Ipcq检测室硅块检测流程

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1、Ipcq检测室硅块检测流程：硅块转入外观检验垂直度检验边宽/长度检验导电类型检验电阻率检验红外探伤检验少子寿命检验硅块断定硅块转出硅块检验操作指导步骤1. 外观检验1.1 确认所送硅块的箭头标示是否清楚，每个硅块的随工单信息填写是否完好，且与硅块外表标示信息（硅锭号与硅块号）是否一样，以及确认边角料的数量。1.2与制造部送检人员共同确定每个硅块的外观质量状况，如有崩边、崩块等外观问题，运用游标卡尺测量缺陷的长度（沿硅锭的长晶方向测量），并把这些信息精确填写在品质记录表上和对应的硅块随工单上。2. 垂直度检测2.1 抽样方法：小硅块（16块）测A1,C6,C11,A16;大硅块测A1,C7,C1

2、3,C19.A25,进展检测硅块垂直度。2.2 运用万能角度尺测量硅块四个侧面的垂直度，即相邻两侧面间的垂直度，每个抽样硅块测量随意三个角的垂直度，每个角从硅块头部到尾部至少均为测量三次，并将检测数据记录于硅块检测记录表中。2.3 将万能角度尺两臂紧贴硅块相邻两侧面，若臂于硅块外表接触存在空隙，断定硅块为“S”型硅块。3边宽/长度检验3.1 运用游标卡尺（精确度=0.02mm）测量抽样硅块的边宽尺寸，每个硅块测相邻两边宽，用游标卡尺的量爪在硅块的两侧面进展测量使硅块的各部位边宽尺寸都测量到。3.2 如觉察有某一硅块边宽尺寸超出标准，必需加抽该硅块所在多晶硅锭位置的垂直两条线的其他硅块的边宽尺寸

3、。3.3 运用直尺（精确度=1mm）测量全部硅块的长度；选择硅块尾部至头部中的一棱边，运用直尺测量此棱边的长度，测量完后在所测量的棱边上做记号，并检验数据记录于硅块检测记录表中。4. 导电类型检验4.1 运用半导体导电类型检测仪全检硅块各侧面的导电类型，即硅块的P/N类型。4.2测量时硅块任选一侧面为测量面，依据测量的长度选取测试点，选取测试点的方式依据多晶硅锭电阻率抽样记录表中长度的百分比进展选定。（备注：1.运用直尺确定对应尺寸的测试点。2.测试点须在硅块侧面的中部，即边宽中心线正负25mm内。）4.3 运用半导体导电类型测试仪在选取的测试点进展导电类型检测， 并将检测数据记录于多晶硅锭电

4、阻率抽样记录表中。5 电阻率检验5.1 运用电阻率测试仪检验硅块的电阻率大小，小锭硅块依据A1，C6,B9,C11,A16进展抽样检测;大锭硅块依据A1,C7,C13,C19,A25进展抽样检测。5.2 测量是硅块人选一侧面，依据测量的长度选取测试点，选取测试点的方式依据多晶硅锭的电阻率抽样记录表中长度的百分比进展选定。（备注：1：运用直尺确定对应尺寸的测试点。2：测试点必需在硅块侧面的中部，即边宽中心线正负25mm内）5.3 运用电阻率测试仪在选取的测试点进展电阻率测试，读取测试仪上显示的电阻率大小，并将检验数据记录于多晶硅锭电阻率抽样记录表中；计算平均值并记录于硅块检测记录表中。5.4 测

5、试留意事项：电阻率测试点选取后，头部第一个测试点处不需要测试，其它选取点都需要测试。6 红外探伤6.1 运用红外探伤测试仪全检硅块内部缺陷状况。6.2 硅块测试准备：用无水乙醇将测试硅块的四个侧面擦拭干净，将擦拭干净的硅块放在红外探伤测试台上，放置方向为底部朝下，头部朝上。6.3 确认内部缺陷：通过内部缺陷影像图，确定硅块内部存在缺陷后，视察内部缺陷在图像监控器上的位置，是用记号笔在硅块的外表做好标识；用记号笔在黑色阴影部分的上下边缘处画标识线，上下画线处要求阴影部分2-3mm（备注：内部缺陷在距硅块头部或尾部20mm内，不需要画线）。6.4 缺陷图像保存：将检验硅块内部存在的缺陷图像保存在测

