂源与硅基片接触，在一定温度和时间条件下，将所需的杂质原子（如磷原子或硼原子）按要求的浓度与分布掺入硅片中。扩散工艺技术相较于离子注入工艺技术操作方便，成本低廉，多用于制作功率半导体芯片。2、膜

15、状扩散源具有一定的市场潜力扩散工艺掺杂源主要有气态源、液态源、膜状扩散源三类。气态源和液态源是发展最早的扩散源，制备相对容易，但掺杂源可控性相对较弱，相应的制造芯片工艺相对固态源较为复杂；且两类源多为有毒物质，安全生产和环保要求较多。膜状扩散源是固态源，使用在扩散工序中，掺杂源更加可控，有利于掺杂的均匀性和稳定性，可大幅简化扩散工艺流程；且膜状扩散源自身及制造过程环保无害，便于运输和储存，芯片制造过程中也减少了有害物的产生。膜状扩散源已经在功率二极管芯片生产中显现出其优势，在晶体管芯片、太阳能光伏电池片生产中也已开启应用，未来还可应用于硅基热敏电阻器芯片、硅基压力传感器芯片甚至部分集成电路芯片

16、等领域。3、与离子注入法的应用领域的差异半导体掺杂工艺是芯片制造的核心工序之一，直接影响芯片各种电性能指标；其目的是在制造芯片过程中，采用扩散或注入技术为半导体材料提供少子或多子，从而形成内建电场即PN结。离子注入工艺掺杂系低浓度掺杂，主要用于形成浅结的平面工艺相关半导体芯片；扩散工艺掺杂主要系高浓度掺杂，应用于深结的台面工艺或其他半导体芯片。通过前表可知，总体而言，扩散掺杂工艺主要用于功率二极管芯片生产。液态源、气态源为最原始的掺杂源，发展较早，主要应用于扩散均匀性要求不高的工艺如OJ工艺二极管芯片，因其有毒有害不环保、不易保存，且在芯片生产中扩散浓度不可控、扩散浓度均匀性差，将逐步被膜状扩

17、散源替代。固态源中的片状扩散源发展已近50年，出现相对较早，目前在功率二极管领域应用相对较少；膜状扩散源出现于90年代，发展相对较晚，目前主要应用于GPP工艺功率二极管芯片生产，是该领域主流掺杂源。4、竞争格局国内膜状扩散源仅美国菲诺士有限公司（Filmtronics,Inc.）和山东芯源能够供应。美国菲诺士有限公司（Filmtronics,Inc.）成立于1970年代，位于美国宾夕法尼亚州巴特勒市，主营半导体加工材料，一直以来垄断了全球膜状扩散源技术及业务，目前占据国内绝大部分市场份额。5、国产化率进展市场份额根据半导体行业协会分立器件协会的调研数据，中国大陆及台湾地区GPP功率二极管芯片2

18、021年末月产能约898.50万片/月，年化产能约10,782万片/年。理想情况下，一片功率二极管晶圆生产需消耗一片膜状扩散源，则市场需求约10,782万片/年。第二章 建设单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx公司2、法定代表人：田xx3、注册资本：1110万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2014-2-147、营业期限：2014-2-14至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事功率半导体芯片相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营

19、活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。三、 公司竞争优势（一）公司具有

20、技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的

21、客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额4826.293861.033619.7

22、2负债总额2804.702243.762103.52股东权益合计2021.591617.271516.19公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入12381.419905.139286.06营业利润2927.092341.672195.32利润总额2620.352096.281965.26净利润1965.261532.901414.99归属于母公司所有者的净利润1965.261532.901414.99五、 核心人员介绍1、田xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。

23、2、龚xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。3、徐xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。4、石xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；200

24、4年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。5、汤xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。6、万xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部

25、副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。7、何xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。8、范xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。六、 经营宗旨公司经营国际化，股东回报最大化。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心

26、价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公

27、司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创

28、新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契机，在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化程度，在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠

