电子技术项目教程06三极管管脚的判断及电流放大特性检测课件

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1、12022-7-142知识目标：了解晶体管的结构、掌握晶体管的电流分配关系及放大原理。掌握晶体管的输入输出特性、理解其含义，了解主要参数的定义。会使用万用表检测晶体管的质量和判断管脚。会查阅半导体器件手册，能按要求选用晶体管。掌握三种组态放大电路的基本构成及特点。掌握非线性失真的概念，静态工作点的求解方法。会用微变等效电路分析法求解电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。2022-7-143知识目标：了解工作点稳定电路工作点稳定原理。了解多级放大电路的几种耦合方式和特点。掌握反馈的概念以及反馈类型的判断方法。熟悉负反馈的引入对放大电路性能产生的影响，能正确根据要求引入负反馈。正确理解典型功放电路的组

2、成原则、工作原理以及各种状态的特点。熟悉功放电路最大输出功率和效率的估算方法，会选择功放管。2022-7-144技能目标：晶体管管脚的判断及电流放大特性检测。掌握基本放大电路静态工作点的调试方法，会用示波器观察信号波形，熟悉截止失真、饱和失真的波形，掌握消除失真的方法。会用万用表测量晶体管的静态工作点，并由此判断工作状态，会用毫伏表测量输入、输出信号的有效值，并计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。2022-7-145技能目标：掌握负反馈放大电路静态工作点的测量与调整方法。会用集成功率放大器设计实用功放电路，掌握消除交越失真的方法。掌握简单元器件质量检测和极性判别的方法。掌握焊接、装配、调试典

3、型放大电路的基本技能。2022-7-146工作任务：晶体管管脚的判断及电流放大特性检测。共射放大电路静态工作点及动态性能的测试。共集电极放大电路动态性能指标的测试。负反馈放大电路的测试。低频功率放大电路的测试。扩音器的制作与调试。2022-7-1472.1 晶体管管脚的判断及电流放大特性检测 2.1.1 晶体管的认识 实训2-1：用万用表检测晶体管引脚、管型和电流放大倍数 2.1.2 晶体管主要特性 实训2-2：晶体管电流放大检测 实训2-3：晶体管共射输入特性曲线的仿真测试 实训2-4：晶体管共射输出特性曲线的仿真测试2022-7-1482.1.1 晶体管的认识晶体管的认识小功率晶体管小功率

4、晶体管 中功率晶体管中功率晶体管 大功率晶体管大功率晶体管 晶体三极管也称为半导体三极管，简称晶体三极管也称为半导体三极管，简称晶体管晶体管。它是通。它是通过一定的制作工艺，将两个过一定的制作工艺，将两个PNPN结结合在一起，具有结结合在一起，具有控制电流控制电流作用的半导体器件。由于晶体管工作时有两种载流子参与导作用的半导体器件。由于晶体管工作时有两种载流子参与导电，故也叫双极型晶体管。晶体管可以用来电，故也叫双极型晶体管。晶体管可以用来放大微弱的信号放大微弱的信号和作为和作为无触点开关无触点开关。2022-7-149晶体管从结构上来讲分为两类：晶体管从结构上来讲分为两类：NPNNPN型和型

5、和PNPPNP型。型。晶体管的结构特点晶体管的结构特点：（1）基区做得很薄，）基区做得很薄，且掺杂浓度低；且掺杂浓度低；（2）发射区杂质浓度很高；）发射区杂质浓度很高；（3）集电区面积较大）集电区面积较大.NPNPNP1.晶体管的结构和符号2022-7-1410晶体管按所用的材料来分，有硅管和锗管两种；晶体管按所用的材料来分，有硅管和锗管两种；根据工作频率分，有高频管、低频管；根据工作频率分，有高频管、低频管；按用途来分，有放大管和开关管等；按用途来分，有放大管和开关管等；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。另外从晶体管封装材料来分，有金

