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1、2022-7-14场效应晶体管及其放大电路(4)课件1第四章第四章场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路(4)课件场效应晶体管及其放大电路(4)课件 场效应晶体管及其放大电路(4)课件 0GSuDDVDSuDi GSu GSu GS(th)U场效应晶体管及其放大电路(4)课件 场效应晶体管及其放大电路(4)课件 DSuDiGS(th)GSUuDSuDSuDSuDSu DiDSuGS(th)GSDSUuu场效应晶体管及其放大电路(4)课件DSuDiDSuDiGSuDiDSuGS(th)GSDSUuuGSuDiDiGSu场效应晶体管及其放大电路(4)课件 常数DS
2、)(GSDUUfI GS(th)GSUu0DiGS(th)GSUuGSuDiDiGSu2GS(th)GSDOD)1(UuIIDOIGS(th)GS2UuDIDSuGSuDi场效应晶体管及其放大电路(4)课件 常数GS)(DSDUUfI DSuDSuGSuDiDSuGSuGSu场效应晶体管及其放大电路(4)课件 GS(th)GSUu常数GS)(DSDUUfI DSuDIDiDSuDiDSuDiGS(th)GSDSUuu 场效应晶体管及其放大电路(4)课件 DSu0GSuDSSI0GSuDiGSuDiGSu0DiGSuGS(off)UGS(th)GSUu场效应晶体管及其放大电路(4)课件 GSuD
3、i2GS(off)GSDSSD)1(UUII0GSGS(off)uU场效应晶体管及其放大电路(4)课件 DSuDiGSuDSuDiGSuDiGSu0DiGS(off)U场效应晶体管及其放大电路(4)课件GS(off)GSUU0DiGSuDi0GSUDSSIGS(off)U 2GS(off)GSDSSD)1(UuII场效应晶体管及其放大电路(4)课件GS(th)U GS(off)U DSSIDSuGS(DC)R GS(DC)R710GS(DC)R1010mg GSuDi常数DSGSDmUuigmg mg。GSC GDCDSC场效应晶体管及其放大电路(4)课件DMI (BR)DSUDiDSu(BR
4、)GSU DMPP138 P138 表表4-14-1场效应晶体管及其放大电路(4)课件场效应晶体管及其放大电路(4)课件场效应晶体管及其放大电路(4)课件场效应晶体管及其放大电路(4)课件 1）MOS管栅源之间的电阻很高，使得栅极的感应电荷不易泄管栅源之间的电阻很高，使得栅极的感应电荷不易泄放，因极间电容很小，故会造成电压过高使绝缘栅击穿。放，因极间电容很小，故会造成电压过高使绝缘栅击穿。2）有些场效应管将衬底引出，故有）有些场效应管将衬底引出，故有4个管脚，这种管子漏极个管脚，这种管子漏极与源极可互换使用。但有些场效应管在内部已将衬底与源极与源极可互换使用。但有些场效应管在内部已将衬底与源极
5、接在一起，只引出接在一起，只引出3个电极，这种管子的漏极与源极不能互换。个电极，这种管子的漏极与源极不能互换。场效应晶体管及其放大电路(4)课件IuOuV0IGS uu0DiV15DDDDDDDSOVRiVuuV8IGS uumA1DiV9.9)1.5115(DDDDDSORiVuuV10IGS uuDiV4DDDDORiVuV10GSuV6)410(GS(th)GSDSUuuV10GSuV10GSuk3)1013(3DDSdsiuRV6.5151.533DDDdsdsOVRRRu场效应晶体管及其放大电路(4)课件V4GS(off)UmA4DSSI LRLRV0GSumA4DSSD IIV0G
6、SuV4)4(0thGSGSDSuuuLRV8)4(DDOmax VULRk20DSSOLIuRLDDDDSRiVu场效应晶体管及其放大电路(4)课件 （3 3）场效应管噪声系数很小，所以低噪声放大器的输入级及）场效应管噪声系数很小，所以低噪声放大器的输入级及要求信噪比较高的电路应选用场效应管。当然也可选用特制要求信噪比较高的电路应选用场效应管。当然也可选用特制的低噪声晶体管。的低噪声晶体管。场效应晶体管及其放大电路(4)课件 场效应晶体管及其放大电路(4)课件场效应晶体管及其放大电路(4)课件场效应晶体管及其放大电路(4)课件 SDGSRIU SRSDGS2GS(off)GSDSSD)1(R
7、IUUUII)(SDDDDDSRRIVU0DI场效应晶体管及其放大电路(4)课件 SDDDG2G1G2SGGSRIVRRRUUUG1RG2RG2RG1RG3R2GS(th)GSDODSDDDG2G1G2GS)1(UuIIRIVRRRU)(SDDDDDSRRIVU场效应晶体管及其放大电路(4)课件Digsudsu场效应晶体管及其放大电路(4)课件 场效应晶体管及其放大电路(4)课件 LmiOuLimLGSmLDdo)/(RgUUARUgRUgRRIUuAiR)/(G2G1G3iRRRRG1RG2R)/(G2G1G3RRRG3iRR oRDoRR 场效应晶体管及其放大电路(4)课件 场效应晶体管及
8、其放大电路(4)课件uALmLmLgsmgsLgsmiOu1RgRgRUgURUgUUAiR)/(G2G1G3iRRRR)/(G2G1G3RRRG3iRR 场效应晶体管及其放大电路(4)课件 oRoRgsmSoDRoUgRUIII0gI ogsUUomSooUgRUImSmSomSooooo1/11gRgRUgRUUIUR场效应晶体管及其放大电路(4)课件 mA1DQI M2G3Rk91G1Rk10G2R k3SRk10LRV4GS(th)UmA4DOIuAiRoRmS1)1442(2DQDOGS(th)GSDmIIUuig7.04.2114.211LmLmuRgRgAM2)/(G2G1G3i
9、RRRRk75.013111/mSogRR场效应晶体管及其放大电路(4)课件4.3 绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管(IGBT)图4-17 IGBT的符号 图4-18 IGBT的等效电路 场效应晶体管及其放大电路(4)课件IGBTIGBT与与MOSFETMOSFET的对比的对比 MOSFET全称功率场效应管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大；缺点：击穿电压低低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶体管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。主要特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。场效应晶体管及其放大电路(4)课件 DSUDIDSU 0GISGSDSLRUIIIDIGSULI场效应晶体管及其放大电路(4)课件 810 DISR场效应晶体管及其放大电路(4)课件 B2IC2IC2IC3IB2I场效应晶体管及其放大电路(4)课件 场效应晶体管及其放大电路(4)课件 场效应晶体管及其放大电路(4)课件 GUGU3R2CGU场效应晶体管及其放大电路(4)课件
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