29、自主创新技术和自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，建立一支高、中、初级专业技术人才合理搭配的人才队伍，满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括：提高技术人才的待遇；通过与高校、科研机构联合，实行对口培训等形式，强化技术人员知识更新；积极拓宽人才引进渠道，实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量，充分满足客户的需求，使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流，整合产、学、研资源优势，通过自主研发与合作开发并举的

30、方式，持续提升公司技术研发水平，提升公司对重大项目的攻克能力，提高自身研发技术水平，进一步强化公司在行业内的影响力。（五）市场开发规划公司根据自身技术特点与销售经验，制定了如下市场开发规划：首先，公司将以现有客户为基础，在努力提升产品质量的同时，以客户需求为导向，在各个方面深入了解客户需求，以求充分满足客户的差异化需求，从而不断增加现有客户订单；其次，公司将在稳定与现有客户合作关系的同时，凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展，挖掘新的销售市场；最后，公司将不断完善营销网络建设，提升公司售后服务能力，从而提升公司整体服务水平，实现整体业务的协同及平衡发展。（六）人才发展规

31、划人才是公司发展的核心资源，为了实现公司总体战略目标，公司将健全人力资源管理体系，制定科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的培训、薪酬、绩效和激励机制，最大限度的发挥人才潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要，进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务和评估机制，满足公司的发展需要。一方面，公司将根据不同部门职能，有针对性的招聘专业化人才：管理方面，公司将建立规范化的内部控制体系，根据需要招聘行业内专业的管理人才，提升公司整体管理水平；技术方面，公司将引进行业内优秀人才，提升公司的技术创新能力，增加公司核心技术储备，并加速成果转化，确保公司技术水平的领先地位。另一方

32、面，公司将建立人才梯队，以培养管理和技术骨干为重点，有计划地吸纳各类专业人才进入公司，形成高、中、初级人才的塔式人才结构，为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整合的重要途径，未来公司将强化现有培训体系的建设，建立和完善培训制度，针对不同岗位的员工制定科学的培训计划，并根据公司的发展要求及员工的发展意愿，制定员工的职业生涯规划。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质，使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具有市场竞争力的薪酬结构，制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务年限及贡献

33、，逐步提高员工待遇，激发员工的创造性和主动性，为员工提供广阔的发展空间，全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、开拓创新的员工队伍，从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。第三章 项目投资背景分析一、 功率二极管产业概况1、功率二极管为基础元器件，具有不可替代的作用功率二极管由一对电极装置构成，通过电流驱动，只允许电流从单一方向流通，且无法对导通电流进行控制，属于不可控器件。功率二极管具有整流、线路保护、稳压等功能，是分立器件中一种常用的功率半导体器件。电是一种重要的能量，必须经过功率二极管及其芯片的整流、线路保护、稳压，才能被各种电器及设备吸收应用；就像我们人体里的肠胃一样，我们需要的食物能量，必

34、须经过肠胃的消化才可以被人体顺利吸收，肠胃是外界食物能量向人体运输的关键枢纽，功率二极管及其芯片则是电能向各种用电设备输送的关键枢纽。人们的生活与电息息相关，小到人们的日常生活，大到国家安全，电无处不在，功率二极管及其芯片也无处不在。在功率器件中，二极管、MOSFET、IGBT同为电子开关和电源控制的核心器件，各有分工，发挥其特有核心功能和作用。二极管是基础的电子器件，具有整流、开关、限幅、稳压、线路保护等多项功能,普遍应用于各种电子电路中，包括家用电器、照明、工控电源、智能仪表、通讯、安防、新能源、汽车电子、航空航天、军工等领域；MOSFET具有高频、电压驱动、抗击穿性的特点，适合低压、大电

