半导体封装过程wire-bond-中-wire-loop-的研究及其优化

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1、南京师范大学电气与自动化科学学院 毕业设计（论文）半导体封装过程wire bond中wire loop的研究及其优化专 业 机电一体化 班级学号 2439 学生姓名 刘晶炎 单位指引教师 储焱 学校指引教师 张朝晖 评阅教师 5月30日摘要在半导体封装过程中，IC芯片与外部电路的连接一段使用金线（金线的直径非常小0.8-2.0 mils）来完毕，金线wire bond过程中可以通过控制不同的参数来形成不同的loop形状，除了金线自身的物理强度特性外，不同的loop形状对外力的抵御能力有差别，而对于wire bond来说，我们但愿有一种或几种loop形状的抵御外力性能杰出，这样，不仅在半导体封装

2、的前道，在半导体封装的后道也能提高mold过后的良品率，即有效地克制wire sweeping, wire open.以及由wire sweeping引起的bond short.因此，我们提出对wire loop的形状进行研究，以期得到一种可以提高wire抗外力能力的途径。对于wire loop形状的研究，可以解决：（1） 金线neck broken的改善。（2） BPT数值的升高。（3） 抗mold过程中EMC的冲击力加强。（4） 搬运过程中抗冲击力的加强。核心词：半导体封装，金线，引线焊接,线型。AbstractDuring the process of the semiconductor

3、 assembly, we use the Au wire to connect the peripheral circuit from the IC. (The diameter of the Au wire is very small .Usually, its about 0.8mil2mil.) And during the Au wire bonding, we can get different loop types from control the different parameters. Besides the physics characteristic of the Au

4、 wire, the loop types can also affect the repellence under the outside force. For the process of the wire bond, we hope there are some good loop types so that improve the repellence under the outside force. According to this, it can improve the good device ratio after molding. It not only reduces th

5、e wire sweeping and the wire open of Au wires but also avoid the bond short cause by the wire sweeping. Therefore, we do the disquisition about the loop type for getting the way to improve the repellence under outside forces. This disquisition can solve the problem about:(1) Improve the neck broken

6、of Au wire.(2) Heighten the BST data.(3) Enhance the resist force to EMC during the molding process.(4) Decrease the possibility of device broken when it be moved.Keyword: the semiconductor assembly, Au wire, wire bond, wire loop.目录摘要 Abstract 1 绪论 1.1 本课题研究的意义 1.2环境及实验设备简介 1.3重要的研究工作 2 基本知识简介 2.1 w

7、ire bond的简介及基本原理 2.2 wire loop 的基本参数 2.2.1 loop type（弧型） 2.2.2 LH（弧高） 2.2.3 reverse distance(反向线弧长度) 2.2.4 RDA(反向线弧角度) 2.2.5 2nd kink(第二弯曲点) 2.2.6 2nd kink HT factor(第二弯曲点高度因素) 2.6.7 span length (水平长度) 2.3 mold 的基本概念 2.4 BPT 测试的简朴简介 3 实验设备及环境条件 3.1实验材料 3.2实验设备简介 3.2.1 wire bond设备 3.2.2 BPT测试仪 3.2.3

8、mold设备及wire sweeping 测试设备 3.3环境条件 4 实验设计及数据解决 4.1实验设计及研究措施 4.2实验过程及数据采集 4.2.1 loop type: Q-LOOP (1) 4.2.1.1 参数 4.2.1.2 BPT数据 4.2.1.3 wire sweeping测试数据 4.2.2 loop type: Q-LOOP(2) 4.2.2.1 参数 4.2.2.2 BPT数据 4.2.2.3 wire sweeping测试数据 4.2.3 loop type: SQUARE-LOOP(1) 4.2.3.1 参数 4.2.3.2 BPT数据 4.2.3.3 wire s

