云南半导体刻蚀设备项目招商引资方案

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1、泓域咨询/云南半导体刻蚀设备项目招商引资方案云南半导体刻蚀设备项目招商引资方案xx集团有限公司目录第一章 项目背景分析8一、 半导体设备投资占比巨大，刻蚀设备是其中重要一环8二、 国内产线建设持续加码，积极导入国产设备推动放量14三、 强化企业创新主体地位16四、 找准深度融入“大循环、双循环”切入点16五、 项目实施的必要性17第二章 市场分析18一、 半导体刻蚀设备：多频共振驱动刻蚀市场，国产替代未来可期18二、 技术端：先进制程拉动刻蚀用量，复杂结构打开设备市场20三、 海外龙头居于垄断地位，研发并购筑起行业壁垒22第三章 项目承办单位基本情况24一、 公司基本信息24二、 公司简介24

2、三、 公司竞争优势25四、 公司主要财务数据27公司合并资产负债表主要数据27公司合并利润表主要数据27五、 核心人员介绍28六、 经营宗旨29七、 公司发展规划29第四章 绪论31一、 项目名称及投资人31二、 编制原则31三、 编制依据31四、 编制范围及内容32五、 项目建设背景32六、 结论分析34主要经济指标一览表36第五章 建设内容与产品方案38一、 建设规模及主要建设内容38二、 产品规划方案及生产纲领38产品规划方案一览表38第六章 建筑技术分析41一、 项目工程设计总体要求41二、 建设方案41三、 建筑工程建设指标44建筑工程投资一览表45第七章 发展规划分析47一、 公司

3、发展规划47二、 保障措施48第八章 SWOT分析50一、 优势分析（S）50二、 劣势分析（W）52三、 机会分析（O）52四、 威胁分析（T）53第九章 法人治理61一、 股东权利及义务61二、 董事64三、 高级管理人员68四、 监事71第十章 原辅材料成品管理73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十一章 技术方案75一、 企业技术研发分析75二、 项目技术工艺分析77三、 质量管理78四、 设备选型方案79主要设备购置一览表80第十二章 劳动安全分析81一、 编制依据81二、 防范措施84三、 预期效果评价89第十三章 组织机构及人力资源配

4、置90一、 人力资源配置90劳动定员一览表90二、 员工技能培训90第十四章 环保方案分析92一、 编制依据92二、 建设期大气环境影响分析92三、 建设期水环境影响分析93四、 建设期固体废弃物环境影响分析94五、 建设期声环境影响分析94六、 环境管理分析95七、 结论96八、 建议96第十五章 投资方案98一、 投资估算的编制说明98二、 建设投资估算98建设投资估算表100三、 建设期利息100建设期利息估算表101四、 流动资金102流动资金估算表102五、 项目总投资103总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表105第十六章 经济效益及财

5、务分析107一、 基本假设及基础参数选取107二、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表109利润及利润分配表111三、 项目盈利能力分析111项目投资现金流量表113四、 财务生存能力分析114五、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116六、 经济评价结论116第十七章 招标方案118一、 项目招标依据118二、 项目招标范围118三、 招标要求119四、 招标组织方式121五、 招标信息发布121第十八章 项目综合评价说明123第十九章 附表附录125营业收入、税金及附加和增值税估算表125综合总成本费用估算表125固定资产折旧费估算表12

6、6无形资产和其他资产摊销估算表127利润及利润分配表128项目投资现金流量表129借款还本付息计划表130建设投资估算表131建设投资估算表131建设期利息估算表132固定资产投资估算表133流动资金估算表134总投资及构成一览表135项目投资计划与资金筹措一览表136第一章 项目背景分析一、 半导体设备投资占比巨大，刻蚀设备是其中重要一环半导体设备在硅片制造、前道及后道工艺中举足轻重。半导体设备即主要应用于半导体制造和封测流程的设备。半导体设备行业是半导体制造的基石，是半导体行业的基础和核心。从产业链来看，半导体设备的上游主要是单晶硅片制造以及IC设计，下游则主要为IC封测。根据半导体设备在

7、IC制造中应用的场景不同，一般可以分为氧化炉、涂胶显影设备、光刻机、刻蚀机、离子注入机、清洗设备、质量/电学检测设备、CMP设备、CVD设备和PVD设备等。先进制程驱动产线建设成本上行，半导体设备资本支出占比提升。通常，一条90nm制程芯片的晶圆生产线建设成本为20亿美元，当制程微缩至20nm时成本达到67亿美元，翻了三倍之多。而半导体设备作为半导体产线投资的主要投入项，不仅种类繁多，而且具有非常高的技术要求，也导致设备的价格非常昂贵，设备在生产线的资本支出占比也逐渐提高。根据高新智库研究表明，在90nm制程中设备支出占比为70%，到了20nm制程占比达到85%，从14亿美元提高到57亿美元，