6、试仪内。6.5 标明缺陷范围：完成该硅块四个侧面检测后，将硅块搬到工作台上依据标识线划线标识，缺陷长度20mm时，运用直尺把以上全部短线标识画长，并用直尺（精确度=1mm）量出缺陷的长度，并标明缘由、长度于硅块外表。6.6 图像保存留意事项：以下标识硅块必需保存：1.大硅块中的B2、C7、C12、C17、B22必需保存四个侧面图片。2.小硅块中的B2、C6、C10、B14必需保存四个侧面图片。7 少子寿命检验7.1 运用少子寿命测量仪抽样检测硅块少子寿命，具体抽样方法依据多晶硅块Lofetome抽样方法进展抽样检测。抽样方法如图：7.2 硅块测试准备：用无水乙醇将测试硅块的一个侧面擦拭干净，再

7、放入测试仪器平台上；放入时，擦拭的侧面朝上，硅块的头部放在测试员的左侧，使测试仪从硅块的头部开始测试。7.3 硅块少子寿命测试:依据WT-2000p少子寿命测试仪操作说明WT-2000少子寿命测试仪操作说明测试该侧面的少子寿命，并将少子寿命图像保存在电脑对应的文件夹中；测试完毕后，按以上方法测试该硅块相对侧面的少子寿命，并将少子寿命值记录在硅块检测记录表上。7.4 少子寿命分析：其余抽样硅块的少子寿命依据以上操作检测，完成后把此锭抽样硅块的少子寿命图像全部翻开，综合分析此锭的少子寿命质量状况（要求：头尾各20mm以外的硅块中部区域的少子寿命最小值=2us，不符合要求的区域需要标识去除）。8 硅

8、块断定与检验记录填写8.1 结合硅块各检测工程的检测结果进展综合分析，断定硅块是否流入下一工序，具体断定标准依据多晶硅块断定标准操作。8.2 依据检测结果头、尾如需去除的长度大于20mm，需由IPQC检测人员画标识线；需去除的长度小于等于25mm，则不需要画标识线。8.3 依据断定结果填写此硅锭的边角料相关信息，并标于边角料袋上。8.4 将检验结果填写在多晶硅锭随工单的硅块检测栏中，以及多晶硅切割加工随工单中的IPQC检验结果栏中，并盖IPQC待定章。8.5 检验报表审核后，IPQC MIS 录入人员将检验数据输入MIS系统。9 粘胶前硅块检验9.1 送检确认1. 确认所送硅块的标识书是否正确

9、，每个硅块有无对应随工单，硅块随工单上是否盖有IPQC合格章（蓝色）或IPQC待定章（红色）。如有觉察异样，需马上通知送检人员处理，并确认处理结果是否正确。2. 与制造部门的硅块送检人员确认每个硅块的外观质量状况，如有崩边、崩块、台阶等外观问题应当面与其确认并在对应的随工单上标明精确信息。3. 通过比照随工单上的IPQC断定信息和硅块头尾信息确认硅块是否依据要求去头尾。如有异样，需按以下方法处理：a. 硅块去头尾尺寸比要求去头尾尺寸偏小时，需通知硅块送检人员按要求再去一次头尾，并再次送检。b. 硅块去头尾尺寸比要求去头尾尺寸偏多时，要求送检人员在随工单上写明造成缘由后，可流入下一检验工序。4.