9、weeping测试数据 4.2.4 loop type: SQUARE-LOOP(2) 4.2.4.1 参数 4.2.4.2 BPT数据 4.2.4.3 wire sweeping测试数据 4.3数据解决分析及其成果 4.3.1实验数据解决 4.3.2数据分析及分析成果 4.3.2.1 BPT数据分析及成果 4.3.2.2 wire sweeping测试数据分析及成果 4.3.2.3综合分析及成果 5理论计算5.1有关理论计算的阐明5.2转动惯量的概念 5.2.1转动惯量的定义 5.2.2移轴定理5.3转动惯量条件下S弧与Q弧的比较5.3.1 S弧的转动惯量 5.3.2 Q弧的转动惯量 5.3

10、.3 一定条件下两弧的比较计算5.4转动惯量对S弧模型的影响5.4.1 S弧模型15.4.2 S弧模型25.5转动惯量对Q弧模型的影响 5.5.1 Q弧模型1 5.5.2 Q弧模型2 6结论 绪论1.1 本课题研究的意义在目前的半导体封装中，大多在对金线的机械强度的提高在做努力，即提高原材料的机械强度，而对wire loop形状的研究还鲜有报道，虽然有这方面的研究也并未正式公开的刊登有关论文。因此，在这方面的进一步研究还是很故意义的。1.2环境及实验设备简介 固定一种金线（2.0mil）作为实验原材料，固定实验机器为ASM*Eagle 60 wire bonder进行实验。(注：1mil=25

11、.4um)1.3重要的研究工作本设计重要的研究工作是对芯片进行引线焊接所行成的多种不同线型的研究分析。我们通过设计实验的措施将其进行优化，以提高金线承受外力的能力，并最后指引实际生产工具。2 基本知识简介2.1wire bond的基本原理Wire bonding是一种使用了热能、压力以及超声能量的芯片内互连技术，本质上是一种固相焊接工艺。用金线或铝线把芯片上的焊盘与引线框架上的相应引脚连接起来，以实现芯片与外部电路连接的功能，如图2.1.1。 图2.1.1本设计中金线的wire bond采用热超声法，其将焊件加热到200250oC,使用劈刀。图2.1.2是wire bond-ball bond

12、ing的大体过程。 图2.1.2 W/B过程Bond过程是一种极其复杂的过程，它汇集了计算机控制技术、高精度图像辨认解决技术（PRS）、高精度机械配合、自动控制反馈等高科技。Wire bond技术的发展是环绕封装技术的发展进行的。目前还是最成熟的芯片内互连技术。在任何开发出的新封装类型中都可以应用WB技术。随着技术的发展，提出了超细间距BOND技术、铜线BOND技术、带BOND技术等新技术，也给我们带来了新的研究课题。同步我们也应当看到，毕竟作为一种“老”技术也有不可避免的缺陷如：线长带来阻抗增长和电感增大，从而限制了对高频器件封装的选择，此外散热性能也没有裸倒装芯片来得好。但是掌握wire

13、bond技术从而保证生产的稳定，对公司的发展来说有重要的意义。2.2 wire loop的基本参数2.2.1 loop type（弧型）: 图2.2.1.1 Q-LOOP 图2.1.1.2 SQUARE-LOOP 2.2.2 LH（弧高）图2.2.2 LH = loop height（弧高）2.2.3 reverse distance(反向线弧长度) 图2.2.3 reverse distance（反向线弧长度）2.2.4 RDA(反向线弧角度) 图2.2.4 RDA=reverse distance angle（反向线弧角度）2.2.5 2nd kink(第二弯曲点) 图2.2.5 2nd

14、Kink(第二弯曲点)2.2.6 2nd kink HT factor(第二弯曲点高度因素)图2.2.6 2nd kink HT factor2.2.7 span length (水平长度)图2.2.7 span length (水平长度)2.3 mold的基本概念Mold就是把已经Wire-bond完毕后的材料用EMC包装起来，从而达到保护Chip,使其免受外界的因素，涉及热辐射、机械冲击、化学腐蚀等因素的影响、维持其自身所具有的电子性能，因而Mold工程对PKG技术的发展具有很重要的意义。其中的封装材料EMC是Epoxy Molding Compound的缩写，其性质为一热固性树脂。EMC