6、属封装和玻璃封装，另外从晶体管封装材料来分，有金属封装和玻璃封装，近来又多用硅铜塑料封装。近来又多用硅铜塑料封装。1.晶体管的结构和符号2022-7-14111 1）晶体管引脚识别）晶体管引脚识别 常见晶体管的引脚分布规律：常见晶体管的引脚分布规律：（1 1）封装名称）封装名称S-1AS-1A、S-1BS-1B有半圆形的低面。有半圆形的低面。识别引脚时，将管脚朝下，识别引脚时，将管脚朝下，切口朝自己，从左到右依切口朝自己，从左到右依次为次为e、b、c脚。脚。ebC2.晶体管的识别与检测2022-7-1412 （2 2）封装名称）封装名称S-6AS-6A、S-6BS-6B、S-7S-7、S-8S

7、-8ebC有散热片。有散热片。识别引脚时，将印有型号一面识别引脚时，将印有型号一面朝自己，引脚朝下，从左到右朝自己，引脚朝下，从左到右依次为依次为b、c、e 脚。脚。2.晶体管的识别与检测2022-7-1413B型型:外壳上有一个突出的定位外壳上有一个突出的定位销，四根引脚。销，四根引脚。识别时，引脚朝上，定位销开识别时，引脚朝上，定位销开始顺时针依次为始顺时针依次为e、b、c、d脚，脚，d脚接外壳。脚接外壳。定位销定位销C型型:一个定位销，三根引脚。一个定位销，三根引脚。三根引脚呈等腰三角形，三根引脚呈等腰三角形，e、c 脚为底边。脚为底边。D型型:没有定位销，三根引脚。没有定位销，三根引脚

8、。三根引脚呈等腰三角形，三根引脚呈等腰三角形，e、c 脚为底边。脚为底边。（3 3）封装名称）封装名称 B B型、型、C C型、型、D D型型2.晶体管的识别与检测2022-7-1414F型型:只有两根引脚。只有两根引脚。识别时，管底朝上，引脚靠识别时，管底朝上，引脚靠近左安装孔，上面一根为近左安装孔，上面一根为e脚，下面一根为脚，下面一根为b脚，脚，管壳管壳为集电极为集电极c。安装孔安装孔安装孔安装孔 （4 4）封装名称）封装名称 F F型型2.晶体管的识别与检测2022-7-14152 2）用万用表判别引脚和管型）用万用表判别引脚和管型用万用表判别引脚的根据是：把晶体管的结构看成是两个用万

9、用表判别引脚的根据是：把晶体管的结构看成是两个背靠背的背靠背的PNPN结。对结。对NPNNPN管来说，基极是两个结的公共阳极管来说，基极是两个结的公共阳极；对；对PNPPNP管来说，基极是两个结的公共阴极。管来说，基极是两个结的公共阴极。cbecbeNPNNPN管管PNPPNP管管2.晶体管的识别与检测2022-7-1416（1 1）万用表量程的选择）万用表量程的选择 功率在功率在1W1W以下的中小功率管，可用万用表的以下的中小功率管，可用万用表的R R 100100或或R R 1k1k档测量；功率在档测量；功率在1W1W以上的大功率管，可用万用表的以上的大功率管，可用万用表的R R 1 1或

10、或R R 1010档测量。档测量。（2 2）晶体管的基极判断）晶体管的基极判断 用黑表棒接触某一管脚，用红表棒分别接触另两个用黑表棒接触某一管脚，用红表棒分别接触另两个管脚，如表头读数都很小，则与黑表棒接触的那一管脚是管脚，如表头读数都很小，则与黑表棒接触的那一管脚是基极，同时可知此晶体管为基极，同时可知此晶体管为NPNNPN型型。用红表棒接触某一管脚，而用黑表棒分别接触另两用红表棒接触某一管脚，而用黑表棒分别接触另两个管脚，表头读数同样都很小时，则与红表棒接触的那一个管脚，表头读数同样都很小时，则与红表棒接触的那一管脚是基极，同时可知此晶体管为管脚是基极，同时可知此晶体管为PNPPNP型型。

