场效应晶体管学习教案

《场效应晶体管学习教案》由会员分享，可在线阅读，更多相关《场效应晶体管学习教案（35页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、会计学1场效应晶体管场效应晶体管第一页，编辑于星期一：九点 十九分。绝缘栅场效应管结型场效应管场效应晶体管简称场效应管，用FET来表示 （Field Effect Transistor）。第1页/共35页第二页，编辑于星期一：九点 十九分。一、绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管是一种金属氧化物半导体场效应管，简称MOS管。MOS管按工作方式分类增强型MOS管耗尽型MOS管N沟道P沟道N沟道P沟道第2页/共35页第三页，编辑于星期一：九点 十九分。（一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理NNb-衬底引线sgdP衬底bSiO2绝缘层g-栅极S-源极d-漏极N型区ggssddbb箭头方向是区别N沟道与P

2、沟道的标志N沟道P沟道铝第3页/共35页第四页，编辑于星期一：九点 十九分。2.工作原理（1）感生沟道的形成在电场的作用下，可以把P型衬底表面层中多数载流子空穴全部排斥掉，形成空间电荷区。当uGS增加到某一临界电压(UT)值时，吸引足够多的电子，在P型半导体的表面附近感应出一个N型层,形成反型层漏源之间的导电沟道。 开始形成反型层的uGS称为开启电压(UT)。uGS越高，电场越强，感应的电子越多，沟道就越宽。uGSgb自由电子反型层耗尽区绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小。栅极和源极之间加正向电压耗尽区铝SiO2衬底 P型硅gbuGS受主离子空穴第4

3、页/共35页第五页，编辑于星期一：九点 十九分。（2）栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用在栅源电压uGS=0时，没有导电沟道。漏源极之间存在两个背向PN结，其中一个为反向偏置，只能流过很小的反向饱和电流，iD0。增大VGG，使uGS=UT时形成导电沟道。在正向漏源电压作用下，沟道内的多子（电子）产生漂移运动，形成漏极电流iD。uGS变大iD变大沟道宽度变宽沟道电阻变小NNVDDVGGsdbgiDPN沟道uGSUT时才能形成导电沟道uGS对iD的控制作用：第5页/共35页第六页，编辑于星期一：九点 十九分。（3）漏源电压uDS对漏极电流iD的影响uGSUT 时，沟道形成。当uDS较小，即uG

4、DUT时，沟道宽度受uDS的影响很小，沟道电阻近似不变，iD随uDS的增加呈线性增加。当uDS增大时，沟道各点与栅极间电压不等，使沟道从源极向漏极逐渐变窄。随着uDS增大，沟道电阻迅速增大，iD不再随uDS线性增大。继续增大uDS ，则uGD UTuGD=UTuGDUT，uDS很小，uGDUT的情况。若uGS不变，沟道电阻rDS不变，iD随uDS的增大而线性上升。uGS变大， rDS变小，看作由电压uGS控制的可变电阻。第8页/共35页第九页，编辑于星期一：九点 十九分。 截止区该区对应于uGSUT的情况由于没有感生沟道，故电流iD0，管子处于截止状态。24 6 810121416123456

5、0uGS=6V435uDS(V)iD(mA)2 恒流区（饱和区）区对应 预夹断后，uGSUT，uDS很大，uGDUT）其中K为常数，由管子结构决定，可以估算出来。UT第10页/共35页第十一页，编辑于星期一：九点 十九分。（三）N沟道增强型MOS管的主要参数直流参数交流参数极限参数第11页/共35页第十二页，编辑于星期一：九点 十九分。 1.直流参数（2）直流输入电阻RGS（1）开启电压UT在衬底表面感生出导电沟道所需的栅源电压。实际上是在规定的uDS条件下，增大uGS，当iD达到规定的数值时所需要的uGS值。在uDS=0的条件下，栅极与源极之间加一定直流电压时，栅源极间的直流电阻。RGS的值

6、很大，一般大于 。910第12页/共35页第十三页，编辑于星期一：九点 十九分。2.交流参数定义：当uDS一定时，漏极电流变化量与引起这一变化的栅源电压变化量之比，即常数DSGSDmuuiggm相当于转移特性的斜率，反映了场效应管的放大能力。它可以从输出特性上求出，或根据转移特性的表达式求导数得到。（2）极间电容：栅、源极间电容Cgs和栅、漏极间电容Cgd，它影响高频性能的交流参数，应越小越好。（1）跨导gm第13页/共35页第十四页，编辑于星期一：九点 十九分。3.极限参数是指场效应管工作时，允许的最大漏极电流。是指管子允许的最大耗散功率，相当于双极型晶体管的PCM。2 4 6 8 1012