15、在高温作用下，其中的一部分颗粒受热后逐渐融化，但当温度继续上升时，这部分物质反而又逐渐反映成为固体，并且其过程不逆转，如此循环，直至所有颗粒反映结束。由于反映是不可逆的，因此保证了PKG在使用过程中产生的热量不会对其外形产生太大的影响。2.4 BPT测试的简朴简介BOND PULL TEST简称BPT是测量PAD和 LEAD的BOND质量的一种措施。运用测力的小钩，在LOOP的规定的位置测量WIRE BROKEN力的大小，并观测与否有LEAD OPEN、PAD OPEN和METAL OPEN等不良。图2.4 Bond pull test 3 实验设备及环境条件3.1实验材料实验材料采用金线直径

16、=2mil,纯度99.9999%，如图3.1。芯片采用LVIC,尺寸为95*93(mil)。Lead Frame（引线框架）采用TO-220 D-PAK的。 图 3.1 金线3.2 实验设备简介3.2.1 wire bond设备 Wire bond 我们使用ASM*Eagle 60 wire bonder来完毕。如图3.2.1:图3.2.1 ASM*Eagle 60 wire bonder3.2.2 BPT测试仪Bond pull test即一般我们所说的BPT测试，我们使用dage*SERIES 4000测试仪来得到所求数据。如图3.2.2: 图3.2.2 dage*SERIES 40003

17、.2.3 mold设备及wire sweeping 测试设备在半导体封装的后道，Mold是将前道bond好的芯片通过模具注入环氧树脂EMC，将芯片封装起来的一道工序。在 MOLDING工程中，生产设备重要设备有：UPS 120N系列（N/NC/NEX/S）自动设备，如图3.2.3.1。Mold 过后的wire sweeping我们使用dage*XL 6500 x光测试仪测得。如图3.2.3.2: 图3.2.3.1 UPS120N 系列mold设备 图3.2.3.2 dage*XL 6500(X-RAY)3.3 环境条件环境温度控制范畴：3摄氏度（+ - 5度），湿度控制范畴：50%（+ - 3

18、0%）。wire bond条件：正常工作条件。Molding条件：压力45kg,EMC流动时间24s。 4 实验设计4.1实验环节及研究措施一种线的形状波及到如下参数：loop type（弧型）, loop height（弧高）, reverse distance（反向线弧长度）， reverse angle（反向线弧角度）, 2nd kink HT factor, pull ratio（拉力比率）, span length（水平长度）。一方面，我们通过在Q，S两种弧型中分别变化loop height（弧高），span length（水平长度）来得到12种不同的loop形状，其她则参数不变。第

19、二步，我们对每种弧型进行拉力测试和封装mold测试，分别得到BPT和wire sweeping的数据。BPT数据我们是通过专用的测试仪来测定的，属于破坏性的实验，,共12组，每组测12个数据。Wire sweeping则是将芯片封装mold完毕之后，通过X-RAY透过其表层的环氧树脂量取的。同样12组，每组测12个数据。第三步，在得到BPT和wire sweeping这两项数据后，我们将其输入电脑，使用专业软件JMP.5对这些数据进行综合解决。然后对其解决成果进行综合分析。得到实验的优化成果。第四步，我们将过简朴的理论计算来证明实验所得到的优化成果。最后，我们可以得出结论，即得到最优化的bon