11、既判定了既判定了晶体管的基极晶体管的基极，又判别了，又判别了晶体管的类型晶体管的类型。2 2）用万用表判别引脚和管型）用万用表判别引脚和管型2022-7-1417（3 3）判断晶体管发射极和集电极）判断晶体管发射极和集电极 以以NPNNPN型晶体管为例：型晶体管为例：假定其余的两只脚中的一只是集电极，将黑表棒接假定其余的两只脚中的一只是集电极，将黑表棒接到此脚上，红表棒则接到假定的发射极上。用手指把假设到此脚上，红表棒则接到假定的发射极上。用手指把假设的集电极和已测出的基极捏起来（但不要相碰），看表针的集电极和已测出的基极捏起来（但不要相碰），看表针指示，并记下此阻值的读数。指示，并记下此阻值

12、的读数。然后再作相反假设，即把原来假设为集电极的脚假然后再作相反假设，即把原来假设为集电极的脚假设为发射极。作同样的测试并记下此阻值的读数。设为发射极。作同样的测试并记下此阻值的读数。比较两次读数的大小，若前者阻值较小，说明前者比较两次读数的大小，若前者阻值较小，说明前者的假设是对的，那么的假设是对的，那么黑表棒黑表棒接的一只脚就是接的一只脚就是集电极集电极，剩下，剩下的一只脚便是的一只脚便是发射极发射极。2 2）用万用表判别引脚和管型）用万用表判别引脚和管型说明：说明：PNP型型晶体晶体管，仍用上述方法，但必须把表棒极性对调一下。管，仍用上述方法，但必须把表棒极性对调一下。2.晶体管的识别与

13、检测2022-7-1418实训流程：实训流程：在元件盒中取出两个晶体管，根据实训原理介绍的方法进行如下测量：在元件盒中取出两个晶体管，根据实训原理介绍的方法进行如下测量：（1 1）类型判别（判别晶体管是）类型判别（判别晶体管是PNPPNP型还是型还是NPNNPN型），并确定基极型），并确定基极b b。（2 2）判断晶体管集电极）判断晶体管集电极c c和发射极和发射极e e。（3 3）把晶体管按引脚顺序对应地插入插孔中，用）把晶体管按引脚顺序对应地插入插孔中，用h hEFEF挡位，测出晶体管的挡位，测出晶体管的值。值。把以上测量结果填入表中，并画出晶体管简图，标出把以上测量结果填入表中，并画出晶

14、体管简图，标出引引脚名称。脚名称。2022-7-14192022-7-1420晶体管电流放大作用条件是：晶体管电流放大作用条件是：内部条件：发射区掺杂浓度高，基区内部条件：发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，集电结面积大。掺杂浓度低且很薄，集电结面积大。外部条件：发射结加正向电压（正外部条件：发射结加正向电压（正偏），而集电结必须加反向电压偏），而集电结必须加反向电压（反偏）。（反偏）。实训实训2-2：晶体管电流放大检测：晶体管电流放大检测改变可变电阻改变可变电阻R Rb b值，基极电流值，基极电流I IB B、集、集电极电流电极电流I IC C和发射极电流和发射极电流I IE E发生的发

15、生的变化。变化。基极电流基极电流I IB B（mAmA）00.0100.0200.040集电极电流集电极电流I IC C（mAmA）发射极电流发射极电流I IE E（mAmA）基极电流基极电流I IB B（mAmA）0.0600.0800.100集电极电流集电极电流I IC C（mAmA）发射极电流发射极电流I IE E（mAmA）（1）归纳一下在）归纳一下在UBB和和UCC满足什么条件时，晶体管电流放大效果明显？满足什么条件时，晶体管电流放大效果明显？（2）基极电流）基极电流IB、集电极电流、集电极电流IC 和发射极电流和发射极电流IE 三者有什么关系？三者有什么关系？2022-7-1421

16、基极电流基极电流I B（mA)00.0100.0200.0400.060集电极电流集电极电流I C（mA）0.0010.4950.9951.9902.990发射极电流发射极电流I E（mA）IIB B，I IC C与与I IB B比值近似相等；比值近似相等；（3 3）I IC C和和I IB B的变化值近似相等；的变化值近似相等；（4 4）I IB B=0=0（基极开路），（基极开路），集电极电流很小集电极电流很小 晶体管穿透电流晶体管穿透电流I ICEOCEO 质量参数质量参数1.晶体管的电流分配原则及放大作用晶体管的电流分配原则及放大作用2022-7-1422 2）晶体管的电流分配关系）晶