8、提高了约4倍。IC制造设备占半导体设备比例达80%，光刻、刻蚀和沉积设备为主要组成部分。从产品细分结构来看，目前供应的半导体设备主要为IC制造设备，其占市面上半导体设备的比重约为80%；在这些IC制造设备中，以光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备为主，根据SEMI测算数据，当前这三类半导体设备分别约占市面上半导体设备的24%、20%和20%。光刻：光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，其利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上，具有耗时长、成本高的特点。光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。光刻机是芯片制造中光刻环节的核心设备，

9、技术含量、价值含量极高。刻蚀：刻蚀工艺是半导体制造工艺中的关键步骤，对于器件的电学性能十分重要。其利用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废，因此必须进行严格的工艺流程控制。薄膜沉积：薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节。薄膜沉积是指任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺，这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。薄膜沉积有化学和物理工艺之分，具体而言可分为化学气相沉积、物理气相沉积和其他沉积三大类。中国大陆占据全球半导体设备市场约四分之一，技术仍处于追赶状态。中国大陆的半导体设备需求量大

10、，2019年中国的半导体设备市场规模占到了全球的一半，其中中国大陆的半导体设备市场规模占全球的22.4%，略低于中国台湾。中国大陆在市场需求占据很大份额的同时，半导体设备自给率很低，技术仍处于追赶状态，先进半导体设备技术仍由美欧日等国主导。其中美国的等离子刻蚀设备、离子注入机、薄膜沉积设备、检测设备、测试设备、表面处理设备等设备的制造技术位于世界前列；荷兰则是凭借ASML的高端光刻机在全球处于领先地位；在刻蚀设备、晶圆清洗设备、检测设备、测试设备、氧化设备等方面，日本极具竞争优势。刻蚀设备有望率先完成国产替代。从国内市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代

11、占比最高的重要半导体设备之一。目前我国主流设备中，去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的国产化率均已经达到20%以上。而这之中市场规模最大的则要数刻蚀设备。我国目前在刻蚀设备商代表公司为中微公司、北方华创以及屹唐股份。先进工艺不断演进，干法刻蚀大势所趋刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程，进而形成光刻定义的电路图形。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形，有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀，这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。在通常的CMOS工艺流程中，刻蚀都是在光刻工艺之后进行的。从这

12、一点来看，刻蚀可以看成在硅片上复制所想要图形的最后主要图形转移工艺步骤。按照刻蚀工艺划分，刻蚀主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀，利用等离子体与表面薄膜反应，形成挥发性物质，或者直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。干法刻蚀可以在某一特定方向上进行切割，使得实现理想中纳米（nm）级的超精细图案轮廓。湿法刻蚀工艺主要是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，该刻蚀方法会导致材料的横向纵向同时腐蚀，会导致一定的线宽损失。目前来看，干法刻蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流地位，市场占比约90%。按照刻蚀材料划分，刻蚀工艺包括介质刻蚀和导体刻蚀，导体刻蚀又分为硅刻蚀和金属刻蚀。

13、金属刻蚀主要是在金属层上去除铝、钨或铜层，以在逐级叠加的芯片结构中生成互联导线图形；硅刻蚀（包括多晶硅）应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅、硅槽电容；介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。对于8英寸晶圆，介质、多晶硅以及金属刻蚀是刻蚀设备的常用类别。进入12英寸世代以后，随着铜互连的发展，金属刻蚀逐渐萎缩，介质刻蚀份额逐渐加大。20年介质刻蚀设备的份额已超过40%，而且随着器件互连层数增多，介质刻蚀技术和设备有望持续发展。干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，这些带能粒子通过溅

14、射刻蚀作用去除未被保护的硅片表面材料；化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，纯化学刻蚀作用中，通过等离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率；物理化学性刻蚀，即反应离子刻蚀，利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，具有各向异性强的优势，是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法。ICP与CCP是应用最为广泛的刻蚀设备。目前等离子刻蚀是晶圆制造中使用的主要刻蚀方法，电容性等离子刻蚀（CCP）和电感性等离子刻蚀（ICP）是两种常用的等离子刻蚀方法。CCP的原理是将施加在极板上的射频或直流电源通过电容耦