20、ding loop。如图4.1.1图4.1.3为本实验中芯片需要经历的三道工序： 图4.1.1 wire bond 前 图4.1.2 wire bond后mold 前 图4.1.3 mold 后4.2实验过程及数据采集4.2.1 loop type: Q-LOOP（1）4.2.1.1参数Q-LOOP（1）弧型1参数弧型2参数弧型3参数loop height10mil10mil10milReverse distance30%60%90%LHT correction151515Pull ratio0%0%0%Reverse distance Angle0004.2.1.2 BPT数据弧型 (Q型)

21、Bond Pull Test (BPT) 数据弧型140.50936.08024.83122.53236.97343.99942.60239.21739.70638.43537.84137.667弧型238.02939.72036.77227.50926.43123.73619.85422.12324.11223.42926.27224.648弧型322.75423.86326.96426.50228.89729.81333.03633.99233.95236.49933.24734.9884.2.1.3 wire sweeping测试数据弧型 (Q型)Wire sweeping 测试数据弧型

22、12.861.422.392.652.022.842.292.092.582.692.301.19弧型23.013.463.153.813.762.342.682.572.622.593.752.81弧型34.723.092.943.422.622.923.652.952.933.651.892.854.2.2 loop type : Q-LOOP(2)4.2.2.1参数 Q-LOOP弧型4参数弧型5参数弧型6参数loop height15mil20mil28milReverse distance60%60%60%LHT correction151515Pull ratio0%0%0%Reve

23、rse distance Angle0004.2.2.2 BPT数据弧型 (Q型)Bond Pull Test (BPT) 数据弧型414.29715.83416.50520.53016.92822.63821.50324.41226.08429.38118.72823.710弧型522.07625.26027.17928.37225.01427.28727.23925.82327.29728.31126.00629.286弧型615.25419.25018.61422.61721.44223.37037.95641.93318.89728.80123.34624.0554.2.2.3 wir

24、e sweeping测试数据弧型 (Q型)Wire sweeping 测试数据弧型42.372.722.562.653.042.461.981.741.352.642.572.01弧型52.644.983.034.622.675.522.332.983.104.744.863.81弧型62.204.222.372.212.192.253.052.802.222.963.143.424.2.3 loop type: SQUARE-LOOP (1)4.2.3.1参数SQUARE-LOOP弧型7参数弧型8参数弧型9参数Loop height10mil10mil10milReverse distanc

25、e60%60%60%Span length80%40%15%2nd kind HT factor (%)505050Pull ratio0%0%0%Reverse height18 18 18Reverse distance angle000Wire length factor (%)500500500LHT correction5554.2.3.2 BPT数据弧型 (S)Bond Pull Test (BPT) 数据弧型723.18324.86428.76131.84935.77338.62036.34942.35434.36732.79535.35134.964弧型814.05226.10

26、217.47622.02519.98818.73718.10220.01420.33525.42019.39327.228弧型919.59020.77218.24921.87723.64625.54125.41426.98528.58730.66025.34625.7554.2.3.3 wire sweeping测试数据弧型 (S型)Wire sweeping 测试数据弧型72.132.012.843.233.043.522.581.982.232.511.952.20弧型82.423.273.181.993.382.993.092.532.803.573.893.46弧型95.023.511

27、.673.524.043.702.902.434.993.022.984.304.2.4 loop type : SQUARE-LOOP(2)4.2.4.1参数SQUARE-LOOP弧型10参数弧型11参数弧型12参数Loop height8mil15mil19milReverse distance60%60%60%Span length40%40%40%2nd kind HT factor (%)505050Pull ratio0%0%0%Reverse height18 18 18Reverse distance angle303030Wire length factor (%)50050

28、0500LHT correction5554.2.4.2 BPT数据线型（S）Bond Pull Test（BPT）数据线型1022.01725.30621.59227.32823.05524.68022.73628.54019.57124.78429.45031.207线型1122.75923.46624.65924.70019.06821.21927.33733.06227.18529.37429.18932.994线型1222.31126.53025.95430.08526.06231.48437.58831.37534.20136.28031.97537.4704.2.4.3 wire