17、体管的电流分配关系晶体晶体晶体管的直流电流放大系数：晶体管的直流电流放大系数：=IC/IB 晶体管的交流电流放大系数：晶体管的交流电流放大系数：=IC/IB 一般一般 1，通常，通常 电流分配关系：电流分配关系：IE=IC+IB IC=IB2022-7-14232022-7-1424 3）晶体管实现电流分配的原理）晶体管实现电流分配的原理（1）发射区向基区发射自由）发射区向基区发射自由电子，形成发射极电流电子，形成发射极电流IE。（2）自由电子在基区与空）自由电子在基区与空穴复合，形成基极电流穴复合，形成基极电流IB。（3）集电区收集从发射区）集电区收集从发射区扩散过来的自由电子，形成扩散过来

18、的自由电子，形成集电极电流集电极电流IC。另外，集电区的少子形成另外，集电区的少子形成漂移电流漂移电流ICBO。2022-7-1425【例例2-1】一个处于放大状态的晶体管，用万用表测出三一个处于放大状态的晶体管，用万用表测出三个电极的对地电位分别为个电极的对地电位分别为U1=-7V，U2=-1.8V，U3=-2.5V。试判断该晶体管的管脚、管型和材料。试判断该晶体管的管脚、管型和材料。解题方法：解题方法：（1）晶体管处于）晶体管处于放大状态放大状态时，发射结正向偏置，集电极时，发射结正向偏置，集电极反向偏置，则三管脚中，电位中间的管脚一定是反向偏置，则三管脚中，电位中间的管脚一定是基极基极。

19、（2）在放大状态时，发射结）在放大状态时，发射结UBE约为约为0.6V0.7V或或0.2V0.3V。如果找到电位相差上述电压的两管脚，则一。如果找到电位相差上述电压的两管脚，则一个是基极，另一个一定是个是基极，另一个一定是发射极发射极，而且也可确定管子的材，而且也可确定管子的材料。电位差为料。电位差为0.6V0.7V的是的是硅管硅管，电位相差，电位相差0.2V0.3V的是的是锗管锗管。2022-7-1426【例例2-1】一个处于放大状态的晶体管，用万用表测出三一个处于放大状态的晶体管，用万用表测出三个电极的对地电位分别为个电极的对地电位分别为U1=-7V，U2=-1.8V，U3=-2.5V。试

20、判断该晶体管的管脚、管型和材料。试判断该晶体管的管脚、管型和材料。解题方法：解题方法：（3）剩下的第三个管脚是）剩下的第三个管脚是集电极集电极。（4）若该晶体管是）若该晶体管是NPN型型的，则处于放大状态时，电位的，则处于放大状态时，电位满足满足UCUBUE；若该晶体管是；若该晶体管是PNP型型的，则处于放大状的，则处于放大状态时，电位满足态时，电位满足UCUBUE。2022-7-1427【例例2-1】一个处于放大状态的晶体管，用万用表测出三一个处于放大状态的晶体管，用万用表测出三个电极的对地电位分别为个电极的对地电位分别为U1=-7V，U2=-1.8V，U3=-2.5V。试判断该晶体管的管脚

21、、管型和材料。试判断该晶体管的管脚、管型和材料。解：（解：（1）将三个管脚从大到小排列：）将三个管脚从大到小排列：U2=-1.8V，U3=-2.5V，U1=-7V。可知脚为。可知脚为基极基极。（2）因为）因为U2-U3=(-1.8)-(-2.5)=0.7（V），所以该管为硅），所以该管为硅材料晶体管，而且脚为材料晶体管，而且脚为发射极发射极。（3）脚为）脚为集电极集电极。（4）因为晶体管处于放大状态时，电位满足）因为晶体管处于放大状态时，电位满足UCUB1V 1V 时输入特性基本重时输入特性基本重合合 输入特性形状与二极管伏安输入特性形状与二极管伏安特性相似特性相似 发射极电压发射极电压U U