15、合的方式在反应腔内形成等离子体，主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。ICP刻蚀的原理是将射频电源的能量经由电感线圈，以磁场耦合的形式进入反应腔内部，从而产生等离子体并用于刻蚀，主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。原子层刻蚀（ALE）能够精确控制刻蚀深度，成为未来技术升级趋势。随着当前集成电路技术的不断发展，构成芯片的核心器件尺寸持续缩小，芯片的加工制造变得越来越精细。原子层刻蚀（ALE）是指通过一系列的自限制反应去除单个原子层，不会触及和破坏底层以及周围材料的先进半导体生产工艺。ALE是一种先进的刻蚀技术，可以针对较浅的微结构进行出色的深度控制。原子层刻蚀（AL

16、E）技术适合间距或者空间上非常紧密的可能发生孔洞“堵塞”的刻蚀，和具有超高选择性和均匀性的应用。原子层刻蚀（ALE）可以分为等离子体ALE和高温ALE，适用于不同类型的刻蚀。等离子体ALE使用高能离子或中性物质从表面上剔除物质的方法来进行蚀刻；而高温ALE应用于特定的高温气相反应。目前，等离子体ALE已经进入生产使用阶段，而高温ALE仍处于早期阶段，距离商业化使用仍有较远距离。介质刻蚀和硅刻蚀领衔，等离子体刻蚀成绝对主流。从下游半导体行业刻蚀机的需求来看，介质刻蚀机与硅刻蚀机需求场景较多，因此占比较高，其中介质刻蚀与硅刻蚀机分别占据干法刻蚀工艺半壁江山。在集成电路生产线来看，等离子体刻蚀设备因

17、其提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀而被广泛应用，根据问芯Voice，目前等离子体刻蚀设备的市场规模也超过了120亿美元，约占全球刻蚀市场规模的85%左右，成为刻蚀设备的绝对主流。未来随着中微等公司对设备研发的不断投入，刻蚀设备国产化率进一步提升未来可期。二、 国内产线建设持续加码，积极导入国产设备推动放量中国大陆成为全球最大半导体设备市场，承接半导体制造产能重心转移。根据SEMI统计数据，2020年全球半导体设备市场规模达到712亿美元，增速为24%。在2020年，中国大陆半导体设备市场占全球市场的26.3%，首次超越中国台湾和韩国成为全球最大的半导体设备市场。作为半导体设备中的核心设备，

18、国产刻蚀设备有望随着国内半导体设备市场规模的快速增长而迎来黄金发展期。中芯国际等国内晶圆厂积极扩产，拉动国产半导体设备需求。在半导体需求高涨以及芯片自制政策推动下，中芯国际、华虹集团等国内晶圆代工厂未来数年扩产计划仍相当积极。根据芯思想研究院统计，截至2021年6月我国晶圆制造扩产的Fab厂有16家，规划产能超过90万片，产能将在2021-2023年逐步释放。随着多家晶圆厂研发产线在中国大陆的投产，国内晶圆厂建设密集期到来，各个晶圆厂也会加速新一轮半导体设备的采购，将为半导体刻蚀设备的提供更加广阔的舞台。新增产能建设积极导入国产设备，国产刻蚀设备中标量进一步提升。根据国内晶圆厂主要招投标数据显

19、示，海外龙头供应厂商占据最大份额，国内龙头公司北方华创、中微公司、屹唐股份处于加速导入过程。以长江存储设备招中标情况，截至2020年12月，长江存储共累计招标348台刻蚀设备，其中美国厂商LamResearch占据超过一半的采购量，达187台；而国内厂商中微公司、北方华创、屹唐股份分别中标50台、18台、13台，国产化率高达23.85%。以华虹六厂设备招中标情况为例，截至2020年12月，华虹六厂共累计招标81台刻蚀设备，其中LamResearch依旧占据超过一半的采购量，达45台；国内厂商中微半导体、北方华创分别中标15台、1台，国产化率约为19.75%。根据亚化咨询研究数据显示，2018、