29、 sweeping测试数据线型 (S型)Wire sweeping 测试数据线型102.612.292.873.032.532.482.913.123.873.994.023.86线型113.113.052.243.042.622.811.922.992.652.082.062.54线型123.042.753.303.482.242.992.882.552.872.792.002.684.3数据解决分析4.3.1实验数据解决我们使用JMP 5 记录分析软件进行数据分析。一方面我们需要把实验测得的12组BPT数据（每组12个数据）和12组Wire sweep数据（每组12个数据）输入JMP 5

30、软件里，通过软件分别计算出每组数据各自的平均值。然后，再将这些参数同我们设计的各线型的各项参数一起重新输入软件。最后我们得到如图4.3.1.1所示的表格： 图4.3.1.1 JMP.5专业记录分析软件在上图表格中，我们以实验测得数据的2组平均数据组为Y轴，而此外4组弧型参数loop type, loop height, reverse distance, span length则作为Model Effects加入进去。如图4.3.1.2所示： 图4.3.1.2 建立模型然后，我们Run Model 后软件即开始进行分析计算。4.3.2数据分析及分析成果4.3.2.1 BPT数据分析及分析成果R

31、esponse BPT(g)Whole ModelActual by Predicted PlotParameter EstimatesTerm EstimateStd Errort RatioProb|t|Intercept32.946268.3865383.930.0057loop typeQ3.88818532.7026551.440.1934loop height(mil)-0.1738350.26446-0.660.5320reverse distance(%)-0.1053960.117129-0.900.3981span length(%)0.14393440.1063111.3

32、50.2179Effect TestsSourceNparmDFSum of SquaresF RatioProb Floop type1151.1110342.06970.1934loop height(mil)1110.6698710.43210.5320reverse distance(%)1119.9949070.80970.3981span length(%)1145.2659421.83300.2179Residual by Predicted Plotloop typeLeverage PlotLeast Squares Means TableLevelLeast Sq Mean

33、 Std ErrorMeanQ31.1790683.059775927.8162S23.4026973.059775926.7655loop height(mil)Leverage Plotreverse distance(%)Leverage Plotspan length(%)Leverage Plot4.3.2.2 wire sweeping测试数据分析及成果Response wire sweeping(%)Whole ModelActual by Predicted PlotParameter EstimatesTerm EstimateStd Errort RatioProb|t|I

34、ntercept2.36573820.7550013.130.0165loop typeQ-0.3231890.243307-1.330.2257loop height(mil)-0.0005320.023808-0.020.9828reverse distance(%)0.01418050.0105451.340.2206span length(%)-0.0141420.009571-1.480.1830Effect TestsSourceNparmDFSum of SquaresF RatioProb Floop type110.353130181.76440.2257loop heigh

35、t(mil)110.000099860.00050.9828reverse distance(%)110.361958401.80850.2206span length(%)110.436957052.18330.1830Residual by Predicted Plotloop typeLeverage PlotLeast Squares Means TableLevelLeast Sq Mean Std ErrorMeanQ2.58556060.275457232.88514S3.23193930.275457232.93236loop height(mil)Leverage Plotr

36、everse distance(%)Leverage Plotspan length(%)Leverage Plot4.3.2.3综合分析及成果根据wire bond 的规定，同步也是我们实验的最初规定，为了得到金线更大的抗外力能力，我们需要wire sweeping的值越小越好，BPT的值越大越好。因此我们得到如下图所示的成果：Prediction Profiler由图表我们可以清晰的看到，由我们实验分析所得出S，Q两种弧型中最优的弧型应当是Q弧，且当它最优时其参数为loop height = 17.8mil , reverse distance = 30.4% 。而在S弧型中最优的弧型它的