22、BEBE 死区电压时，死区电压时，进入放大状态。进入放大状态。U UBEBE略有变化，略有变化，I IB B变化很大。变化很大。2022-7-14292.晶体管的共射输入特性曲线晶体管的共射输入特性曲线2022-7-1430实训流程：实训流程：（1 1）按图画好电路。）按图画好电路。（2 2）在集电极回路中串接入）在集电极回路中串接入1m1m（0.0010.001）的取样电阻。）的取样电阻。（3 3）对图所示电路中的节点）对图所示电路中的节点5 5进进行直流扫描，可间接得到三极行直流扫描，可间接得到三极管的输出特性。管的输出特性。（4 4）图所示为三极管）图所示为三极管2N29232N2923

23、的输出特性扫描分析曲线，其中横坐标表示的输出特性扫描分析曲线，其中横坐标表示三极管基极电压的变化，纵坐标表示三极管基极电压的变化，纵坐标表示1m1m电阻上电压的变化，将纵坐电阻上电压的变化，将纵坐标电压的变化除以取样电阻阻值，就可转化为基极电流的变化（标电压的变化除以取样电阻阻值，就可转化为基极电流的变化（1V1V电压对应与电压对应与1 mA1 mA电流），即三极管电流），即三极管2N29232N2923的输出特性曲线的输出特性曲线。画一画画一画根据仿真结果，画出二极管根据仿真结果，画出二极管2N29232N2923的输出特性曲线。的输出特性曲线。输出特性曲线输出特性曲线 常数BICECUfI

24、)(IB60A为例：为例：UCE0V 时，集电极无收集作用，时，集电极无收集作用，IC0；UCE IC当当UCE1V后，收集电子能力足后，收集电子能力足够强。够强。发射到基区的电子都被集发射到基区的电子都被集电极收集，形成电极收集，形成IC。UCE再增加，再增加，IC基本保持不变。基本保持不变。2022-7-14313.晶体管的共射输出特性曲线晶体管的共射输出特性曲线 截止区截止区（a）发射结和集电结均反向偏置；）发射结和集电结均反向偏置；（b）不计穿透电流）不计穿透电流ICEO，有，有IB、IC近近似为似为0；（c）集电极和发射极之间电阻很大，）集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开

25、关断开。三极管相当于一个开关断开。放大区放大区（a）发射结正偏，集电结反偏；）发射结正偏，集电结反偏；（b）IC=IB；（c）NPN型硅管，型硅管，UBE 0.7V；锗管，；锗管，UBE 0.2V。输出特性曲线输出特性曲线 常数BICECUfI)(2022-7-1432 饱和区饱和区（a）发射结和集电结均正向偏置；）发射结和集电结均正向偏置；（b）三极管的电流放大能力下降，）三极管的电流放大能力下降，通常有通常有ICIB；（c）此时）此时UCE值很小，称三极管的饱值很小，称三极管的饱和压降，用和压降，用UCES表示。一般硅三极管表示。一般硅三极管的的UCES约为约为0.3V，锗三极管的，锗三极

26、管的UCES约约为为0.1V；（d）集电极和发射极近似短接，三）集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。极管类似于一个开关导通。三极管作为开关使用时，通常工三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。元件使用时，一般要工作在放大状态。2022-7-1433输出特性曲线输出特性曲线 常数BICECUfI)(2022-7-1434 【例例2-2】已知某已知某NPN型锗晶体管，各极对地电位分别为型锗晶体管，各极对地电位分别为UC=-2V，UB=-7.7V，UE=-8V。试判断三极管处于何种工。试判断三极管处于

27、何种工作状态？作状态？解题方法：解题方法：（1）发射结正偏时，凡满足）发射结正偏时，凡满足NPN硅管硅管UBE=0.60.7V，PNP硅管硅管UBE=-0.6-0.7V；NPN锗管锗管UBE=0.20.3V，PNP硅管硅管UBE=-0.2-0.3V条件者，晶体管一般处于放大或饱条件者，晶体管一般处于放大或饱和状态。不满足上述条件的，晶体管处于截止状态，或已和状态。不满足上述条件的，晶体管处于截止状态，或已经损坏。经损坏。2022-7-1435 【例例2-2】已知某已知某NPN型锗晶体管，各极对地电位分别为型锗晶体管，各极对地电位分别为UC=-2V，UB=-7.7V，UE=-8V。试判断三极管处