20、2019年长江存储采购的国产刻蚀机占比迅速提升，预计2023年将突破40%，刻蚀设备国产替代未来可期。国家政策陆续出台，驱动国产刻蚀设备行业持续发力。近年来国家加大对于半导体产业政策的扶持力度，多项重磅文件相继出台，主要表现在对于整个IC产业链企业的政策优待以及对于半导体设备行业的相关规划与推动。其中国家集成电路产业发展推进纲要和科技部重点支持集成电路重点专项等一系列政策推动了一批国内半导体设备公司进行了一系列重点工艺和技术的攻关，使得我国半导体设备行业涌现出了一批拥有国际竞争力的龙头企业，有效促进了我国半导体设备行业的发展。三、 强化企业创新主体地位围绕产业链部署创新链、围绕创新链布局产业链

21、，促进各类创新要素向重点产业、重点企业集聚。推进产学研深度融合，支持企业牵头组建创新联合体，承担国家和省重大科技项目，加大对生物医药、疫苗、稀贵金属新材料、液态金属等关键新材料进口替代优势产业的创新支持力度。探索建立政府-企业基础研究联合基金，引导企业投入基础研究。鼓励企业加大研发投入，显著提升规模以上工业企业设立研发机构的比例。开展领军企业创新能力提升工程，实施高新技术企业“三倍增”行动计划，支持创新型中小微企业研发“专精特新”产品、成长为创新重要发源地，鼓励一线职工创新创造。充分发挥转制院所作用，大力发展科技服务业，推进服务型共性技术平台建设，全面提升企业技术创新和成果转化运用能力。四、

22、找准深度融入“大循环、双循环”切入点更好利用国内国际两个市场两种资源，实现经济循环流转和产业关联畅通，把云南建设成为强大国内市场与南亚东南亚国际市场之间的战略纽带，“大循环、双循环”的重要支撑。对内与长三角、京津冀、粤港澳大湾区、成渝地区双城经济圈深化合作，建立产业转移承接结对合作机制，引导龙头企业在云南布局产业链。抓住区域全面经济伙伴关系协定签署及生效后的重大机遇，对外主动参与中国-中南半岛经济走廊、孟中印缅经济走廊，中缅、中越、中老经济走廊建设，优化各类开放合作功能区布局和功能定位，共建国际产能合作区、跨境经济合作区，积极参与和推动南亚东南亚国家产业链供应链保障合作。围绕生产、分配、流通、

23、消费等各个环节，完善做大国内国际市场规模的政策支撑体系，打通跨境产业、跨境贸易、跨境物流、跨境金融、跨境电商等堵点，提升市场、资源、技术、产业、资本、人才等要素集聚和协同联动能力，促进与南亚东南亚国家产业链、供应链、价值链深度融合。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第二章 市场分析一、 半导体刻蚀设备：多频共振驱动刻蚀市场，国

24、产替代未来可期刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程。目前干法刻蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流地位，市场占比超过90%。同时，等离子刻蚀是晶圆制造中使用的主要刻蚀方法，电容性等离子刻蚀（CCP）和电感性等离子刻蚀（ICP）是两种常用的等离子刻蚀方法。随着当前集成电路技术的不断发展，构成芯片的核心器件尺寸持续缩小，芯片的加工制造变得越来越精细。原子层刻蚀（ALE）能够精确控制刻蚀深度，成为未来技术升级趋势。刻蚀设备作为半导体设备的中坚力量，有望率先完成国产替代。半导体设备主要应用于半导体制造和封测流程，是半导体行业的基础和核心。随着半导体制程的微缩和结构的复杂化，

25、半导体刻蚀设备的种类和技术难度递增。从国内市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。我国目前在刻蚀设备商代表公司为中微公司、北方华创等。终端需求催化刻蚀设备用量，市场规模2022年有望突破1100亿美元。随着5G、大数据、物联网、人工智能等新兴产业的发展，半导体设备有望迎来新一轮发展机遇，从而推动全球刻蚀设备的需求。SEMI预计全球半导体设备市场将持续保持增长，在2021年增长45%至1030亿美元，2022年预计将创下1140亿美元的新高。先进技术增加刻蚀步骤和刻蚀难度，刻蚀设备演绎量价齐升。对于逻辑电路来说，制程微缩和技术迭

26、代增加了刻蚀的步骤，也提高了刻蚀的难度；对于3DNAND来说，更高的堆叠层数需要用到多步刻蚀，并且要保证刻蚀的各向异性和尽量小的偏差；对于DRAM而言，电路图形密度增大，多重图案化重复次数增加，极大地增加了刻蚀工艺的设备需求。先进制程和复杂结构增加了刻蚀步骤和难度，助推半导体刻蚀设备价量齐升。刻蚀设备领域长期由海外龙头垄断，国内刻蚀企业部分技术已达国际一流水平。根据Gartner统计，全球刻蚀企业前三大分别是泛林半导体、东京电子、应用材料，全球市占率合计91%。国内刻蚀设备生产厂商在全球刻蚀设备市场的市占率总计不足2%。然而，近些年来国内刻蚀厂商依托资本和政策扶持一路奋起直追，成效显著。例如中