37、loop height = 17.8mil, span length = 79.5%。当其最优化时的wire sweeping = 1.339915%,BPT = 41.97893g。由最优化的参数，我们可以懂得，在我们进行实验的12组弧型中，Q弧中较优化的是弧型1和弧型5。S弧中较优化的是弧型7和弧型12。而在所有弧型中较优化的是弧型1和弧型5。5 理论计算5.1有关理论计算的阐明人们都懂得可以影响到金线LOOP抗冲击能力的因素诸多，涉及它的转动惯量，金线的合金成分，两焊点的焊接强度，绕度等，都会影响到其LOOP的抗外力能力。在进行理论计算时，若要将实际中诸多复杂因素都考虑进去，难度将非常之

38、大，并且在短时间内也不也许完毕。因此，我们提出，只从考虑转动惯量的角度出发，来对S，Q弧各模型进行分析计算。在实际优化和解决问题的过程中，它也将是我们的一种重要的参照原则。5.2转动惯量的概念5.2.1转动惯量的定义刚体的转动惯量是刚体转动时惯性的度量，它等于刚体内各质点的质量与质点到轴的垂直距离平方的乘积之和，即:Jz = 并且我们懂得，当物体由几种几何形状简朴的物体构成时，计算整体（物体系）的转动惯量可先分别计算每一部分的转动惯量，然后再合起来。5.2.2移轴定理刚体对于任一轴的转动惯量，等于刚体对于通过质心，并与该轴平行的轴的转动惯量，加上刚体的质量与两轴间平方的乘积。即： Jz = J

39、zc + md5.3 转动惯量条件下S弧与Q弧的比较 由于金线的直径为2 mil = 50 m ,在我们看来非常小，因此我们可以把金线当作是细直杆，忽视其自身的转动惯量来达到简化计算的目的。5.3.1 S弧的转动惯量根据转动惯量的定义Jz = 和移轴定理Jz = Jzc + md我们可以得到图5.3.1的S弧型的转动惯量：Js = ( a = h ) 图5.3.15.3.2 Q弧的转动惯量同理我们得Q弧（图5.3.2.1）的转动惯量为： 图5.3.2.1 无论是S弧，Q弧我们都需要证明它们斜边转动惯量的计算。因此，如图5.3.2.2，根据积分定义： 图5.3.2.25.3.3一定条件下两弧的比

40、较计算为了做比较，我们假定两种弧的弧高，即loop height是相等的，且Q弧中（实际生产中最大为），并且我们懂得它们两焊点间的距离S也是相等的。因此我们可以建立两个用以比较的模型，如图5.3.3.1和图5.3.3.2。 图5.3.3.1 图5.3.3.2；在我们所建立的上面两个模型中是相等的，s相等，也相等。；由经验我们懂得值都很小，一般来说,因此，当我们分别取span length等于80%、60%、40%时，我们可以得到：.当span length = 80%,即b = 80%时，。.当span length = 60%,即b = 60%时，。.当span length = 40%,即

41、b = 40%时，。在我们取的三种状况中，在相似loop height的状况下，当它的span length = 80%、60%时，S弧的转动惯量不不小于Q弧的转动惯量，这时Q弧比较优秀。而当它的span length = 40%时，S弧的转动惯量不小于Q弧的转动惯量，这时S弧比较优秀。通过上面计算我们可以懂得，当两弧型的loop height相等的状况下，只要懂得S弧的span length，我们就可以比较出两弧型转动惯量的大小，进而比较出抗冲击能力的大小。5.4转动惯量对S弧模型的影响5.4.1 S弧模型1 图5.4.1 S弧模型1和实验分析同样，我们从loop height和span l

42、ength的变化来做比较。由S弧的模型1(图5.4.1)我们可以看出，模型中b不变，S不变，h变化(h=a),c与h成正比关系，它的值和随着h的变大而变大。在b不变，S不变，只变化loop height的状况下，loop height越大的，它的转动惯量越大，相对来说也越稳定。5.4.2 S弧模型2 图5.4.2 S弧模型2如图5.4.2 S弧模型2，h不变，s不变，只有b和c值在变化，由图我们可以看出来，b和c是成反比的，b值越大c值就越小。呈单调递增的趋势。在h不变，s不变，只变化span length的状况下，S弧的span length越大，它的转动惯量越大,相对来说也就越稳定。5.5