28、于何种工。试判断三极管处于何种工作状态？作状态？解题方法：解题方法：（2）区分放大或饱和状态，则去检查集电结偏置情况。若）区分放大或饱和状态，则去检查集电结偏置情况。若集电结反偏，则晶体管处于放大状态；若集电结正偏，则集电结反偏，则晶体管处于放大状态；若集电结正偏，则晶体管处于饱和状态。晶体管处于饱和状态。（3）发射结反偏，或小于（）发射结反偏，或小于（1）中的数据，则晶体管处于截）中的数据，则晶体管处于截止状态或损坏。止状态或损坏。（4）若发射结正偏，但）若发射结正偏，但UBE过大，也属于不正常情况，可能过大，也属于不正常情况，可能要被击穿损坏。要被击穿损坏。2022-7-1436 【例例2

29、-2】已知某已知某NPN型锗晶体管，各极对地电位分别为型锗晶体管，各极对地电位分别为UC=-2V，UB=-7.7V，UE=-8V。试判断三极管处于何种工。试判断三极管处于何种工作状态？作状态？解：已知该管为解：已知该管为NPN型锗晶体管。型锗晶体管。（1）UB-UE=（-7.7）-（-8）=0.3（V），发射结正偏。），发射结正偏。（2）UB-UC=（-7.7）-（-2）=-5.7（V）0.5V（硅硅管的死区电压），发管的死区电压），发射结正偏。射结正偏。UBC=UBUC=3.83.3=0.5（V）0，集电，集电结正结正偏。偏。所以，该晶体管处于所以，该晶体管处于饱和饱和状态。状态。2022-

30、7-1439 【例例】晶体管的每个电极对地的电位，如图所示，试判断各晶体管的每个电极对地的电位，如图所示，试判断各晶体管处于何种工作状态？（晶体管处于何种工作状态？（NPNNPN型为硅管，型为硅管，PNPPNP型为锗管）。型为锗管）。解：解：（2）该管为）该管为NPN型型硅硅晶体管。晶体管。UBE=UBUE=0.70=0.7（V）0，集电，集电结正结正偏。偏。所以，该晶体管处于所以，该晶体管处于倒置倒置状态。状态。2022-7-1440 【例例】晶体管的每个电极对地的电位，如图所示，试判断各晶体管的每个电极对地的电位，如图所示，试判断各晶体管处于何种工作状态？（晶体管处于何种工作状态？（NPN

31、NPN型为硅管，型为硅管，PNPPNP型为锗管）。型为锗管）。解：解：（3）该管为）该管为PNP型型锗锗晶体管。晶体管。UEB=UEUB=2（2.3）=0.3（V）0，发射结，发射结正正偏。偏。UCB=UCUB=9（2.3）=6.7（V）0，集电，集电结结反反偏。偏。所以，该晶体管处于所以，该晶体管处于放大放大状态。状态。2022-7-1441 【作业作业】晶体管的每个电极对地的电位，如图所示，试判断晶体管的每个电极对地的电位，如图所示，试判断各晶体管处于何种工作状态？各晶体管处于何种工作状态？2022-7-1442（1）共发射极电流放大系数）共发射极电流放大系数 共射直流电流放大系数共射直流

32、电流放大系数:共射交流电流放大系数：共射交流电流放大系数：（2）极间反向电流）极间反向电流 集电极基极间的反向饱和电流集电极基极间的反向饱和电流ICBO 发射极发射极e开路时，集电结在反向电压作用下，集开路时，集电结在反向电压作用下，集-基之基之间由少子漂移运动形成的反向饱和电流。间由少子漂移运动形成的反向饱和电流。集电极发射极间的穿透电流集电极发射极间的穿透电流ICEO 基极基极b开路时，集电极和发射极之间的穿透电流。开路时，集电极和发射极之间的穿透电流。BCIIBCII4.晶体管的主要参数晶体管的主要参数2022-7-1443（3 3）极限参数）极限参数 极限参数是指三极管正极限参数是指三