27、微公司的介质刻蚀已经进入台积电7nm/5nm产线，是唯一一家进入台积电产线的国产刻蚀设备生产商。从晶圆厂招投标情况来看，国内晶圆厂新增产能建设不断加码，中微公司和北方华创等国内半导体刻蚀设备厂家份额进一步提升。随着国内刻蚀龙头紧跟先进制程发展，加大研发投入，积极并购与整合，整体国产刻蚀设备有望加速完成国产替代。二、 技术端：先进制程拉动刻蚀用量，复杂结构打开设备市场逻辑芯片不断突破，先进工艺刻蚀次数也不断提升。晶圆代工行业呈现越来越高的资金和技术壁垒，如今晶圆厂一条28nm的4万/月的生产线需要40-50亿美元资本开支，研发新一代制程节点可能需要数十亿美元，如此庞大的投入构筑起了高资金和技术壁

28、垒。而随着“摩尔定律”放缓，从7纳米到5纳米乃至3纳米，每一个制程节点都举步维艰，拥有高端制程能力的公司屈指可数，而对于不同节点的产品研发也需要海量的资金投入。而随着先进制程工艺不断演进，所需要的刻蚀次数也逐渐增多，从65nm制程的20次增加至5nm制程的160次，复杂度提升了8倍，显著提升了半导体刻蚀设备的数量和质量。逻辑电路制程不断微缩，FinFET成为当前主流工艺。逻辑电路工艺不断的向着微型化发展，基于传统平面MOSFET结构的晶胞单元不断的缩小，漏、源的间距也不断的减小，栅极的控制力就不断的减弱，导致器件的性能恶化，同时增加了静态的功耗。当半导体工艺向更高技术节点挺进时，平面结构制程工

29、艺逐渐达到极限难以突破，3D结构的FinFET工艺逐渐成为主流。与平面晶体管相比，FinFET器件改进了对沟道的控制，从而减小了短沟道效应，同时能够更好地对沟道进行静电控制。然而，当工艺制程来到3nm之后，鳍片(Fin)宽度达到5nm(等于3nm节点)时，FinFET将接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈。此时全环栅晶体管GAA有望延续半导体技术经典“摩尔定律”的新兴技术路线，进一步增强栅极控制能力，克服当前技术的物理缩放比例和性能限制。先进工艺结构增加刻蚀难度与刻蚀步骤，对刻蚀设备提出了更高的要求。半导体逻辑电路的不断微缩，包括技术本身进化的需求，刻蚀工艺在不断迭代，像MultiplePatte

30、rning技术、基于金属硬掩模的双大马士革工艺等等，都提高了刻蚀的难度，相应刻蚀机制造的难度也随之增加。同时先进制程增加了刻蚀的步骤，多次刻蚀要求每一个步骤的精确度足够高，才能保证整体生产的良率。存储工艺革新带动刻蚀需求提升。NANDFlash技术不断成熟和进步，现已经迈入3DNAND时代，3DNAND采用将存储单元立体堆叠的方式，使得储存能力提升明显，而其技术复杂程度较2D有显著提升。3DNAND需要先经过干法和湿法刻蚀形成柱形通孔和3DNAND单元，由内层依次形成沉积氧化层-氮化层-氧化层结构后形成浮栅层，然后刻蚀多余的FG使之能够实现完全隔离，最后通过多步沉积形成3DNANDFlash。

31、3DNAND形成过程中需要用到多步刻蚀，并且要保证刻蚀的各向异性和尽量小的偏差，对于刻蚀设备和相应技术都有着极高的要求。高深宽比通道刻蚀与选择性刻蚀等步骤使3DNAND刻蚀难度全面升级。在96层3DNAND中纵横比高达70:1，每块晶圆中有一万亿个微小孔通道，孔道随着叠加层数而增多，故保证孔道的均匀性和平整性才能保证器件的性能。其中，克服不完全刻蚀、弓形刻蚀、扭曲以及堆叠顶部和底部之间的CD差异成为刻蚀3DNAND工艺中面临的巨大挑战。此外，选择性刻蚀是3DNAND刻蚀工艺中的关键步骤，刻蚀的均一性直接影响后续栅极电介质的沉积质量，但随着堆叠层数增加，畸形氧化沉积层变厚，严重时会直接导致氧化层