43、转动惯量对Q弧模型的影响5.5.1 Q弧模型1 图5.5.1.1 Q弧模型1 和实验分析同样，我们从reverse distance（RD）和loop height的变化来做比较。如图5.5.1.1 Q弧模型1，h不变，S不变,RD变化。我们懂得在wire bond过程中RD的变化直接决定了的大小，两者成正比关系，RD越大也越大。如图：；又；由图形的单调性得：；在h不变，S不变，只变化它的RD的状况下，Q弧的 RD值越大，它的转动惯量也越大，相对来说也越稳定。 在这里，我们有必要来证明一下长度在Q弧模型1中的变化与否呈单调性变化以及其单调变化的趋势。将模型1简化如图5.5.1.2。 图5.5.

44、1.2证明：由图5.5.1.2得函数对函数求导,时，函数为单调递减；（1）当时，；得拐点；前面我们已经证明过了时，函数为单调递减的。因此，我们目前只需要证明区间上函数的单调性。设则函数在区间上单调递减。(2)综合(1)、(2)两个成果，我们得：函数在上是单调递减的。5.5.2 Q弧模型2 图5.5.2 Q弧模型2 如图5.5.2 Q弧模型2，RD不变（即不变），S不变，只有h在变化。Q弧的转动惯量：；由图我们可以看出：；又；在RD不变，S不变，在只变化loop height的状况下，loop height越大，它所具有的转动惯量也越大，相对来说也越稳定。6 结论 通过理论计算所得到的成果我们可

45、以与实际分析成果相比较。从理论计算的成果中可以看出：从转动惯量的角度来看，无论是Q弧还是S弧，一般而言，它的loop height, span length, reverse distance 越大，其转动惯量也就越大。然而，我们通过与实际分析成果的比较可以发现：事实上，loop height 在上升过程中会存在一种中心极值（17.8mil），并不是可以无限上升的，超过或不不小于这个极值都会减少loop的稳定性。在两支点S不变的状况下，相对与loop height这个中心极值时刻的span length和RD数值为最优化参数，其loop的稳定性也就最佳。参照文献1. 哈尔滨工业大学理论力学教研

46、组编著。理论力学（上册，下册）。北京：高等教育出版，1997.72. 刘鸿文主编。简要材料力学。北京：高等教育出版社，1997.73. 同济大学数学教研室主编。高等数学（上册，下册）。北京：高等教育出版社,1996.12 4. 范钦珊主编。材料力学。北京：高等教育出版社,.2 5. 过祥龙，董慎行主编。基本物理学（上册，下册）。苏州：苏州大学出版社,1999.2 6. 刘鸿文主编。材料力学（上册，下册）。北京：高等教育出版社,1982.107. 美W.A纳什著，赵志岗译。材料力学。北京：科学出版社,.18. 罗迎社主编。材料力学。武汉：武汉理工大学出版社,.79. 储焱。Bond pull t

47、est：论文,10. Shui-Yuan Yu. “Looping Workshop”, 11. Z. Gou Ph.D., L. Monterulo, C. V. Pham Ph.D. and K. Huth. “Emerging Heavy And Fine Copper Wires for Chip Packaging”, 12. J. Fauty and J. Yoder, “Room Temperature Ultrasonic Wire Bonding with Large Diameter AU Wire”, .13. L. Levine and M. Sheaffer, “The Development of A AU Ball Bonding Process”, .14. L. A. Lim, J. Castaneda and S. Shirakawa, “Fine Pitch AU Wire Bonding Process And Materials Study”, .15. K. Atsumi, T. Ando, M. Kobayashi and O. Usuda, “Ball Bonding Technique for Copper Wire”, . 道谢感谢