7、14160uGS=7V546uDS(V)iD(mA)3（1）漏极最大允许电流IDM（2）漏极最大耗散功率PDMDSDDMuiPDMI在输出特性上画出临界最大功耗线。第14页/共35页第十五页，编辑于星期一：九点 十九分。是指在uDS=0时，栅源极间绝缘层发生击穿，产生很大的短路电流所需的uGS值。击穿将会损坏管子。是指在uDS增大时，使iD开始急剧增加的uDS值。（3）栅源极间击穿电压U(BR)GS（4）漏源极间击穿电压U(BR)DSU(BR)DS此时不仅产生沟道中的电子参与导电，空间电荷区也发生击穿，使电流增大。DSDDMuiPDMI2 4 6 8 101214160uGS=7V546uDS

8、(V)iD(mA)3第15页/共35页第十六页，编辑于星期一：九点 十九分。（四）N沟道耗尽型MOS管1.工作原理VDDNNsgdbPiDN沟道结构示意图SiO2绝缘层中掺入大量的正离子。P衬底表面已经出现反型层，存在导电沟道。在uGS=0时当uGS0时感生沟道加宽，iD增大。感生沟道变窄，iD减小。当uGS达到某一负电压值UP时，抵消了由正离子产生的电场，导电沟道消失，iD0，UP称为夹断电压。当uGS0时sgdb符号第16页/共35页第十七页，编辑于星期一：九点 十九分。输出特性转移特性2 4 6 8 101214160uGS=0V1-12uDS(V)iD(mA)-224681012iD(

9、mA)012345-1-2-324681012uGS(V)UPIDSSuDS=10V2.特性曲线预夹断轨迹方程：PGSDSUuu转移特性曲线方程：2PGSDSSD1）（UuIi其中IDSS是uGS=0时的iD值，称为零偏漏级电流，也称饱和漏极电流。第17页/共35页第十八页，编辑于星期一：九点 十九分。3.主要参数实际测量时，是在规定的uDS条件下，使iD减小到规定的微小值时所需的uGS值。该电流为uDS在恒流区范围内，且uGS=0v时的iD值，亦称饱和漏极电流。（1）夹断电压UP是指导电沟道完全夹断时所需的栅源电压。（2）零偏漏极电流IDSS它反映了零栅压时原始沟道的导电能力。iD(mA)0

10、12345-1-2-324681012uGS(V)UPIDSSuDS=10V第18页/共35页第十九页，编辑于星期一：九点 十九分。二、结型场效应管JFET(Junction Field Effect Transistor)两个P+区中间的N型半导体，在加上正向uDS电压时就有电流流过，故称为N沟道。S-源极g-栅极d-漏极NPS-源极g-栅极d-漏极NP第19页/共35页第二十页，编辑于星期一：九点 十九分。当uGS=0时，就有导电沟道存在，故而这种管子也属于耗尽型场效应管。sdgVDDVGGP沟道uGSuDSiDNsgdN沟道结型场效应管第20页/共35页第二十一页，编辑于星期一：九点 十

11、九分。sdgVGGPuGS改变uGS的大小，就可以改变沟道宽窄，即改变沟道的电阻，从而控制iD的大小。这与绝缘栅场效应管是一样的。dN沟道空间电荷区sgPuGS=0sdgVGGPuGSUPuGSUPuGD=UPuGDUPuDS对导电沟道的影响VGGsdgVDDsdgVDDVGG随着uDS增大，PN结加宽，将产生预夹断。UP0，则两个PN结是正向偏置，将会产生很大的栅极电流，有可能损坏管子。IDSS2 4 6 8 101214161234560uGS=0V-2-3-1uDS(V)iD(mA)-41234特性曲线第23页/共35页第二十四页，编辑于星期一：九点 十九分。三、场效应管的特点场效应管与

12、双极型晶体管相比：（）场效应管中，导电过程是多数载流子的漂移运动，故称为单极型晶体管；双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动。（）场效应管是通过栅极电压uGS来控制漏极电流iD，称为电压控制器件；双极型晶体管是利用基极电流iB（或射极电流iE）来控制集电极电流iC，称为电流控制器件。（）场效应管的输入电阻很大；晶体管的输入电阻较小。第24页/共35页第二十五页，编辑于星期一：九点 十九分。注意：MOS管在使用时应避免悬空，保存不用时必须将各级间短接；焊接时电烙铁外壳要可靠接地。sgdRDZ1DZ2栅极过压保护电路当电压过高时，将有一个稳压管击穿稳压，限制了uGS的增大，起到保护管子