32、塌陷，影响芯片性能。因此，3DNAND更高堆叠层数的突破将带来刻蚀难度的极大提升，器件性能的突破也往往伴随着刻蚀工艺的长足进步。DRAM微缩工艺拉动刻蚀设备需求。DRAM制程工艺进入20nm以后，由于制造难度越来越高，内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1x、1y、1z，大体来讲，1x-nm制程相当于1619nm、1y-nm相当于1416nm，而1z-nm则相当于1214nm。如今传统的DRAM面临越来越严峻的微缩挑战，随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进，DRAM电路图形密度增大，多重图案化重复次数增加，极大地增加了刻蚀工艺的设备需求。三、 海外龙头居于垄断地位，

33、研发并购筑起行业壁垒半导体刻蚀设备市场主要由美日厂商主导。半导体刻蚀设备领域长期由海外龙头垄断，根据中商情报网统计，全球刻蚀企业前三大分别是泛林半导体（LamResearch）、东京电子（TEL）、应用材料（AMAT），全球市占率合计91%，其中泛林半导体以45%的市场份额遥遥领先，东京电子和应用材料则分别占据28%和18%的市场份额。第三章 项目承办单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx集团有限公司2、法定代表人：刘xx3、注册资本：1330万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2012-10-207、营业期限：2012

34、-10-20至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事半导体刻蚀设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共

35、赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依

36、托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处

37、产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为

38、公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额3229.292583.432421.97负债总额1145.48916.38859.11股东权益合计2083.811667.051562.86公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入15206.3212165.0611404.74营业利润3536.782829.422652.59利润总额3335.322668.262501.49净利润2501.491951.161801.07归属于母公司所有者的净利润2501.491951.

39、161801.07五、 核心人员介绍1、刘xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。2、侯xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。3、沈xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。4、马xx，中国国籍，1976年出生，本科学

40、历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。5、秦xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。6、肖xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司

41、董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。7、金xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。8、黄xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨依据有关法律、法规，自主开展各项业务，务实创新，开拓进取，不断提高产品质量和服务质量，改善经营管理，促进企业持

42、续、稳定、健康发展，努力实现股东利益的最大化，促进行业的快速发展。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施

43、公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第四章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称云南半导体刻蚀设备项目（二）项目投资人xx集团有限公司（三）建设地点

44、本期项目选址位于xx（以选址意见书为准）。二、 编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展“十三五”规划纲要；2、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；3、工业可行性研究编制手册；4、现代财务会计；5、工业投资项目评价与决策；6、国家及地方有关政策、法规、规划；7、项目建设地总体规划及控制性详规；8、项目建设单位提供的有关材料及相关数据；9、国家公布的相关设备及施工标准。四、 编制范围及内容本

45、报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。五、 项目建设背景原子层刻蚀（ALE）可以分为等离子体ALE和高温ALE，适用于不同类型的刻蚀。等离子体ALE使用高能离子或中性物质从表面上剔除物质的方法来进行蚀刻；而高温ALE应用于特定的高温气相反应。目前，等离子体ALE已经进入生产使用阶段，而高温ALE仍处于早期阶段，距离商业化使用仍有较远距离。介质刻蚀和硅刻蚀领衔，等离子体刻蚀成

46、绝对主流。从下游半导体行业刻蚀机的需求来看，介质刻蚀机与硅刻蚀机需求场景较多，因此占比较高，其中介质刻蚀与硅刻蚀机分别占据干法刻蚀工艺半壁江山。在集成电路生产线来看，等离子体刻蚀设备因其提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀而被广泛应用，根据问芯Voice，目前等离子体刻蚀设备的市场规模也超过了120亿美元，约占全球刻蚀市场规模的85%左右，成为刻蚀设备的绝对主流。未来随着中微等公司对设备研发的不断投入，刻蚀设备国产化率进一步提升未来可期。“十三五”时期是云南发展极不平凡的五年。面对错综复杂的国际环境，面对国内经济下行压力加大的形势，面对云南省艰巨繁重的脱贫攻坚任务， “十三五”规划目标基本实现