10、 几何尺寸检验a. 用直尺（精确度=1mm）测量全部硅块长度标识点处的硅块长度，并确认硅块长度测量数据和随工单上硅块长度数据是否一样。如觉察测量数据和随工单上硅块长度数据有偏向，须挑出并要求送检人员返工硅块长度测量。b. 用游标卡尺（精确度=0.02mm）测量硅块的边宽尺寸，每个硅块测量相邻的两个边宽；测量时运用游标卡尺的量爪在硅块的两侧面前后滑动，使硅块的每一段边宽尺寸都测量到。c. 用游标卡尺（精确度=0.02mm）分别测量硅块四条直角边的倒角尺寸；每条从头到尾至少测量三处。d. 测量时将相应测量数据记录在硅块几何尺寸检测记录表上，同时将外观不良现象记录于外观栏。多晶硅快断定标准类别检验工

11、程检验标准检验工具抽样方法断定/处置外观崩边、崩块、裂纹、裂痕、锯缝、线痕硅块头部和尾部20mm以内的崩边、崩块、裂纹、裂痕、锯缝、线痕目视/游标卡尺/直尺全检合格硅块头尾部20以外硅块中部的崩边、崩块长度150mm，深度1.5mm打磨硅块头尾部20以外硅块中部的崩边、崩块长度150mm，深度1.5mm不合格/回炉硅块头尾部20mm以外硅块中部的裂纹、裂痕150mm去除缺陷部分，流入下工序硅块头尾部25mm以外硅块中部的裂纹、裂痕150mm不合格，回炉硅块头尾部20mm以外硅块中部的线痕打磨尺寸垂直度（菱形/S形）125/156规格硅块的棱角度数：900.25万能角度尺抽检合格硅块的棱角度数9

12、0.25打磨89硅块的棱角度数89.75打磨硅块的棱角度数125.50mm打磨硅块边宽尺寸156.50mm打磨硅块边宽尺寸100mm回炉电阻率0.53cm电阻率测试仪抽检合格硅块电阻率cm标示隔离红外探伤无裂纹、杂质、黑点、阴影、微晶红外探伤测试仪全检合格硅块头尾部裂纹、杂质、阴影20mm硅块头尾部20mm以内区域有黑点20mm125mm回炉硅块的微晶长度150mm标示清楚后流入下工序硅块的微晶长度150mm回炉少子寿命头尾各20mm以外的硅块中部区域的少子寿命最小值2uS头尾各20mm以外的硅块中部区域的少子寿命小于2uS的长度100mm头尾各20mm以外的硅块中部区域的少子寿命小于2uS的

13、长度100mm备注：1. 送检的每一批次硅块需清洗干净，硅块上无污水，并附有每一硅块的随工单。2. 缺陷长度是指影响切片的有效长度，依据硅锭的长晶方向测量。3. 同一根硅块有多处缺陷时，结合全部的缺陷后综合断定处置，如硅块剩余的可切片长度小于100mm，硅块干脆做回炉处理。4. 每一批次硅块的抽检方法依据各种规格的硅块检验指导书中方法抽样。5. 少子寿命的去除长度以同一截面2/3以上宽度的少子寿命最小值2uS为准。6. 硅块如有电性能工程不良，该硅块同区域的其他硅块断定处理与该硅块一样。Day 1 A1 B2Day 3 B3 B4Day 2 A5 B6 C7Day 1 C8 C9 B10Day

14、 4 B11Day 3 C12 C13Day 2 C14Day 1 B15 B16 C17Day 4 C18 C19 B20Day 3 A21 B22Day 2 B23 B24Day 4 A257. 对外加工合同的硅块依合同的要求检验断定。 硅锭箭头方向 少子寿命抽样方法 适用于25块的多晶硅块 硅锭箭头方向Day 1 A1Day 3 B2Day 4 B3Day 2 A4Day 2 B5Day 4 C6Day 3 C7Day 1 B8Day 4 B9Day 2 C10Day 1 C11Day 3 B12Day 3 A13Day 1 B14Day 2 B15Day 4 A16少子寿命抽样方法 适用于16块的多晶硅块 硅锭箭头方向 A1 C7 C13 C19 A25此图即为电阻率的抽样检测方法