湖南大学物电院集成电路试卷及答案 (7)

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考试中心填写： 年 月 日考 试 用湖南大学课程考试试卷 姓名： 学号： 专业班级 装订（答题不得超过此线）课题名称： 集成电路原理；试卷编号： H（开卷） 考试时间：120分钟题号一二三四五六七八九十总分应得分100实得分评分：评卷人一、简答题1 使用超晶体管作运放的输入管，对运放的性能有何影响？2 CMOS电路与否在任何状况下均为微功耗电路？为什么？3 什么是失调？产生失调的重要因素是什么？4 横向PNP管的幅员构造为什么总是采用集电区包围发射区的方式?5 衡量一种逻辑电路静态特性的优劣重要有那三方面的指标？二、画出COMS倒相器的剖面构造，分析产生锁定效应的因素，并指出消除锁定效应的重要措施三、画出CMOS倒相器原理图，定性作出其电压传播特性曲线，推导其上升时间和下降时间。四、分析、论述1：某公司生产的运算放大器其开环电压增益存在正负半周不对称的问题，试分析重要因素。2：TTL输入晶体管为什么采用长脖基区的幅员构造？3：CMOS又称为互补对称MOS，与否意味着其倒相器设计时，N管和P 管的幅员构造也必须对称？五、分析图示基准源电路的工作原理，指出电路中每一种元件的作用，并总结其性能特点。六、分析图示电路的工作原理，指出每个元件的作用，并给出逻辑关系。七、图示A741偏置电路，分析电路原理，指出每个元件的作用。