47、；经济总量实现历史性突破，迈上2万亿元台阶，在全国的排位前移5位；产业结构实现历史性突破，工业“一烟独大”的格局发生根本性改变，绿色能源成为第一大产业，农业业态全面提升，服务业撑起经济总量“半壁江山”；基础设施建设实现历史性突破，五年新增高速公路里程5000公里，是全省“十二五”末通车总里程的1.25倍，基础设施实现由瓶颈制约向基本适应的根本性转变；生态文明建设实现历史性突破，滇池、洱海等九大高原湖泊保护治理取得积极成效，城乡生态环境和人居环境明显改善，生态文明建设排头兵迈出坚实步伐；社会民生补短板实现历史性突破，教育、卫生水平明显提高，人民生活水平显著提高，覆盖城乡居民的社会保障体系基本建立

48、，新冠肺炎疫情防控取得重大战略成果；全面深化改革不断深入，边疆治理体系和治理能力现代化水平不断提高；对外开放持续扩大，面向南亚东南亚辐射中心建设扎实推进；民族工作创新发展，民族团结进步示范区建设成效明显。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约32.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx套半导体刻蚀设备的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资10944.55万元，其中：建设投资8628.77万元，占项目总投资的78.8

49、4%；建设期利息202.28万元，占项目总投资的1.85%；流动资金2113.50万元，占项目总投资的19.31%。（五）资金筹措项目总投资10944.55万元，根据资金筹措方案，xx集团有限公司计划自筹资金（资本金）6816.42万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额4128.13万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：23900.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：18577.28万元。3、项目达产年净利润（NP）：3900.18万元。4、财务内部收益率（FIRR）：27.51%。5、全部投资回收期（Pt）：5.35年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平

50、衡点（BEP）：7643.14万元（产值）。（七）社会效益该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积21333.00约32.00亩1.1总建筑面积36504.241.2基底面积12373.141.3投资强度万元/亩250.342总投资万元10944

51、.552.1建设投资万元8628.772.1.1工程费用万元7225.962.1.2其他费用万元1183.282.1.3预备费万元219.532.2建设期利息万元202.282.3流动资金万元2113.503资金筹措万元10944.553.1自筹资金万元6816.423.2银行贷款万元4128.134营业收入万元23900.00正常运营年份5总成本费用万元18577.286利润总额万元5200.247净利润万元3900.188所得税万元1300.069增值税万元1020.6910税金及附加万元122.4811纳税总额万元2443.2312工业增加值万元8135.7513盈亏平衡点万元7643.

52、14产值14回收期年5.3515内部收益率27.51%所得税后16财务净现值万元7925.08所得税后第五章 建设内容与产品方案一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积21333.00（折合约32.00亩），预计场区规划总建筑面积36504.24。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx集团有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx套半导体刻蚀设备，预计年营业收入23900.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定

53、。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1半导体刻蚀设备套xx2半导体刻蚀设备套xx3半导体刻蚀设备套xx4.套5.套6.套合计xxx23900.00终端需求催化刻蚀设备用量，市场规模2022年有望突破1100亿美元。随着5G、大数据、物联网、人工智能等新兴产业的发展，半导体设备有望迎来新一轮发展机遇，从而推动全球刻蚀设备的需求。SEMI预计全球半导体设备市场将持续保持增长，在2021年增长45

54、%至1030亿美元，2022年预计将创下1140亿美元的新高。先进技术增加刻蚀步骤和刻蚀难度，刻蚀设备演绎量价齐升。对于逻辑电路来说，制程微缩和技术迭代增加了刻蚀的步骤，也提高了刻蚀的难度；对于3DNAND来说，更高的堆叠层数需要用到多步刻蚀，并且要保证刻蚀的各向异性和尽量小的偏差；对于DRAM而言，电路图形密度增大，多重图案化重复次数增加，极大地增加了刻蚀工艺的设备需求。先进制程和复杂结构增加了刻蚀步骤和难度，助推半导体刻蚀设备价量齐升。第六章 建筑技术分析一、 项目工程设计总体要求1、建筑结构设计力求贯彻“经济、实用和兼顾美观”的原则，根据工艺需要，结合当地地质条件及地需条件综合考虑。2、

55、为满足工艺生产的需要，方便操作、检修和管理，尽量采取厂房一体化，充分考虑竖向组合，立求缩短管线，降低能耗，节约用地，减少投资。3、为加快建设速度并为今后的技术改造留下发展空间，主厂房设计成轻钢结构，各层主要设备的悬挂、支撑均采用钢结构，实现轻型化，并满足防腐防爆规范及有关规定。二、 建设方案（一）建筑结构及基础设计本期工程项目主体工程结构采用全现浇钢筋混凝土梁板，框架结构基础采用桩基基础，钢筋混凝土条形基础。基础工程设计：根据工程地质条件，荷载较小的建（构）筑物采用天然地基，荷载较大的建（构）筑物采用人工挖孔现灌浇柱桩。（二）车间厂房、办公及其它用房设计1、车间厂房设计：采用钢屋架结构，屋面采