35、流的应用环境下；IGBT结合了MOSFET和BJT的优点，主要适用在高频、高压、大电流等条件下。在稳压、线路保护方面，MOSFET和IGBT无此类功能，二极管不可替代，且在IGBT线路应用中必须有FRED（软恢复的快恢复二极管）提供续流和线路保护，才可正常工作；在整流、开关方面，二极管具有成本优势，应用领域更加广泛，也具有不可替代性。在国内外功率二极管领域，自1950年开始应用单晶硅材料进行功率二极管芯片制造以来，其制造技术不断更新和提升，先后经历了OJ工艺、刀刮法GPP工艺、电泳法GPP工艺以及光阻法GPP工艺，相对于前期三代主流技术光阻法GPP工艺具有显著的技术门槛、技术难度和准入壁垒，产

36、品品质及可靠性最佳。从半导体二极管发展历程来看，虽然起步于50年代，但人类对二极管的研究和提升同其他分立半导体器件一样一直在持续进行，功率二极管芯片制造技术也在随着技术进步及需求变化而不断发展。功率二极管是半导体电路基础元器件，从日常电子消费品到军工领域均有应用，其品质好坏也直接影响了终端电器设备使用质量和寿命，功率二极管产品虽小但在国民经济中的作用不可替代。2、功率二极管具有较大的市场空间且仍需大量进口，国产化替代仍在发展进程中根据芯谋研究中国功率分立器件市场年度报告2022，2021年度全球功率分立器件市场份额为265.59亿美元，中国功率分立器件市场份额为110.59亿美元，其中MOSF

37、ET占比42.1%，IGBT占比29.8%，二极管占比20.9%，其他占比7.2%。功率二极管全球市场份额为55.71亿美元，中国市场份额为23.15亿美元，具有较大的市场空间。2021年全球二极管市场份额中，外资企业占比56.90%，台资企业占比9.10%，两者合计占比66%。2021年度中国境内功率二极管市场份额中，Panjit台湾强茂、STM意法半导体、Diodes达尔科技、Vishay威世、ONSemi安森美、Nexperia安世半导体、ROHM罗姆、TaiwanSemi台湾半导体、Actron台湾朋程、Shindengen新电元、Infineon英飞凌等11家中国台湾及外资单位合计占

38、比45.48%，内资企业市场份额占比54.52%。经查阅wind资讯及海关统计数据，2019年至2021年，“二极管及类似半导体器件”（海关编码为8541）项下之“二极管,但光敏二极管或发光二极管除外”（海关编码为85411000）进口额分别为33.11亿美元、35.04亿美元、44.20亿美元。最近三年，国内二极管产品进口金额逐年增加，2021年进口规模280亿元左右。根据芯谋研究报告，2021年中国二极管市场份额为23.15亿美元，根据海关统计数据，相关二极管（海关代码：854110）净进口额为10.98亿美元，由此测算国化率为52.57%。3、功率二极管行业市场集中度较高从全球市场来看，

39、全球市场对应的2021年度营收前十名厂商市场份额占当期全球市场份额比例为57.8%；从国内市场来看，国内市场对应的2021年度营收前十名厂商市场份额占当期国内市场份额比例为62.8%；由上可知，功率二极管行业市场集中度较高。二、 行业的发展态势面临的机遇与挑战1、行业的发展态势面临的机遇（1）国家政策大力扶持半导体行业的发展程度是国家科技实力的重要体现，是信息化社会的支柱产业之一，更对国家安全有着举足轻重的战略意义。发展我国半导体相关产业，是我国成为世界制造强国的必由之路。近年来，国家及各部委相继推出了当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2011年）、中国制造2025（2015年）、国家信

40、息化发展战略纲要（2016年）、基础电子元器件产业发展行动计划（20212023年）（2021年）等一系列政策，从战略、资金、专利保护、税收优惠等多方面持续鼓励、支持和推动半导体行业发展。（2）国产替代重大机遇目前，国内半导体分立器件技术较发达国家先进企业的技术水平还有一定差距。从国内市场来看，分立器件仍需大量进口，2019年我国半导体分立器件进口额为261.6亿美元，进口规模折合人民币达到千亿级，进口替代空间较大。从国际市场来看，全球分立器件市场主要为境外企业占据，国内企业具有较大的追赶空间。在功率器件领域，国内头部厂商在生产技术和产品品质方面得到显著提高，正逐步进口替代，并开始参与国际市场