13、的作用。第25页/共35页第二十六页，编辑于星期一：九点 十九分。（）场效应管的跨导gm的值较小，双极型晶体管的值很大。在同等条件下，场效应管的放大能力不如晶体管高。（）结型场效应管的漏极和源极可以互换使用，MOS管如果衬底没有和源极接在一起，也可将d、s极互换使用；双级型晶体管的c和e极互换则称为倒置工作状态，此时将变得非常小。（6）场效应管可作为压控电阻使用。第26页/共35页第二十七页，编辑于星期一：九点 十九分。(7）场效应管是依靠多子导电，因此具有较好的温度稳定性、抗辐射性和较低的噪声。由图可见，不同温度下的转移特性的交点Q（即工作点）的ID、UDS几乎不受温度影响。晶体管的温度稳定

14、性差，抗辐射及噪声能力也较低。Q+125+25T= -55iD(mA)uGS(V)uDS=10V场效应管还有一些缺点：如功率小，速度慢等。但由于它工艺简单，易于集成，故广泛应用于集成电路。第27页/共35页第二十八页，编辑于星期一：九点 十九分。本 节 要 点1. N沟道增强型MOS管场效应管是利用栅-源极外加电压uGS产生的电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流iD的大小，可将iD看作由电压uGS控制的电流源。2 4 6 8 101214161234560uGS=6V435uDS(V)iD(mA)uGS(V)iD(mA)0uDS=10V1 2 3 4 56UT输出特性转移特性场

15、效应管有截止区、恒流区和可变电阻区三个工作区域。它的主要参数有gm、UT或UP、IDSS、IDM、U(BR)DS、PDM和极间电容。第28页/共35页第二十九页，编辑于星期一：九点 十九分。输出特性转移特性2 4 6 8 101214160uGS=0V1-12uDS(V)iD(mA)-224681012iD(mA)012345-1-2-324681012uGS(V)UPIDSSuDS=10V2. N沟道耗尽型MOS管3. N沟道结型场效应管-uGS(V)iD(mA)0uDS=10VUPIDSS2 4 6 8 101214161234560uGS=0V-2-3-1uDS(V)iD(mA)-412

16、34第29页/共35页第三十页，编辑于星期一：九点 十九分。本 章 小 结本章首先介绍了半导体的基础知识，然后阐述了半导体二极管、双极型晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线和主要参数。一、PN结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N型半导体与P型半导体，控制掺入杂质的多少就可有效地改变其导电性，从而实现导电性能的可控性。1. 杂质半导体第30页/共35页第三十一页，编辑于星期一：九点 十九分。将两种杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，扩散运动和漂移运动达到动态平衡，从而形成PN结。正确理解PN结单向导电性、反向击穿特性、温度特性和电容效应，有利于了解半导体

17、二极管、晶体管和场效应管等电子器件的特性和参数。2. PN结载流子有两种有序的运动：因浓度差而产生的运动称为扩散运动，因电位差而产生的运动称为漂移运动。半导体有两种载流子：自由电子和空穴。第31页/共35页第三十二页，编辑于星期一：九点 十九分。二、半导体二极管一个PN结经封装并引出电极后就构成二极管。二极管加正向电压时，产生扩散电流，电流和电压成指数关系；加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小；体现出单向导电性。特殊二极管与普通二极管一样，具有单向导电性。利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管。IF、IR、UR和fM是二极管的主要参数。第32页/共35页第三十三页，编辑于星期一：九点 十九分

18、。三、晶体管晶体管具有电流放大作用。当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流iC，体现出iB（或iE，uBE）对iC的控制作用。此时，可将iC看作为电流iB控制的电流源。晶体管的输入特性和输出特性表明各级之间电流与电压的关系，、ICBO（ICEO）、ICM、U(BR)CEO、PCM和fM是它的主要参数。晶体管有截止、放大、饱和三个工作区域，学习时应特别注意使管子在不同工作区的外部条件。第33页/共35页第三十四页，编辑于星期一：九点 十九分。四、场效应管场效应管分为结型和绝缘栅型两种类型，每种类型均分为两种不同的沟道：N沟道和P沟道，而MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式。场效应管工作在恒流区时，利用栅-源之间外加电压所产生的电场来改变导电沟道的宽窄，从而控制多子漂移运动所产生的漏极电流iD。此时，可将iD看作由电压uGS控制的电流源，转移特性曲线描述了这种控制关系。gm、UT或UP、IDSS、IDM、U(BR)DS、PDM和极间电容是它的主要参数。和晶体管类似，场效应管有截止区、恒流区和可变电阻区三个工作区域。第34页/共35页第三十五页，编辑于星期一：九点 十九分。