56、用彩钢板，墙体采用彩钢夹芯板，基础采用钢筋混凝土基础。2、办公用房设计：采用现浇钢筋混凝土框架结构，多孔砖非承重墙体，屋面为现浇钢筋混凝土框架结构，基础为钢筋混凝土基础。3、其它用房设计：采用砖混结构，承重型墙体，基础采用墙下条形基础。（三）墙体及墙面设计1、墙体设计：外墙体均用标准多孔粘土砖实砌，内墙均用岩棉彩钢板。2、墙面设计：生产车间的外墙墙面采用水泥砂浆抹面，刷外墙涂料，内墙面为乳胶漆墙面。办公楼等根据使用要求适当提高装饰标准。腐蚀性楼地面、地坪以及有防火要求的楼地面采用特殊地面做法。依据建设部、国家建材局关于建筑采用使用的规定，框架填充墙采用加气混凝土空心砌块墙体，砖混结构承重墙地上

57、及地下部分采用烧结实心页岩砖。（四）屋面防水及门窗设计1、屋面设计：屋面采用大跨度轻钢屋面，高分子卷材防水面层，上人屋面加装保护层。2、屋面防水设计：现浇钢筋混凝土屋面均采用刚性防水。3、门窗设计：一般建筑物门窗，采用铝合金门窗，对于变压器室、配电室等特殊场所应采用特种门窗，具体做法可参见国家标准图集。有防爆或者防火要求的生产车间，门窗设置应满足防爆泄压的要求，玻璃应采用安全玻璃，凡防火墙上门窗均为防火门窗，参见国标图集。（五）楼房地面及顶棚设计1、楼房地面设计：一般生产用房为水泥砂浆面层，局部为水磨石面层。2、顶棚及吊顶设计：一般房间白色涂料面层。（六）内墙及外墙设计1、内墙面设计：一般房间

58、为彩钢板，控制室采用水性涂料面层，卫生间采用卫生磁板面层。2、外墙面设计：均涂装高级弹性外墙防水涂料。（七）楼梯及栏杆设计1、楼梯设计：现浇钢筋混凝土楼梯。2、栏杆设计：车间内部采用钢管栏杆，其它采用不锈钢栏杆。（八）防火、防爆设计严格遵守建筑设计防火规范（GB50016-2014）中相关规定，满足设备区内相关生产车间及辅助用房的防火间距、安全疏散、及防爆设计的相关要求。从全局出发统筹兼顾，做到安全适用、技术先进、经济合理。（九）防腐设计防腐设计以预防为主，根据生产过程中产生的介质的腐蚀性、环境条件、生产、操作、管理水平和维修条件等，因地制宜区别对待，综合考虑防腐蚀措施。对生产影响较大的部位，

59、危机人身安全、维修困难的部位，以及重要的承重构件等加强防护。（十）建筑物混凝土屋面防雷保护车间、生活间等建筑的混凝土屋面采用10镀锌圆钢做避雷带，利用钢柱或柱内两根主筋作引下线，引下线的平均间距不大于十八米（第类防雷建筑物）或25.00米（第类防雷建筑物）。（十一）防雷保护措施利用基础内钢筋作接地体，并利用地下圈梁将建筑物的四周的柱子基础接通，构成环形接地网，实测接地电阻R1.00（共用接地系统）。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积36504.24，其中：生产工程23546.10，仓储工程6347.42，行政办公及生活服务设施3474.13，公共工程3136.59。建筑工程投资一览表单位：

60、、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程6805.2323546.102846.021.11#生产车间2041.577063.83853.811.22#生产车间1701.315886.52711.501.33#生产车间1633.265651.06683.041.44#生产车间1429.104944.68597.662仓储工程3340.756347.42598.512.11#仓库1002.221904.23179.552.22#仓库835.191586.86149.632.33#仓库801.781523.38143.642.44#仓库701.561332.96125.693办公生

61、活配套669.393474.13524.653.1行政办公楼435.102258.18341.023.2宿舍及食堂234.291215.95183.634公共工程1608.513136.59281.92辅助用房等5绿化工程3031.4256.26绿化率14.21%6其他工程5928.4413.407合计21333.0036504.244320.76第七章 发展规划分析一、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格