33、极管正常工作时不能超过的值，否常工作时不能超过的值，否则有可能损坏管子。则有可能损坏管子。集电极最大允许电流集电极最大允许电流I ICMCM 下降到下降到7070 值时所对值时所对应的集电极电流。应的集电极电流。集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗P PCMCM 超过此值三极管性能下降超过此值三极管性能下降甚至烧毁。甚至烧毁。4.晶体管的主要参数晶体管的主要参数2022-7-1444 反向击穿电压反向击穿电压 U U（BRBR）EBOEBO：集电极开路，发射极与基极之间允许的最：集电极开路，发射极与基极之间允许的最大反向电压。大反向电压。U U（BRBR）CBO CBO：发射极开路，集

34、电极与基极之间允许的最：发射极开路，集电极与基极之间允许的最大反向电压。大反向电压。U U（BRBR）CEO CEO：基极开路，集电极与发射极之间允许的最：基极开路，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。大反向电压。选择三极管时，要保证反向击穿电压大于工作电压选择三极管时，要保证反向击穿电压大于工作电压的两倍以上。的两倍以上。4.晶体管的主要参数晶体管的主要参数2022-7-1445相同相同I IB B下，下，U UBEBE随温度升高而减随温度升高而减小负温度特性。小负温度特性。相同相同I IB B下，曲线间隔随温度下，曲线间隔随温度升高而拉宽，升高而拉宽，值增大。值增大。反向电流随温度升高而

35、增大。反向电流随温度升高而增大。2022-7-1446【例例2-32-3】某晶体管的极限参数某晶体管的极限参数P PCMCM=150mW=150mW，I ICMCM=50mA=50mA，U U（BRBR）CEOCEO=20V=20V。试问在下列几种情况下，哪种是正。试问在下列几种情况下，哪种是正常工作的？常工作的？（1 1）U UCECE=5V=5V，I IC C=20 mA=20 mA；（2 2）U UCECE=2V=2V，I IC C=60 mA=60 mA；（3 3）U UCECE=6V=6V，I IC C=30 mA=30 mA。解题方法：解题方法：P PCMCM、I ICMCM和和U

36、 U（BRBR）CEOCEO是晶体管的三个极限参数，是晶体管的三个极限参数，在使用时均不能超过。如果在使用时均不能超过。如果P PC C过大过大，晶体管性能下降，甚，晶体管性能下降，甚至可能烧毁；如果至可能烧毁；如果I IC C太大太大，则晶体管的放大能力将下降；，则晶体管的放大能力将下降；如果晶体管的如果晶体管的两个两个PNPN结的反向工作电压过大结的反向工作电压过大，则可能因过，则可能因过电压而击穿。电压而击穿。2022-7-1447【例例】某晶体管的极限参数某晶体管的极限参数P PCMCM=150mW=150mW，I ICMCM=50mA=50mA，U U（BRBR）CEOCEO=20V

37、=20V。试问在下列几种情况下，哪种是正。试问在下列几种情况下，哪种是正常工作的？常工作的？（1 1）U UCECE=5V=5V，I IC C=20 mA=20 mA；（2 2）U UCECE=2V=2V，I IC C=60 mA=60 mA；（3 3）U UCECE=6V=6V，I IC C=30 mA=30 mA。解：（解：（1 1）因为）因为U UCECEUU（BRBR）CEOCEO，I IC CIICMCM，P PC C=I=IC CU UCECE=100mWP=100mWPCMCM，所以该情况下晶体管正常工作。所以该情况下晶体管正常工作。（2 2）虽然有）虽然有U UCECEUU（BRBR）CEOCEO，P PC C=I=IC CU UCECE=120mWP=120mWIICMCM，因此该情况下晶体管不能正常工作。，因此该情况下晶体管不能正常工作。（3 3）虽然有）虽然有U UCECEUU（BRBR）CEOCEO，I IC CIP=180mWPCMCM，因此该情况下晶体管也不能正常工作。因此该情况下晶体管也不能正常工作。