41、竞争。未来，伴随着政策支持和行业不断投入，国内厂商有望加快追赶步伐，提升国内及国际市场份额。（3）行业规模具有持续增长基础半导体功率器件属于电子行业产业链中的通用基础产品，几乎可用于所有电力电子领域。近年来，我国经济总水平稳步上升，全社会电子化程度越来越高，半导体功率器件整体需求稳定。下游产业中的5G通信、汽车电子、光伏发电、家用电器智能化、工业控制智能化等行业发展良好，可带动功率器件行业规模进一步增长。2、面临的挑战（1）我国半导体企业的国际竞争力有待提升国际领先企业经历了较长时期的发展积累，技术实力强、品牌知名度高，占据了全球主要市场份额。我国半导体分立器件企业在技术工艺方面已取得了长足进

42、步，也具备了一定的竞争力，但与之相比仍存在一定差距，国际竞争力有待进一步提升。（2）专业人才储备相对不足半导体行业属于技术密集型行业，对人才的知识背景、研发能力及经验积累均具有较高要求。国内半导体行业起步较晚，具有完备知识储备、具备丰富技术和经营经验、能胜任相应工作岗位的人才较为稀缺，一定程度上抑制了行业内企业的进一步发展。三、 功率器件简介功率器件和集成电路中的功率IC，经常共同使用于处理电能的主电路中，以实现功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等电能的变换或控制功能，二者又被合称为功率半导体。功率器件的应用广泛，几乎覆盖了所有的电子制造业，传统应用领域包括消费电子、网络通信、工业电

43、机等，近年来，新能源汽车及充电系统、智能电网、新能源发电、轨道交通及武器装备等也逐渐成为了功率半导体分立器件的新兴应用领域。根据IHSMarkit数据显示，2019年全球功率半导体市场规模约404亿美元，中国市场规模约144亿美元；2020年全球功率半导体市场规模约422亿美元，中国市场规模约153亿美元。功率半导体又可分为功率IC和功率器件及模块，其中根据英飞凌的数据统计，2020年功率半导体器件与模块全球市场规模为209亿美元，整体占功率半导体市场一半左右。由于国际厂商起步更早，并且通过行业间的相互整合，已占据全球市场主要份额，全球前十名厂商合计占比60%。在功率器件及模块方面，英飞凌连续

44、15年独占鳌头，占据全球近20%的市场份额。四、 积极融入新发展格局以成渝地区双城经济圈建设为战略牵引，探索融入新发展格局的有效路径，打造新时代推进西部大开发形成新格局的战略高地，推动加快形成优势互补、高质量发展的区域经济布局。（一）厚植支撑国内大循环的经济腹地优势坚持扩大内需战略，贯通生产、分配、流通、消费各环节，打造内需市场腹地和优质供给基地。发挥人口和市场规模优势，顺应消费升级趋势，提升传统消费，培育新型消费，适当增加公共消费，持续提升居民收入水平和消费能力，营造放心舒心消费环境，打造国际消费中心城市和区域消费中心。发挥工业化和城镇化后发优势，推进强基础、增功能、惠民生、利长远的重大项目

45、建设，扩大有效投资，激活民间投资，加快形成市场主导的投资内生增长机制。发挥科教和产业发展基础优势，深化供给侧结构性改革，实施质量强省战略和品牌创建行动计划，以创新驱动、高质量供给引领和创造新需求，实现上下游、产供销有效衔接，提升产业链供应链稳定性和竞争力。（二）提升畅通国内国际双循环的门户枢纽功能融入“一带一路”建设和长江经济带发展，加快建设西部陆海新通道，打造内陆开放战略高地和参与国际竞争的新基地。强化国际高端要素集聚运筹功能，增强对外交往、中转服务、信息交换等核心能力，形成吸引国际商品和资源要素的巨大引力场。强化全国流通枢纽功能，统筹推进现代流通体系建设，建设国家物流枢纽、国家骨干冷链物流

