双极型晶体管知识讲座

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1、封面贵州贵州兴义兴义马岭河大峡谷马岭河大峡谷引言 双极型双极型半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用硅

2、材料做的。下面是一些三极管的外型。硅材料做的。下面是一些三极管的外型。大功大功率低率低频三频三极管极管中功中功率低率低频三频三极管极管小功小功率高率高频三频三极管极管学习要点半导体三极管特性主页 使用说明：要学习哪部分内容，只使用说明：要学习哪部分内容，只需把鼠标移到相应的目录上单击鼠标需把鼠标移到相应的目录上单击鼠标左键即可，按空格键或鼠标左键将按左键即可，按空格键或鼠标左键将按目录顺序学习。目录顺序学习。黄黄山山百百步步云云梯梯晶体管的特性晶体管的特性一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介1.晶体管的两种结构2.晶体管的三个区N集电区集电区NP基区基区发射极的电路符号PNP型型ECBECBN

3、PN型型3.晶体管的两个PN结PNP型型ECBECBNPN型型 单击单击返回返回,返回返回，单击，单击继续继续,继续往下学习。继续往下学习。继续继续返回返回二、晶体管的电流分二、晶体管的电流分配和放大作用配和放大作用1.晶体管正常工作时各极电压的连接及作用NNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCC+ICN动画演示NNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCVCC+ICN2.晶体管的电流分配发射极电流的组成NNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCVCC+ICN基极电流的形成NNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCVCC+ICN集极电流的形

4、成NNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCVCC+ICNIE=IB+ICNNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCRbVEEVCCRLIB+ICVCC+系数的意义NNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCRbVEEVCCRLIB+ICVCC+系数的意义NNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCRbVEEVCCRLIB+ICVCC+与之间的关系NNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCRbVEEVCCRLIB+ICVCC+3.放大作用(1)共射电路的组成 viVBBVCCRL1K+ceb = 4 9三个交变电流 viVBBV

5、CC vO +cebRL1K = 4 9(2)放大作用 viVBBVCC vO +ceb = 4 9RL1K 单击单击返回返回,返回返回，单击，单击继续继续,继续往下学习。继续往下学习。继续继续返回返回三、晶体管的特性曲三、晶体管的特性曲线线1.共射极电路的特性曲线VBBVCC+cebVCEVBE(1)输入特性曲线:输入特性的意义VBBVCC+cebVBE /VIB / AVCEVBE0(1)输入特性曲线：vCE=0V时VBBVCC+cebVCE=0VVBE /VIB / A0VCEVBE(1)输入特性曲线：vCE=0.5V时VBBVCC+cebVCE=0V0.5VVCE=0.5VVBE /V

6、IB / A0VCEVBE(1)输入特性曲线: vCE=1V时VBBVCC+cebVCE=0V1VVCE=0.5VVCE=1VVBE /VIB / A0VCEVBE(1)输入特性曲线: vCE1V时VBBVCC+cebVCE=0V1VVCE=0.5VVCE=1VVBE /VIB / A0VCEVBE(1)输入特性曲线综述VBBVCC+ceb1VVCE=1VVBE /VIB / A0VCEVBE(2)输出特性曲线 输出特性曲线的意义、画法动画显示VBBVCC+cebVCEVBE 绘输出特性曲线的过程VCE/VIC /mAOVBBVCC+cebVCEVBE 绘输出特性曲线的过程VCE/VIC /m

7、AOIB1IB2VBBVCC+cebVCEVBE 输出特性曲线的特点IB1VCE/VIC /mAOIB2VCEQQICQIBQVBBVCC+cebVCEVBE 利用输出特性曲线求电流放大倍数IB1VCE/VIC /mAOIB2 IB = IB1 - IB2 ICIC1IC2 单击单击返回返回,返回返回，单击，单击继续继续,继续往下学习。继续往下学习。继续继续返回返回VBBVCC+cebVCEVBE四、半导体三极管四、半导体三极管(BJT)(BJT)的主要参数的主要参数1.与NNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCRbVEEVCCRLIB+ICVCC+2.极间反向电流集基反向IC

8、BO穿透电流ICEONNPecbIBIEICICBOIENIBNVEEVCCRbVEEVCCRLIB+ICVCC+3.频率参数(1)共发射极截止频率fhfe 讨论曲线的来源(2)共基极截止频率fhfb(3)特征频率fT4.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM(2)反向击穿电压V(BR)CEOVCCV(BR ) CEOV(BR)EBO+V(BR)CBO+(3)集电极最大允许功率损耗PCM晶体管工作安全区(结束页) 本节学习完毕，单击本节学习完毕，单击返回返回,返回返回，单击，单击结束结束,结束学习。结束学习。返回返回结束结束半导体三极管(BJT)的参数IBRbVEEVCCRL+IC半导体三极管(BJT)的参数RbVEEVCCRL+半导体三极管(BJT)的参数IBRbVEEVCCRL+IC半导体三极管(BJT)的参数RbVEEVCCRL+集基反向饱和电流ICBOVCCICBO穿透电流ICEOVCCICEO结束