46、基地，培育一批具有较强竞争力的现代流通企业，打造全国物流高质量发展示范区。强化西向南向开放门户功能，加强东向北向战略通道建设，构建国际航线、国际班列、长江水运、陆海联运等多通道协同运行体系。（三）强化区域发展战略的支撑引领作用坚持把推动成渝地区双城经济圈建设作为融入新发展格局的重大举措，牢固树立一盘棋思想和一体化发展理念，优化完善合作机制，以深化川渝合作为引领、以做强成都极核为带动、以扩大改革开放为动力、以促进全域发展为取向，不断增强经济承载和辐射带动功能、创新资源集聚转化功能、改革集成和开放门户功能、人口吸纳和综合服务功能，着力打造区域协作的高水平样板。（四）深化拓展“一干多支、五区协同”战

47、略部署强化成都主干带动和极核引领，建设践行新发展理念的公园城市示范区，高质量建设“两区一城”，筑牢国际门户枢纽地位，推动城市内涵式、组团式发展，提升国家中心城市综合能级和国际竞争力，协同唱好“双城记”。加快推动成德眉资同城化发展，促进全省发展主干由成都拓展为成都都市圈，发展都市圈卫星城市，建设都市圈功能协作基地，促进成都平原经济区内圈同城化、全域一体化。推动区域中心城市内生型发展，高起点规划建设省级新区，在环成都经济圈、川南和川东北经济区分别形成经济总量占比高、综合承载能力强、创新发展动能强、区域带动作用强的全省经济副中心。强化重要节点城市同成渝双核及区域中心城市的功能协作。推进万达开等川渝毗

48、邻地区联动发展。增强攀西经济区战略资源创新开发能力，推进安宁河谷综合开发。提升川西北生态示范区特色文化旅游功能，大力发展生态经济。加快革命老区、民族地区发展。构建“一轴两翼三带”区域经济布局，引导重大基础设施、重大生产力和公共资源优化配置。实施主体功能区战略，强化国土空间规划和用途管控，逐步形成城市化地区、农产品主产区、生态功能区三大空间格局，构建高质量发展的国土空间布局和支撑体系。五、 加快建设具有全国影响力的重要经济中心坚持以现代产业体系为支柱、现代城镇体系为载体、现代基础设施体系为支撑，把发展经济着力点放在实体经济上，深入推进新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，提升产业链供应链现代化

49、水平，提升经济质量效益和核心竞争力。（一）构建现代产业体系保持制造业比重基本稳定，发挥先进制造业的支撑引领作用，把特色优势产业和战略性新兴产业作为主攻方向，完善“5+1”现代工业体系，加快建设制造强省。实施产业基础再造工程，推动制造业转型升级。引导产业集聚集群集约发展，打造全球重要的电子信息、装备制造、食品饮料等产业集群和全国重要的先进材料、能源化工、口腔医疗、核技术应用等产业集群，培育人工智能、生物工程、量子信息等未来产业集群。创建制造业高质量发展国家级示范区。积极承接东部沿海地区产业转移。推动智能建造与建筑工业化协同发展，促进建筑业转型升级。（二）加快发展现代服务业加快建设“4+6”现代服

50、务业体系，推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸、生活性服务业向高品质和多样化升级，建设现代服务业强省。积极培育新业态新模式新载体，引导平台经济、共享经济健康发展。推进服务业标准化、品牌化建设。规划建设现代服务业集聚区。加快建设西部金融中心，完善金融机构体系，加强金融市场和基础设施建设，发展特色金融，建设“一带一路”金融服务中心。加快建设旅游强省，深化文化旅游融合发展，发展全域旅游，促进红色旅游和乡村旅游提档升级，持续培育天府旅游名县，提升“三九大”等文旅品牌，共建巴蜀文化旅游走廊，打造世界重要旅游目的地。（三）擦亮农业大省金字招牌加快建设“10+3”现代农业体系，促进农村一二三产业融合发展

51、，推动农业大省向农业强省跨越。落实最严格的耕地保护制度，实施藏粮于地、藏粮于技战略，推进高标准农田建设，强化农业科技、种业和装备支撑，加强动植物疫病防控体系建设，推进优质粮食工程，提升收储调控能力，保障粮食安全和重要农产品供给。开展粮食节约行动。深化农业供给侧结构性改革，强化绿色导向、标准引领和质量安全监管，推进“一控两减三基本”，加强地理标志产品保护和产业化利用。高标准建设现代农业园区，打造都市农业示范区，发展高原特色现代农业。协同共建成渝现代高效特色农业带。（四）打造数字经济发展高地以国家数字经济创新发展试验区建设为引领，推动数字产业化和产业数字化，促进数字经济和实体经济深度融合，加快建设

52、网络强省、数字四川。培育壮大“芯屏端软智网”全产业链，发展大数据、物联网、区块链等新兴产业，打造具有全国竞争力的数字产业集群。推动数据资源开发利用，创建跨行业、跨领域的国家级工业互联网平台，建设国家工业互联网标识解析（成都）节点，打造深度应用场景。布局建设云计算中心，加快建设成渝地区大数据产业基地，建成并运营成都超级计算中心。建立数据流通制度规范，保障数据安全，加强个人信息保护。（五）深入实施乡村振兴战略优先发展农业农村，全面推进乡村产业振兴、人才振兴、文化振兴、生态振兴、组织振兴，加快农业农村现代化。实施乡村建设行动。统筹县域城镇和村庄规划建设管理，保护传统村落和乡村风貌，建设“美丽四川宜居

53、乡村”。建立健全乡村振兴多元投入保障机制，加快补齐农业农村基础设施短板，推动智慧农业、数字乡村建设。深入推进农业农村改革，探索宅基地所有权、资格权、使用权分置实现形式，开展全域土地综合整治试点，健全城乡统一的建设用地市场，积极探索实施农村集体经营性建设用地入市制度。培育壮大农民合作社、家庭农场等新型农业经营主体，发展多种形式适度规模经营。健全城乡融合发展机制，推进城乡融合发展试验区建设。深化农村集体产权制度改革，创新规范农村集体经济组织形式和运行方式，发展新型农村集体经济，拓展农民增收空间。健全农村金融服务体系，发展农业保险。探索建立新型职业农民制度。健全防止返贫监测和帮扶机制，加强易地扶贫搬

54、迁后续帮扶，完善定点帮扶，推进东西部协作和对口支援，推动乡村振兴重点帮扶县发展，增强内生发展动力，实现巩固拓展脱贫攻坚成果同乡村振兴有效衔接。（六）构建现代城镇体系深入推进以人为核心的新型城镇化，加快形成以城市群为主体、国家中心城市为引领、区域中心城市和重要节点城市为支撑、县城和中心镇为基础的城镇体系。统筹城市布局的经济需要、生活需要、生态需要、安全需要，打造宜居城市、韧性城市、海绵城市、智慧城市。深化户籍制度改革，全面推行居住证制度。坚持房子是用来住的、不是用来炒的定位，建立多主体供给、多渠道保障、租购并举的住房制度，促进房地产市场平稳健康发展。推动城市更新，优化提升城市新区，加强城市旧城和

55、老旧小区改造，增强城市防洪排涝、消防安全能力。推进城市地下空间开发利用。加强历史文化名城、名镇及历史街区保护和建设。推动老工业城市转型升级，建设新时代深化改革扩大开放示范城市。开展县城基础设施补短板行动，推进国家县城新型城镇化示范建设。培育县域经济强县，推动具备条件的县有序改市、有条件的县（市）改设区，做大做强中心镇、重点镇，建设省级特色小镇。（七）完善现代基础设施体系抢抓技术革命和产业变革窗口期，统筹布局信息基础设施、融合基础设施、创新基础设施，加快第五代移动通信、超宽带网络、大数据中心等建设，实施传统基础设施智能化改造，构建新型基础设施体系。（八）加快交通强省建设建设“四向八廊”战略性综合

56、运输通道，打造一批全国性和区域性综合交通枢纽。建设川藏、成渝中线、成达万、成自宜、汉巴南、宜西攀、渝昆（四川段）、渝西（四川段）、成都至兰州（西宁）等重大铁路项目，打通成都至北部湾南向陆海联运大通道，开辟成都经达州至万州港东向铁水联运新通道。加密区域城际铁路，加快建设市域（郊）铁路，打造轨道上的都市圈和经济圈。探索推进山地轨道交通发展，构建交通旅游融合发展新模式。统筹推进枢纽机场、支线机场、通用机场建设和发展，完善“干支结合、客货并举”机场网络，加快推进国家民航科技创新示范区建设，建设成都全球性航空枢纽。推进久马、镇广、宜攀等高速公路建设，提档升级普通国省干线公路，推动“四好农村路”提质扩面和

57、乡村客运“金通工程”全面实现。提升长江干线川境段和主要支流航运能级，共建长江上游航运中心。（九）统筹能源水利基础设施建设建设中国“气大庆”、特高压交流电网、水风光互补一体化清洁能源基地，完善能源产供储销体系，建设清洁能源示范省。实施“再造都江堰”水利大提升行动，推进引大济岷、长征渠等重大工程建设，完善“五横六纵”引水补水生态水网，提升水资源优化配置和水旱灾害防御能力。六、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现

58、有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 项目基本情况一、 项目概述（一）项目基本情

59、况1、项目名称：四川功率半导体芯片项目2、承办单位名称：xx公司3、项目性质：扩建4、项目建设地点：xx5、项目联系人：田xx（二）主办单位基本情况公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更

60、好的优质产品及服务。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx，占地面积约31.00亩。项目拟定

61、建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx颗功率半导体芯片/年。二、 项目提出的理由PN结具有单向导电性，是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的都离不开它。PN结是指通过采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（主要是硅）基片上，二者交界面形成的空间电荷区。P（Positive）型半导体是在硅中掺入族元素（如硼B），族元素相比族的外层电子少一个，这种缺少电子的空位被称为空穴，空穴能够导电；N（Negative）型半导体

62、是在硅中掺入族元素（如磷P），V族元素相比族的外层电子多出一个，多出的电子能够作为导电的来源。经济实力大幅提升。经济持续平稳增长，保持年均增速高于全国平均水平，人均地区生产总值与全国差距进一步缩小，经济发展质量和效益明显提升。现代产业体系加快构建，数字化智能化绿色化转型全面提速，农业基础更加稳固，常住人口城镇化率提升幅度高于全国，城乡区域发展协调性明显增强。发展活力充分迸发。重点领域和关键环节改革取得重大进展，高标准市场体系基本建成，市场主体更加充满活力。“四向拓展、全域开放”立体全面开放态势更加巩固，更高水平开放型经济新体制基本形成。科技创新对经济增长贡献显著增强，研发经费投入强度提升幅度高

63、于全国，建成国家创新驱动发展先行省。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资15390.97万元，其中：建设投资11855.78万元，占项目总投资的77.03%；建设期利息140.34万元，占项目总投资的0.91%；流动资金3394.85万元，占项目总投资的22.06%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资15390.97万元，根据资金筹措方案，xx公司计划自筹资金（资本金）9662.78万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额5728.19万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：30800.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：26145.79万元。3、项目达产年净利润（NP）：3393.12万元。4、财务内部收益率（FIRR）：15.12%。5、全部投资回收期（Pt）：6.39年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：14677.25万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。